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        rf-cmos 文章 最新資訊

        后CMOS時(shí)代 Intel稱有12種設(shè)想可降低產(chǎn)品功耗

        •   自從14nm節(jié)點(diǎn)開始,Intel在傳統(tǒng)CMOS半導(dǎo)體工藝升級(jí)上的步伐就慢下來了,Tick-Tock戰(zhàn)略名存實(shí)亡,還被TSMC、三星兩家趕超、奚落,甚至連市值都被TSMC超越了,以致于Intel為了挽回面子都想法推動(dòng)新的半導(dǎo)體工藝命名規(guī)則了。傳統(tǒng)CMOS工藝很可能在2024年終結(jié),對(duì)此Intel也不是沒有準(zhǔn)備,最近他們公布了后CMOS時(shí)代的一些技術(shù)思路,Intel的目標(biāo)是在保持現(xiàn)有晶圓工廠的情況下制造功耗更低的產(chǎn)品,電壓可以低至0.5V,這在目前的晶體管下是不可能的。     根據(jù)EE
        • 關(guān)鍵字: Intel  CMOS  

        芯片業(yè)追尋后CMOS時(shí)代研發(fā)新方向

        • 傳統(tǒng)的硅基半導(dǎo)體技術(shù)形成了摩爾定律的基礎(chǔ),并在數(shù)十年來持續(xù)落實(shí)于產(chǎn)業(yè)界,如今它正日益成熟,業(yè)界也越來越迫切需要一種超越硅晶的新技術(shù)藍(lán)圖...
        • 關(guān)鍵字: 芯片  CMOS  

        摩爾定律活不久了 CMOS電路被判“死刑”

        • 盡管Intel一直嘴硬說摩爾定律未滅,但傳統(tǒng)半導(dǎo)體這幾年內(nèi)確實(shí)面臨著很大挑戰(zhàn),IRDS日前發(fā)布的一份報(bào)告則給CMOS電路判了死刑——2024年它就會(huì)終結(jié)了。
        • 關(guān)鍵字: 摩爾定律  CMOS  

        索尼再現(xiàn)黑科技:將DRAM集成到CMOS傳感器

        •   索尼這幾年的手機(jī)之路走得并不平坦,不過沒有隨波逐流,漸漸變得默默無聞。作為黑科技的代名詞,索尼在半導(dǎo)體上的造詣可不是一般的強(qiáng)大。可能很多人會(huì)覺得索尼沒聽說在半導(dǎo)體上有哪些重大貢獻(xiàn),但是如果索尼的半導(dǎo)體工廠停工,因?yàn)槿虻氖謾C(jī)CMOS大部分來自索尼。   索尼XZ Prumium   索尼鏡頭   索尼展示技術(shù)   在今年的MWC上,索尼除了帶來全新的智能手機(jī)之外,他們還帶來了全新的三層堆疊式CMOS傳感器。據(jù)索尼官方介紹,三層堆疊式CMOS傳感器是在像素層和信號(hào)處理電路之間加入一層
        • 關(guān)鍵字: 索尼  CMOS  

        一塊PCB板上如何安置RF電路和數(shù)字電路這兩尊大神?

        •   單片射頻器件大大方便了一定范圍內(nèi)無線通信領(lǐng)域的應(yīng)用,采用合適的微控制器和天線并結(jié)合此收發(fā)器件即可構(gòu)成完整的無線通信鏈路。它們可以集成在一塊很小的電路板上,應(yīng)用于無線數(shù)字音頻、數(shù)字視頻數(shù)據(jù)傳輸系統(tǒng),無線遙控和遙測系統(tǒng),無線數(shù)據(jù)采集系統(tǒng),無線網(wǎng)絡(luò)以及無線安全防范系統(tǒng)等眾多領(lǐng)域。  1 數(shù)字電路與模擬電路的潛在矛盾  如果模擬電路(射頻) 和數(shù)字電路(微控制器) 單獨(dú)工作可能各自工作良好,但是一旦將兩者放在同一塊電路板上,使用同一個(gè)電源供電一起工作,整個(gè)系統(tǒng)很可能就會(huì)不穩(wěn)定。這
        • 關(guān)鍵字: PCB  RF  

        Xilinx發(fā)布RF級(jí)模擬技術(shù)的背景資料

        •   簡介  隨著通信行業(yè)逐漸向 5G 標(biāo)準(zhǔn)靠攏,移動(dòng)設(shè)備制造商十分鐘情于技術(shù)試驗(yàn)和概念驗(yàn)證測試。現(xiàn)在,這些技術(shù)的商業(yè)可行性正在進(jìn)行嚴(yán)格評(píng)估,然而原型設(shè)計(jì)所使用的很多技術(shù)都無法很好地轉(zhuǎn)化為商業(yè)部署。  由于目標(biāo)是以更低功耗通過頻譜效率、高度致密化以及新頻譜來提高網(wǎng)絡(luò)容量,因此制造商正在依靠軟件、硬件和系統(tǒng)級(jí)的技術(shù)突破來實(shí)現(xiàn)目標(biāo)。  有些技術(shù)對(duì)滿足嚴(yán)苛的網(wǎng)絡(luò)容量目標(biāo)具有至關(guān)重要的作用,而大規(guī)模多輸入多輸出(MIMO)天線陣列就屬于這類技術(shù)。與這些天線陣列進(jìn)行接口連接的射頻單元必須滿足極其嚴(yán)
        • 關(guān)鍵字: Xilinx  RF  

        汽車電子產(chǎn)業(yè)變革催生半導(dǎo)體行業(yè)機(jī)遇

        • 汽車智能化趨勢使得汽車電子半導(dǎo)體市場的增長不再依賴于汽車產(chǎn)量的增加,而是車載半導(dǎo)體數(shù)量的增加。
        • 關(guān)鍵字: CMOS  ADAS  

        本土手機(jī)芯片廠商日益強(qiáng)大 2017市場增長極都有誰?

        • 手機(jī)產(chǎn)業(yè)持續(xù)平穩(wěn)增長,芯片市場維持高景氣度
        • 關(guān)鍵字: 芯片  CMOS  

        索尼革命性拍照黑科技:把內(nèi)存塞進(jìn)CMOS

        •   盡管近段時(shí)間索尼忙于月底的MWC 2017,但這似乎并不影響索尼偶爾刷刷黑科技的習(xí)慣。近日,索尼推出了一款劃時(shí)代的傳感器產(chǎn)品——全球首款三層堆疊式CMOS傳感器。據(jù)了解,索尼這種三層堆疊式傳感器基于目前CMOS傳感器進(jìn)行改進(jìn),在像素層和信號(hào)處理電路層之間又增加了一層DRAM。新一代CMOS傳感器原理新一代CMOS傳感器原理  技術(shù)介紹稱,大容量低功耗DRAM的加入可以讓傳感器獲得高速讀取的能力,從而拍攝快速移動(dòng)物體時(shí)能夠更加從容,有效減少拍攝時(shí)所產(chǎn)生的焦平面失真現(xiàn)象,使得抓拍、慢動(dòng)作都會(huì)更加
        • 關(guān)鍵字: 索尼  CMOS  

        八條規(guī)則助你降低RF電路寄生信號(hào)

        •   RF電路布局要想降低寄生信號(hào),需要RF工程師發(fā)揮創(chuàng)造性。記住以下這八條規(guī)則,不但有助于加速產(chǎn)品上市進(jìn)程,而且還可提高工作日程的可預(yù)見性。   規(guī)則1:接地通孔應(yīng)位于接地參考層開關(guān)處   流經(jīng)所布線路的所有電流都有相等的回流。耦合策略固然很多,不過回流通常流經(jīng)相鄰的接地層或與信號(hào)線路并行布置的接地。在參考層繼續(xù)時(shí),所有耦合都僅限于傳輸線路,一切都非常正常。不過,如果信號(hào)線路從頂層切換至內(nèi)部或底層時(shí),回流也必須獲得路徑。   圖1就是一個(gè)實(shí)例。頂層信號(hào)線路電流下面緊挨著就是回流。當(dāng)它轉(zhuǎn)移到底層時(shí),回
        • 關(guān)鍵字: RF  寄生  

        混頻器件面貌之變遷

        •   摘要  半導(dǎo)體工藝和RF封裝技術(shù)的不斷創(chuàng)新完全改變了工程師設(shè)計(jì)RF、微波和毫米波應(yīng)用的方式。RF設(shè)計(jì)人員需要比以往任何時(shí)候都更具體、更先進(jìn)的技術(shù)和設(shè)計(jì)支持。設(shè)計(jì)技術(shù)持續(xù)發(fā)展,RF和微波器件的性質(zhì)在不久的未來將大不相同。本文介紹各種類型的混頻器、各自的優(yōu)缺點(diǎn),以及在不同市場中應(yīng)用的演變。本文討論不同混頻器件(主要是混頻器)不斷變化的面貌,以及技術(shù)進(jìn)步如何改變不同市場的需求。  簡介  在RF和微波設(shè)計(jì)中,混頻是信號(hào)鏈最關(guān)鍵的部分之一。過去,很多應(yīng)用都受制于混頻器的性能。混頻器的頻率范圍、轉(zhuǎn)換損耗和線性度
        • 關(guān)鍵字: 混頻器件  RF  

        CMOS集成電路電阻的應(yīng)用分析

        •   1 CMOS集成電路的性能及特點(diǎn)  1.1 功耗低CMOS集成電路采用場效應(yīng)管,且都是互補(bǔ)結(jié)構(gòu),工作時(shí)兩個(gè)串聯(lián)的場效應(yīng)管總是處于一個(gè)管導(dǎo)通,另一個(gè)管截止的狀態(tài),電路靜態(tài)功耗理論上為零。實(shí)際上,由于存在漏電流,CMOS電路尚有微量靜態(tài)功耗。單個(gè)門電路的功耗典型值僅為20mW,動(dòng)態(tài)功耗(在1MHz工作頻率時(shí))也僅為幾mW。  1.2 工作電壓范圍寬CMOS集成電路供電簡單,供電電源體積小,基本上不需穩(wěn)壓。國產(chǎn)CC4000系列的集成電路,可在3~18V電壓下正常工作。  1.3
        • 關(guān)鍵字: CMOS  集成電路  

        CMOS影像傳感器供不應(yīng)求 市場價(jià)格止跌

        •   據(jù)日本經(jīng)濟(jì)新聞(Nikkei)網(wǎng)站報(bào)導(dǎo),攝影用的CMOS影像傳感器市場,由于市場需求增大,原本跌價(jià)的趨勢已逐漸趨緩,智能手機(jī)用品的2016年7~9月報(bào)價(jià)甚至與10~12月報(bào)價(jià)維持相同水準(zhǔn),預(yù)料2017年初市場需求不減,報(bào)價(jià)甚至有上漲的可能。   以1,300萬畫素的產(chǎn)品來看,2016年第1季~第2季單價(jià)下滑10%,第3季下滑僅約5%,第4季就停在與第3季相當(dāng)?shù)拿總€(gè)2~3美元水準(zhǔn)。   造成CMOS影像傳感器價(jià)格下滑趨勢減緩的理由,主要在高階智能手機(jī)轉(zhuǎn)向采用雙鏡頭設(shè)計(jì),讓高階手機(jī)市場的CMOS影像傳
        • 關(guān)鍵字: CMOS  像傳感器  

        CMOS影像傳感器供不應(yīng)求 市場價(jià)格止跌

        •   據(jù)日本經(jīng)濟(jì)新聞(Nikkei)網(wǎng)站報(bào)導(dǎo),攝影用的CMOS影像傳感器市場,由于市場需求增大,原本跌價(jià)的趨勢已逐漸趨緩,智能手機(jī)用品的2016年7~9月報(bào)價(jià)甚至與10~12月報(bào)價(jià)維持相同水準(zhǔn),預(yù)料2017年初市場需求不減,報(bào)價(jià)甚至有上漲的可能。   以1,300萬畫素的產(chǎn)品來看,2016年第1季~第2季單價(jià)下滑10%,第3季下滑僅約5%,第4季就停在與第3季相當(dāng)?shù)拿總€(gè)2~3美元水準(zhǔn)。   造成CMOS影像傳感器價(jià)格下滑趨勢減緩的理由,主要在高階智能手機(jī)轉(zhuǎn)向采用雙鏡頭設(shè)計(jì),讓高階手機(jī)市場的CMOS影像傳
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        CMOS影像傳感器供不應(yīng)求 市場價(jià)格止跌

        •   據(jù)日本經(jīng)濟(jì)新聞(Nikkei)網(wǎng)站報(bào)導(dǎo),攝影用的CMOS影像傳感器市場,由于市場需求增大,原本跌價(jià)的趨勢已逐漸趨緩,智能手機(jī)用品的2016年7~9月報(bào)價(jià)甚至與10~12月報(bào)價(jià)維持相同水準(zhǔn),預(yù)料2017年初市場需求不減,報(bào)價(jià)甚至有上漲的可能。   以1,300萬畫素的產(chǎn)品來看,2016年第1季~第2季單價(jià)下滑10%,第3季下滑僅約5%,第4季就停在與第3季相當(dāng)?shù)拿總€(gè)2~3美元水準(zhǔn)。   造成CMOS影像傳感器價(jià)格下滑趨勢減緩的理由,主要在高階智能手機(jī)轉(zhuǎn)向采用雙鏡頭設(shè)計(jì),讓高階手機(jī)市場的CMOS影像傳
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