- 專注于引入新品并提供海量庫存的電子元器件分銷商貿澤電子 (?Mouser Electronics?) 即日起開始備貨Texas Instruments (TI) 的LMG341xR050氮化鎵 (GaN) 功率級。這款 600V、500 mΩ的器件具有集成柵極驅動器和強大的保護功能，可讓設計人員在電源轉換系統中實現更高的效率，適用于高密度工業和消費類電源、高壓電池充電器、光伏逆變器和多電平轉換器等應用。貿澤電子備貨的TI LMG341xR050 GaN功率級與硅MOSFET相比擁有多種
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GaN UVLO
- 是德科技日前宣布，該公司的?5G?測試解決方案被?中國泰爾實驗室?（CTTL）選中，用以按照?5G NR（新空口）3GPP?規范在?FR1（450?到?6000 MHz）和?FR2（24250?到?52600 MHz）兩個頻率范圍對?5G?設備進行認證。是德科技是一家領先的技術公司，致力于幫助企業、服務提供商和政府客戶加速創新，創造一個安全互聯的世界。CTTL&nbs
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NR RF
- 移動應用、基礎設施與航空航天、國防應用中RF解決方案的領先供應商Qorvo?, Inc.（納斯達克代碼：QRVO）今日宣布Qorvo RF Fusion? 5G芯片組贏得2020年GTI移動技術創新突破大獎。此獎項是對Qorvo在5G芯片組領域突破性創新的認可；其開創性地兼顧了緊湊、高性能的5G功能與領先智能手機制造商對快速上市時間的要求。這已是Qorvo的5G產品第二次獲得GTI大獎。TD-LTE全球發展倡議（GTI）是由運營商和供應商組建的開放性全球協會，致力于推進TD-LTE和5G的發展。GTI獎勵
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GTI RF
- 在所有電力電子應用中，功率密度是關鍵指標之一，這主要由更高能效和更高開關頻率驅動。隨著基于硅的技術接近其發展極限，設計工程師現在正尋求寬禁帶技術如氮化鎵（GaN）來提供方案。對于新技術而言，GaN本質上比其將取代的技術（硅）成本低。GaN器件與硅器件是在同一工廠用相同的制造程序生產出。因此，由于GaN器件小于等效硅器件，因此每個晶片可以生產更多的器件，從而降低了每個晶片的成本。GaN有許多性能優勢，包括遠高于硅的電子遷移率（3.4eV對比1.1eV），這使其具有比硅高1000倍的電子傳導效率的潛力。值得注
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LDN GaN
- 領先的汽車供應商MARELLI近日宣布與美國一家專注于重新定義功率轉換的半導體公司Transphorm達成戰略合作。通過此協議，MARELLI將獲得電動和混合動力車輛領域OBC車載充電器、DC-DC 轉換器和動力總成逆變器開發的尖端技術，進一步完善MARELLI在整體新能源汽車技術領域的布局。Transphorm被公認為是氮化鎵(GaN)技術的領導者，提供高壓電源轉換應用的最高效能、最高可靠性的氮化鎵(GaN)半導體，并擁有和汽車行業（尤其是日本）直接合作的成功經驗。獲得這一技術對正在探索電力傳動系統業務
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OBC GaN
- 移動應用、基礎設施與航空航天、國防應用中 RF 解決方案的領先供應商Qorvo?, Inc.近日推出全球性能最高的寬帶功率放大器 (PA)--- TGA2962。Qorvo今天推出的這款功率放大器是專為通信應用和測試儀表應用而設計，擁有多項性能突破：它能夠在 2-20 GHz 的頻率范圍提供業界領先的 10 瓦 RF 功率以及 13dB 大信號增益和 20-35% 的功率附加效率。這種組合為系統設計人員帶來提高系統性能和可靠性所需的靈活性，同時減少了元件數量、占用空間和成本。Qorvo 高性能解決方案業務
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GaN 功率放大器
- 奈梅亨，2020年2月25日：分立器件、MOSFET器件、GaN FET器件及模擬和邏輯器件領域的生產專家Nexperia宣布與知名汽車工程咨詢公司Ricardo合作，以研制基于氮化鎵(GaN)技術的EV逆變器技術演示器。 GaN是這些應用的首選功率器件，因為GaN FETs使系統以更低的成本達到更高的效率、更好的熱性能和更簡單的開關拓撲。在汽車領域，這意味著車輛行駛里程更長，而這正是所有電動汽車消費者最關心的問題?，F在，GaN即將取代基于硅的IGBT和SiC，成為插電式混合動力汽車
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Nexperia GaN EV逆變器
- 隸屬于泰雷茲（Thales）公司的金雅拓（Gemalto），正在使用測試與測量領域專家羅德與施瓦茨公司（Rohde & Schwarz）的測試設備進行測試，以確保該公司的Cinterion? IoT模組可以在所有網絡和條件下同步運行。 這將大大減少IoT（Cat-M和NB-IoT）方案在不同國家的實際網絡環境測試，從而加快IoT方案的上市。羅德與施瓦茨公司和隸屬于泰雷茲的金雅拓在開展合作，以大大減少昂貴且耗時的現場測試。3GPP定義了IoT的協議棧功能，但是 IoT終端需要適配
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RF IoT
- 小米集團和納微（Navitas）宣布，其GaNFast充電技術已被小米采用，用于旗艦產品Mi 10 PRO智能手機。 小米董事長兼首席執行官雷軍先生在2月13日的小米在線新聞發布會上宣布了此消息。 GaNFast功率IC使用氮化鎵（GaN），這是一種新的半導體材料，其運行速度比以前的硅（Si）電源芯片快100倍，因此僅需45分鐘即可對Mi 10 PRO進行0至100％的充電。
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小米 GaN 納微半導體
- 近日，移動應用、基礎設施與航空航天、國防應用中 RF 解決方案的領先供應商Qorvo?, Inc.今日推出首個 47 頻段/Wi-Fi 體聲波 (BAW) 共存濾波器和基于此的V2X前端產品套件，可在確?？煽啃缘那疤嵯聦崿F在遠程通信單元 (TCU) 和天線中啟用車對萬物 (V2X) 鏈路。由于從 2019 年到 2025 年，全球預計將增加 2.86 億輛聯網乘用車，該產品組合可為 V2X 通信提供了一個現成的解決方案。圖一注釋：Qorvo 車聯網 - V2X、V2V、V2I、V2P 和 V2NV2X 是
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RF V2X
- 5G 無線革命正在給 RF 設計領域帶來巨大的變化，手機和無線電基站的功率放大器也不例外。首先，5G 無線應用中的功率放大器芯片與 4G 網絡中使用的功率放大器芯片大不相同。
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5G 功率放大器 RF 前端
- ?, Inc.近日推出突破性的物聯網收發器 Qorvo QPG7015M，這款收發器支持所有低功率開源標準智能家居技術同時運行。這款收發器結合 Qorvo 獲得專利的天線分集和獨有的接收器設計，在覆蓋范圍、干擾穩定性和能耗方面性能出色，有助于大幅簡化物聯網設計。在利用片上系統 (SoC) 控制器產品提供多協議功能方面，Qorvo 已經是成熟的領導者。QPG7015M 收發器主要面向網關物聯網解決方案，后者需要全面采用 Blue
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RF SoC
- 趙軼苗?（ADI公司?系統解決方案事業部?總經理） 1 5G驅動RF等新一代芯片問世 5G將在未來在更多的國家和地區部署，將帶來無線電應用的一波機會和挑戰。ADI作為最早把軟件無線電的概念真正落地的公司，非常關注軟件無線電在未來的應用。ADI在2013年在一個單芯片里把所有模擬的放大器、濾波器、ADC、DAC、PL集成在一個芯片里，推出了向3G和4G基站應用的高性能、高集成度的射頻捷變收發器AD9361，2018年推出了寬帶寬、高性能RF（射頻）集成收發器ADRV9009，在2020年ADI將會推
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202001 5G ADI RF
- 簡介射頻(RF)放大器可采用引腳架構芯片級封裝(LFCSP)和法蘭封裝，通過成熟的回流焊工藝安裝在印刷電路板(PCB)上。PCB不僅充當器件之間的電氣互聯連接，還是放大器排熱的主要途徑（利用封裝底部的金屬塊）。本應用筆記介紹熱阻概念，并且提供一種技術，用于從裸片到采用LFCSP或法蘭封裝的典型RF放大器的散熱器的熱流動建模。熱概念回顧熱流材料不同區域之間存在溫度差時，熱量從高溫區流向低溫區。這一過程與電流類似，電流經由電路，從高電勢區域流向低電勢區域。熱阻所有材料都具有一定的導熱性。熱導率是衡量材料導熱能
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RF PCB
- Nordic Semiconductor宣布推出首款功率放大器/低噪聲放大器(PA/LNA)產品nRF21540TM?RF前端模塊(FEM)，完美補充了Nordic的nRF52和nRF53系列多協議系統級芯片(SoC)。這款RF FEM的PA提供了高達+21 dBm的高度可調TX功率提升，而LNA則提供了+13 dB的RX增益。LNA的低噪聲系數(NF)僅為2.5 dB，確保可提高Nordic藍牙5/低功耗藍牙?(Bluetooth?Low Energy /Bluetooth
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射頻前端 模塊 RF
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