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硬核技術(shù)創(chuàng)新加持，華虹宏力“8+12”特色工藝平臺為智能時代添飛翼
- 中國信通院數(shù)據(jù)顯示，2019年1-10月中國5G手機出貨量328.1萬部，發(fā)展速度遠超業(yè)界預(yù)期。5G商用的加速推進，讓更廣泛的智能時代提前到來，隨之而來的是海量的芯片需求。然而，先進芯片制造工藝雖有巨資投入，卻僅能滿足CPU、DRAM等一部分芯片市場應(yīng)用需求；像嵌入式閃存、電源、功率芯片等廣泛存在的需求，則主要由華虹集團旗下上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司（“華虹宏力”）為首的特色工藝芯片制造企業(yè)，基于成熟工藝設(shè)備不斷創(chuàng)新以提升芯片性能和成本優(yōu)勢來滿足。近日，在中國集成電路設(shè)計業(yè)2019年會(ICCAD 2
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Nexperia 推出行業(yè)領(lǐng)先性能的高效率氮化鎵功率器件 (GaN FET)
- 近日，分立、邏輯和 MOSFET 器件的專業(yè)制造商Nexperia，今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA，宣布其進入氮化鎵場效應(yīng)管(GaN)市場。這款器件非常耐用，柵極電壓 (VGS) 為 +/- 20 V，工作溫度范圍為 -55 至 +175 °C。GAN063-650WSA的特點是低導(dǎo)通電阻（最大RDS(on) 僅為 60 m?）以及快速的開關(guān)切換；效率非常高。Nexperia氮化鎵器件的目標是高性能要求的應(yīng)用市場，包括電動汽車、數(shù)據(jù)中心、電信設(shè)備、工業(yè)自動化和高端電源。Nexperi
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儒卓力提供具有高開關(guān)速度的英飛凌寬帶RF開關(guān)
- 寬帶RF分集開關(guān)BGS14WMA9和BGS12WN6具有高開關(guān)速度，它們針對WLAN和藍牙應(yīng)用進行了優(yōu)化，可為FM廣播、LTE、LAA和5G應(yīng)用提供0.05至6.0GHz寬帶支持。除了高開關(guān)速度外，這兩種類型RF開關(guān)還提供高達26dBm輸入功率的高線性度、低插入損耗和高達6GHz的端口到端口高隔離度。其低耗電量可進一步節(jié)省系統(tǒng)級的功耗。這些RF開關(guān)采用英飛凌的專利MOS技術(shù)制造，具有砷化鎵(GaAs)開關(guān)的性能，并具有傳統(tǒng)CMOS(互補金屬氧化物半導(dǎo)體)開關(guān)的經(jīng)濟性、集成度和靜電放電(ESD)魯棒性。與采
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CISSOID與國芯科技簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議
- 各行業(yè)所需高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者CISSOID近日宣布：在湖南株洲舉行的中國IGBT技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟第五屆國際學術(shù)論壇上，公司與湖南國芯半導(dǎo)體科技有限公司（簡稱“國芯科技”）簽署了戰(zhàn)略合作協(xié)議，將攜手開展寬禁帶功率技術(shù)的研究開發(fā)，充分發(fā)揮其耐高溫、耐高壓、高能量密度、高效率等優(yōu)勢，并推動其在眾多領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)廣泛應(yīng)用。近年來，寬禁帶半導(dǎo)體功率器件（如碳化硅SiC和氮化鎵GaN等）憑借多方面的性能優(yōu)勢，在航空航天、電力傳輸、軌道交通、新能源汽車、智能家電、通信等領(lǐng)域開始逐漸取代傳統(tǒng)硅器件。然而，在各類應(yīng)用中
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NI幫助工程師顯著縮短5GOTA驗證的RF測試時間
- 2019年9月30日 — 美國國家儀器(National Instruments，簡稱NI)是一家提供軟件定義平臺的供應(yīng)商，其平臺有助于加速自動化測試和自動化測量系統(tǒng)的開發(fā)和性能提升，該公司今日發(fā)布了硬件加速的5G毫米波OTA驗證測試參考架構(gòu)，可對5G 毫米波波束成形AiP器件進行全面的特性分析和驗證。與傳統(tǒng)的點對點軟件控制測試系統(tǒng)相比，NI的毫米波OTA驗證測試參考架構(gòu)可在24 GHz到44 GHz的5G毫米波頻段內(nèi)快速掃描OTA空間，幫助用戶顯著縮短AiP器件的OTA射頻驗證測試時
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帶兩個RMS檢測器的集成雙向橋，用于測量RF功率和回波損耗
- 定向耦合器用于檢測RF功率，應(yīng)用廣泛，可以出現(xiàn)在信號鏈中的多個位置。本文探討ADI公司的新器件ADL5920，其將基于寬帶定向耦合器與兩個RMS響應(yīng)檢測器集成在一個5 mm×5 mm表貼封裝中。相比于要在尺寸和帶寬之間艱難取舍的傳統(tǒng)分立式定向耦合器，該器件具有明顯的優(yōu)勢，尤其是在1 GHz以下的頻率。在線RF功率和回波損耗測量通常利用定向耦合器和RF功率檢波器來實現(xiàn)。圖1中，雙向耦合器用于無線電或測試測量應(yīng)用中，以監(jiān)測發(fā)射和反射的RF功率。有時希望將RF功率監(jiān)測嵌入電路中，一個很好的例子是將兩個或更多信號
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SOI 產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟上海論壇期間頒獎，村田、中芯領(lǐng)導(dǎo)人獲獎
- 2019年9月17日 中國上海 -? SOI產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟( SOI微電子完整價值鏈的領(lǐng)先行業(yè)組織)今日宣布了半導(dǎo)體行業(yè)的兩位杰出獲獎?wù)?分別是來自村田制作所(Murata)旗下pSemi公司的董事長兼首席技術(shù)官Jim Cable和中芯集成電路(寧波)有限公司的首席執(zhí)行官兼總經(jīng)理Herb Huang(黃河),二位為RF-SOI (一種廣泛用于蜂窩通信芯片的領(lǐng)先技術(shù))技術(shù)進步做出貢獻而榮獲此殊榮。此次SOI產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟在上海舉辦了年度RF-SOI論壇,共有來自中國和世界各地的450多位行業(yè)領(lǐng)袖參加,是SOI
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Cree積極擴廠開發(fā)功率及射頻元件，GaN on SiC磊晶技術(shù)發(fā)展待觀察
- 全球SiC晶圓市場規(guī)模約為8千多億美元，SiC晶圓與GaN on SiC磊晶技術(shù)大廠Cree為求強化自身功率及射頻元件研發(fā)能力，決議2019年5月于美國總部北卡羅萊納州特勒姆市，擴建1座先進自動化8寸SiC晶圓生產(chǎn)工廠與1座材料超級工廠(Mega Factory)，期望借此擴建案，提升Cree在SiC晶圓上的生產(chǎn)尺寸與提升晶圓使用市占，并提供GaN on SiC先進磊晶技術(shù)進一步應(yīng)用于功率及射頻元件中。
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支持瓦特到千瓦級應(yīng)用的氮化鎵技術(shù)
- 兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設(shè)計，帶集成柵極驅(qū)動和穩(wěn)健的器件保護。從那時起，我們就致力于利用這項尖端技術(shù)將功率級盡可能提高（和降低）。氮化鎵在任何功率級別都很關(guān)鍵。工程師正努力提高切換速度、效率和可靠性，同時減小尺寸、重量和元件數(shù)量。從歷來經(jīng)驗來看，您必須至少對其中的部分因素進行權(quán)衡，但德州儀器正通過所有這些優(yōu)勢實現(xiàn)設(shè)計，同時通過在一個封裝中進行復(fù)雜集成來節(jié)省系統(tǒng)級成本，并減少電路板元件數(shù)量。從將PC適配器的尺寸減半，到為并
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Qorvo為5G無線基礎(chǔ)設(shè)施提供1億臺RF設(shè)備
- 運營商利用現(xiàn)有的頻譜和面向大規(guī)模 MIMO 基站的新型前端無線電解決方案快速遷移至 5G
- 關(guān)鍵字： Qorvo? 5G RF 設(shè)備
SDR提高了RF通信的靈活性
- 摘要 軟件定義無線電(SDR)代表了一種對傳統(tǒng)射頻(RF)設(shè)計技術(shù)的突破。原有的傳統(tǒng)系統(tǒng)只能提供固定的功能，而且包含的功能也非常有限。通過靈活的RF前端和高性能數(shù)字硬件，開發(fā)人員可以利用新技術(shù)從無線頻譜中獲取更多容量，并構(gòu)建高度差異化的系統(tǒng)。工程師可以用SDR構(gòu)建抗干擾能力更強的無線電系統(tǒng)，應(yīng)用更高級的信道編碼方案來提高數(shù)據(jù)速率，并可利用其他先進的RF技術(shù)。還能夠訪問包括開源程序庫在內(nèi)的硬件和軟件生態(tài)系統(tǒng)，這意味著比以往任何時候都更容易獲得SDR設(shè)計經(jīng)驗。 自從20多年前推出2G蜂窩網(wǎng)絡(luò)以來，RF
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Qorvo? RF Fusion?成功應(yīng)用于多項新款智能手機設(shè)計
- 中國，北京 – 2019年3月7日 – 移動應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與國防應(yīng)用中核心技術(shù)與 RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商 Qorvo, Inc.(納斯達克代碼：QRVO)今日宣布，多項新款智能手機設(shè)計成功采用最新一代 RF Fusion? 射頻前端 (RFFE) 模塊。這些最新應(yīng)用成果表明，Qorvo 現(xiàn)在利用高度集成的中頻/高頻模塊解決方案，能夠為多家領(lǐng)先的智能手機制造商提供廣泛的新產(chǎn)品發(fā)布支持。最新一代 RF Fusion 模塊包括功率放大器、開關(guān)和濾波器組件，采用 Qorvo 獨有的內(nèi)核功能組合
- 關(guān)鍵字： Qorvo RF
MACOM和意法半導(dǎo)體攜手合作提高硅基GaN產(chǎn)能，支持5G無線網(wǎng)絡(luò)建設(shè)
- MACOM Technology Solutions Holdings公司(納斯達克股票代碼:MTSI) (以下簡稱“MACOM”)和意法半導(dǎo)體(紐約證券交易所股票代碼:STM))(以下簡稱“ST”)于25日宣布，將在2019年擴大ST工廠150mm 硅基GaN的產(chǎn)能，200mm硅基GaN按需擴產(chǎn)。該擴產(chǎn)計劃旨在支持全球5G電信網(wǎng)建設(shè)，基于2018年初 MACOM和ST宣布達成的廣泛的硅基GaN協(xié)議。 隨著全球推出5G網(wǎng)絡(luò)并轉(zhuǎn)向大規(guī)模MIMO(M-MIMO)天線配置，射頻RF功率產(chǎn)品需求預(yù)計
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MACOM推出寬帶多級硅基氮化鎵 (GaN-on-Si) 功率放大器 (PA) 模塊 具備靈活安裝性能，實現(xiàn)領(lǐng)先的設(shè)計敏捷性
- 全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商MACOM Technology Solutions Inc. (“MACOM”) 宣布推出全新MAMG-100227-010寬帶功率放大器 (PA) 模塊，擴展其硅基氮化鎵 (GaN-on-Si) 功率放大器 (PA) 產(chǎn)品組合。該寬帶PA模塊經(jīng)過優(yōu)化改良，適用于陸地移動無線電系統(tǒng)(LMR)、無線公共安全通信以及軍事戰(zhàn)術(shù)通信和電子對抗 (ECM) 領(lǐng)域。MAMG-100227-010 PA模塊兼具50Ω 全匹配、 兩級PA架構(gòu)的高效設(shè)計，以及頂端和底端安
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