氮化鎵（GaN）是一種III／V族寬能隙化合物半導體材料，能隙為3.4eV，電子遷移率為1,700 cm2/Vs，而硅的能隙和電子遷移率則分別為1.1 eV和1,400cm2/Vs。因此，GaN的固有特性，讓組件具有更高的擊穿電壓和更低的通態電阻，亦即相較于同尺寸的硅基組件，GaN可處理更大的負載、效能更高，而且物料清單成本更低。在過去的十多年里，產業專家和分析人士一直在預測，GaN功率開關組件的黃金時期即將到來。相較于應用廣泛的MOSFET硅功率組件，GaN功率組件具備更高的效率和更強的功耗處理能力，這
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ST Exagan GaN
氮化鎵快充火爆的背后，除了受消費者需求影響，是否還有其他原因？為什么快充會率先用到氮化鎵呢？
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氮化鎵 快充 GaN
德州儀器(TI)今日宣布與中國領先的軌道交通設備制造商中車株洲電力機車研究所有限公司（后簡稱“株洲所”）簽署諒解備忘錄，升級共同運營的聯合設計實驗室，實現更廣泛、更深層次的合作。此次合作旨在幫助中車株洲所運用TI廣泛的模擬和嵌入式處理產品和技術，加速包括軌道交通，電動汽車等方面的應用設計以助力中國新基建關鍵領域建設。合作還將拓展至太陽能和風能等可再生能源方面的應用，以響應中國在2060年實現碳中和的宏偉目標。德州儀器(TI)與中車株洲電力機車研究所合作備忘錄簽約儀式“新基建將推動中國城際軌道交通系統的快速
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德州儀器 GaN
基礎半導體器件領域的專家Nexperia今天宣布其第二代650 V功率GaN FET器件系列開始批量供貨。與之前的技術和競爭對手器件相比，新款器件具有顯著的性能優勢。全新的功率GaN FET具有低至35mΩ（典型值）的RDS(on)性能，適用于2 kW至10 kW的單相AC/DC和DC/DC工業開關模式電源(SMPS)，特別是必須滿足80 PLUS?鈦金級效率認證的服務器電源和高效率要求的電信電源。該器件也非常適合相同功率范圍內的太陽能逆變器和伺服驅動器。 全新650V H2功率GaN FET采用TO-2
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Nexperia MOSFET GaN
是德科技近日推出一款新型高性能微波手持式分析儀，可以加快 5G、雷達和衛星通信系統的安裝速度。是德科技提供先進的設計和驗證解決方案，旨在加速創新，創造一個安全互聯的世界。全球毫米波頻譜中的 5G 新空口（NR）業務持續增長，衛星通信系統的部署數量顯著上升，這對經濟高效的外場網絡測試、監控和故障診斷工具提出了更高的要求。是德科技的新型 FieldFox 微波手持式分析儀支持更高的頻率范圍，測量完整性可以媲美實驗室用的儀器。新型寬帶分析儀是一款緊湊、耐用的多功能工具，可供用戶安裝毫米波基礎設施，從而對外場網絡
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RF NR
任務關鍵型網絡和其他重要的企業基礎設施需要不斷從網絡時間服務器接收到準確的時間信息，才能保持可靠運行。但這些服務器易遭受到全球定位系統（GPS）干擾和欺騙這類的網絡安全威脅。Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）近日推出一項解決方案，通過將其BlueSky技術信號異常檢測軟件集成到SyncServer S600系列網絡時間服務器和儀器中，成功解決這一難題。Microchip是首家將GPS干擾和欺騙檢測和保護以及本地射頻（RF）數據記錄和分析完全集成在一個時間服務器內的公司。
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RF GPS
南方科技大學深港微電子學院擁有未來通信集成電路教育部工程研究中心以及深圳市第三代半導體器件重點實驗室，圍繞中國半導體產業鏈，培養工程專業人才，搭建跨國跨區域的校企合作與人才教育平臺，建立以工程創新能力為核心指標的多元化機制，致力于對大灣區乃至全國的集成電路產業發展提供強有力的支撐作用。其科研成果、產業推廣和人才培養成績斐然，在國產芯片發展浪潮中引人矚目。
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集成電路 微電子 氮化鎵器件 寬禁帶 IC GaN 202103
通過技術和Equipment Intelligence?（設備智能）的創新，Vantex?重新定義了高深寬比刻蝕，助力芯片制造商推進3D NAND和DRAM的技術路線圖。近日，泛林集團 近日發布了專為其最智能化的刻蝕平臺Sense.i?所設計的最新介電質刻蝕技術Vantex?。基于泛林集團在刻蝕領域的領導地位，這一開創性的設計將為目前和下一代NAND和DRAM存儲設備提供更高的性能和更大的可延展性。泛林集團Vantex?新型刻蝕腔室搭載其行業領先的Sense.i?刻蝕平臺3D存儲設備通
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RF
IDC預計，2021年全球物聯網支出將恢復兩位數的增長率，并在2020—2024年的預測期間實現11.3%的復合年增長率（CAGR）。機器對機器（M2M）通信采用UWB、WLAN、Zigbee、藍牙等低功耗網絡傳輸數據，推動著物聯網的普及。NB-IoT、LTE Cat-M等LPWAN技術和5G高效傳輸網絡的出現，也加速了物聯網的發展。3G和4G網絡促進了人與人之間的無線通信，而5G網絡則將連接范圍擴大到了“事物”之間，這一轉變促使人們開發多樣化的物聯網解決方案，應對各種各樣的行業和環境挑戰。徐蘇翔TE C
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連接器 RF
GaN（氮化鎵）作為新一代半導體材料，正有越來越廣泛的應用。近日，德州儀器（TI）宣布其首款帶集成驅動器、內部保護和有源電源管理的GaN FET，分別面向車用充電器和工業電源，可以實現2倍的功率密度和高達99%的效率。TI如何看待GaN在汽車和工業方面的機會？此次GaN FET的突破性技術是什么？為此，電子產品世界記者線上采訪了TI高壓電源應用產品業務部GaN功率器件產品線經理Steve Tom。TI高壓電源應用產品業務部GaN功率器件產品線經理Steve Tom1? ?GaN在電源領
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GaN FET SiC
John Grabowski：安森美半導體電源方案部門的首席應用和市場工程師，部門位于美國密歇根州安阿伯市。John Grabowski于2007年加入安森美半導體，此前他曾在福特汽車公司研究實驗室工作30年。他一直從事電路和軟件設計，應用于電氣、混合動力汽車和汽車動力總成系統。最近，他的團隊積極推動將高功率半導體應用于汽車電子化。引言為應對氣候變化，汽車減排降油耗勢在必行。如今，許多國家/地區的法律強制要求汽車制造商做出這些改變。為實現這一目標，其中一種方式就是采用混合動力，即在汽油或柴油車輛的傳動鏈中
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GaN 48V
無論是設計測試和測量設備還是汽車激光雷達模擬前端（AFE），使用現代高速數據轉換器的硬件設計人員都面臨高頻輸入、輸出、時鐘速率和數字接口的嚴峻挑戰。問題可能包括與您的現場可編程門陣列（FPGA）相連、確信您的首個設計通道將起作用或確定在構建系統之前如何對系統進行最佳建模。本文中將仔細研究這些挑戰。快速的系統開發開始新的硬件設計之前，工程師經常會在自己的測試臺上評估最重要的芯片。一旦獲得了運行典型評估板所需的設備，組件評估通常會在理想情況的電源和信號源下進行。TI大多數情況下會提供車載電源和時鐘，以便您可使
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RF AMI AFE FPGA ADC
延續9月4日以來的火熱行情，9月17日，A股第三代半導體概念股持續強勁，雙良節能、易事特漲停，多只概念股個股漲超7%。證券時報·e公司記者梳理發現，截至9月17日，已通過深交所互動易或公告形式披露公司確有第三代半導體產業鏈業務，或已積累相關技術專利等的A股公司共有45家，其中23家上市公司在第三代半導體方面有實際業務，或已出貨相關產品，但多數為小批量出貨，銷售收入占上市公司比例較小。三代半導體概念持續火熱近段時間以來，以碳化硅、氮化鎵、金剛石為代表的第三代半導體產業概念股異軍突起，成為低迷震蕩行情下一道亮
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第三代芯片 三代半導體 GaN
(?BUSINESS WIRE?)-- 高效率、高可靠性LED驅動器IC領域的知名公司Power Integrations 近日推出?LYTSwitch?-6?系列安全隔離型LED驅動器IC的最新成員 —— 適合智能照明應用的新器件LYT6078C。這款新的LYTSwitch-6?IC采用了Power Integrations的PowiGaN?氮化鎵(GaN)技術，在該公司今天同時發布的新設計范例報告 (?DER-920?) 中，展現了
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GaN IC PWM
新基建涵蓋了廣泛的領域，并對半導體電源設計提出了各種挑戰。其中最大的挑戰之一是要找到一種以更小尺寸和更低成本提供更多電力的方法。第二個挑戰是如何幫助設計師在這些競爭激烈的市場中脫穎而出。為應對這些挑戰，TI提供了多種解決方案。以下我將分享有關TI GaN解決方案的更多詳細信息。1 TI GaN概述：TI的集成GaN FET可用于工業和汽車市場的各類應用。TI GaN在一個封裝中集成高速柵極驅動器和保護功能，可提供優異的開關速度和低損耗。如今，我們的GaN應用于交流/直流電源和電機驅動器、電網基礎設施和汽車
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OBC GaN 202009
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