基于安森美半導體有源鉗位的NCP1568搭配GaN的65W PD電源適配器

電源適配器曾在電子產品中占據相當大的空間，而市場對于高功率密度的需求也正日益增高。過去硅(silicon)電源技術的發展與創新曾大幅縮減產品尺寸，但卻難有更進一步的突破。在現今的尺寸規格下，硅材料已無法在所需的頻率下輸出更高的功率。對于未來的5G無線網絡、機器人，以及再生能源至數據中心技術，功率將是關鍵的影響因素。GaN作為款能帶隙材質，在電子遷移率遠遠高于硅，輸出電容也大大小于硅，致使其可工作在更高頻率以致變壓器尺寸可以做的更小來實現更高功率的小尺寸電源。

?場景應用圖

?展示板照片

?方案方塊圖

?核心技術優勢

控制ZVS的頻率會隨著輸出電壓的改變而改變，可根據輸出條件自動調節死區時間，峰值電流控制模式

DCM & 輕載

· 可通過外部電阻設置進入DCM閾值

· 最小工作頻率是31KHz

· 采用quiet skip模式，降低空載噪聲

· 待機功耗 <  30mW

HV Startup

· 最大耐壓值達700V

· 單獨SW PIN偵測主MOS的Vds電壓實現ZVS

· 同時集成了BO與X2電容放電功能

Oscillator

· 可外部設置工作頻率從100 kHz 到 1 MHz

· 有軟起動功能

· 頻率抖動減少EMI干擾

?方案規格

· AC輸入范圍：90V-265VAC

· 功率密度=30W/in3

· 采用NCP1568（ACF控制器）+NCP51820（GaN 半橋驅動器）

· + GS-065-011-1-L（GaN HEMTS）

· 在滿載與輕載具有高效率

· 高工作頻率最高到450kHz

· 具有SCP和OCP保護功能

· 具有過熱保護和OVP保護功能

· 根據輸入與輸出條件自動調節工作頻率及工作模式

· 可ZVS偵測

· 平穩啟動