rc-igbt 文章最新資訊

電力電子技術(shù)突顯節(jié)能功效新型器件嶄露頭角

　　發(fā)展電力電子產(chǎn)業(yè)的首要意義在于節(jié)約電能，因此，高效率是我們對(duì)電力電子器件的基本要求。新型電力電子器件IGBT(絕緣柵雙極型功率管)已在工業(yè)控制、消費(fèi)電子、汽車電子等多個(gè)領(lǐng)域充當(dāng)了節(jié)能的“急先鋒”，而在新能源領(lǐng)域，電力電子器件也是不可或缺的元素。　　電力電子器件在其發(fā)展的初期(上世紀(jì)60年代-80年代)主要應(yīng)用于工業(yè)和電力系統(tǒng)。而近20年來，隨著4C產(chǎn)業(yè)(通信、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、汽車)的蓬勃發(fā)展，電力電子器件的應(yīng)用范圍有了大幅度的擴(kuò)展，其技術(shù)已成為航空、航天、火車、汽車、通信
關(guān)鍵字：電力電子 IGBT 新能源節(jié)能

24位高性能模數(shù)轉(zhuǎn)換器ADS1274及其應(yīng)用

4種可選工作模式：高速模式為128 Ks／s，信噪比106 dB；高精度模式為52 Ks／s，信噪比111 dB；低功耗模式為52 ks／s，31 mW／通 ...
關(guān)鍵字：模數(shù)轉(zhuǎn)換器引腳線性相位輸入狀態(tài) 調(diào)制器 HTQFP RC 奈奎斯特 AINP Ks

Zetex推出全新ZXGD3000雙極柵極驅(qū)動(dòng)器系列

　　Zetex Semiconductors (捷特科) 推出全新ZXGD3000雙極柵極驅(qū)動(dòng)器系列，用于開關(guān)電源和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中的MOSFET及IGBT。低成本的ZXGD3000系列能灌入高達(dá)9A的電流，柵極電容的充、放電速度比柵極驅(qū)動(dòng)器IC更快，有助于加快開關(guān)時(shí)間，提高電路效率。　　該系列包含4款高速非反向柵極驅(qū)動(dòng)器，電源電壓范圍為12V至40V。其快速開關(guān)射極跟隨器配置，實(shí)現(xiàn)了小于2ns的傳播延遲和大約10ns的上升/下降時(shí)間，有效改善了對(duì)MOSFET開關(guān)性能的控制。ZXGD3000還能防止鎖定，
關(guān)鍵字： Zetex ZXGD3000 MOSFET IGBT

讀取隔離端數(shù)字狀態(tài)無需附加電源(06-100)

　　電子系統(tǒng)常常要求其輸入電路或輸出電路必須與主控回路的進(jìn)行隔離,比如在醫(yī)療產(chǎn)品中，基于安全性考慮，連接到病人身上的輸入傳感器或激勵(lì)源必須與后級(jí)處理電路隔離,當(dāng)然需要隔離的應(yīng)用場(chǎng)合還很多，如采集爆炸現(xiàn)場(chǎng)參數(shù)的電路同樣需要與后級(jí)完全隔離，等等。　　在這些應(yīng)用中,通常需要采集被隔離電路的數(shù)字線上的一些狀態(tài)參數(shù), 傳統(tǒng)的辦法是采用光耦得以實(shí)現(xiàn).然而采用光耦有許多局限性:首先,它要消耗隔離端電路許多電流,其次轉(zhuǎn)換時(shí)間長(zhǎng)(或動(dòng)態(tài)響應(yīng)慢)，再者,隨著光發(fā)射器老化，其光電轉(zhuǎn)換增益將隨時(shí)間減小。　　采用圖1所示電
關(guān)鍵字： Maxim MOSFET RC DATA_IN

3G手機(jī)技術(shù)發(fā)展與設(shè)計(jì)架構(gòu)(3)

2.RTD（NFCRecordTypeDefinition）技術(shù)規(guī)格－規(guī)范、定義用于信息（Message）的資料記錄型態(tài)，「信息」主要是用在合...
關(guān)鍵字： NFC 速率模式 i-Cash RC 介面交通票務(wù) 晶片 Philips Format 感應(yīng)式智能卡

普爾盛自主產(chǎn)品參展--PSHI 3系列IGBT驅(qū)動(dòng)器

PSHI 3系列IGBT驅(qū)動(dòng)器是基于具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的ASIC而設(shè)計(jì)的智能型1700V雙路IGBT驅(qū)動(dòng)器，包括邏輯信號(hào)處理的ASIC PSD001，門極驅(qū)動(dòng)的ASIC PSD002。集成了電平選擇、邏輯信號(hào)處理、故障鎖存及處理、短路保護(hù)、欠壓保護(hù)、互鎖、電氣隔離、DC/DC隔離電源等，工作溫度范圍為－45℃~＋85℃，其中: PSHI 302適用于200A以下的IGBT驅(qū)動(dòng)； PSHI 332適用于150A-800A的IGBT驅(qū)動(dòng)； PSHI 362適用于400A-1200A的IGBT。驅(qū)動(dòng)
關(guān)鍵字：普爾盛 IGBT 驅(qū)動(dòng)器

用于功率變換器的IGBT驅(qū)動(dòng)核心電路

　　除了功率模塊以外，每個(gè)電力電子系統(tǒng)都還有另外一個(gè)關(guān)鍵部件就是IGBT驅(qū)動(dòng)電路，它們是功率晶體管和控制器之間非常重要的接口電路。因此，選擇適當(dāng)?shù)尿?qū)動(dòng)電路就和逆變器整體方案的可靠性緊密相關(guān)。與此同時(shí)，驅(qū)動(dòng)電路還應(yīng)該具備最廣泛的系統(tǒng)適應(yīng)性和用戶接口友好性。　　例如，在一個(gè)電力電子逆變器中，微控制器提供系統(tǒng)正確運(yùn)行所需要的數(shù)字信號(hào)。IGBT驅(qū)動(dòng)電路的功能就是將來自于微控制器的信號(hào)轉(zhuǎn)換成具有足夠功率的驅(qū)動(dòng)信號(hào)，來保證IGBT安全地關(guān)斷與開通。另一方面，IGBT驅(qū)動(dòng)電路為微控制器和功率晶體管之間的電壓提供電氣
關(guān)鍵字： IGBT SKYPER

三電平逆變器IGBT驅(qū)動(dòng)電路電磁兼容研究

分析了三電平逆變器系統(tǒng)中IGBT驅(qū)動(dòng)電路的主要干擾源及耦合途徑，在此基礎(chǔ)上對(duì)lGBT驅(qū)動(dòng)電路EMC設(shè)計(jì)的一些問題進(jìn)行了研究，重點(diǎn)討論了光纖傳輸信號(hào)、輔助電源設(shè)計(jì)、瞬態(tài)噪聲抑制以及PCB的抗干擾設(shè)計(jì)等問題，并給出了設(shè)計(jì)方案。
關(guān)鍵字：電磁兼容研究電路驅(qū)動(dòng) 逆變器 IGBT 電平

IC卡智能燃?xì)獗淼牡凸脑O(shè)計(jì)

在用戶使用燃?xì)鈺r(shí)，單片機(jī)進(jìn)入運(yùn)行模式，而停止使用燃?xì)庖欢螘r(shí)間后，便進(jìn)入睡眠模式，因此IC卡智能燃?xì)獗砜沙?..
關(guān)鍵字：智能燃?xì)獗?/a> 續(xù)流二極管 IC卡系列單片機(jī) 瞬態(tài)電流電壓監(jiān)測(cè) 信息讀寫儲(chǔ)能 RC 芯片

三菱電機(jī)第五代IGBT模塊將亮相于電子展

三菱電機(jī)將攜同多種系列的第五代IGBT模塊，在3月18至20日于上海新國(guó)際博覽中心舉行之2008慕尼黑上海電子展（展位5102）上，為不同領(lǐng)域的客戶提供與其相應(yīng)的應(yīng)用解決方案。 ? 三菱電機(jī)采用最新開發(fā)的載流子存儲(chǔ)式溝槽型雙極晶體管（Carrier Stored Trench-gate Bipolar Transistor，CSTBTTM）功率硅片，實(shí)現(xiàn)了第五代IGBT模塊的產(chǎn)品化，其具有低損耗、低飽和壓降、高功率循環(huán)和壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)。分別針對(duì)不同應(yīng)用開發(fā)了A、 NF、 NFM、NFH和NX系
關(guān)鍵字：三菱 IGBT 電子展 200802

開關(guān)電源技術(shù)發(fā)展的十個(gè)關(guān)注點(diǎn)

上世紀(jì)60年代，開關(guān)電源的問世，使其逐步取代了線性穩(wěn)壓電源和SCR相控電源。40多年來，開關(guān)電源技術(shù)有了飛迅發(fā)展和變化，經(jīng)歷了功率半導(dǎo)體器件、高頻化和軟開關(guān)技術(shù)、開關(guān)電源系統(tǒng)的集成技術(shù)三個(gè)發(fā)展階段。
關(guān)鍵字：開關(guān)電源，IGBT 碳化硅 AC/DC

用于有源電力濾波器的IGBT驅(qū)動(dòng)及保護(hù)研究

　　l 前言　　絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(IGBT)作為一種復(fù)合型器件，集成了MOSFET的電壓驅(qū)動(dòng)和高開關(guān)頻率及功率管低損耗、大功率的特點(diǎn)，在電機(jī)控制、開關(guān)電源、變流裝置及許多要求快速、低損耗的領(lǐng)域中有著廣泛的應(yīng)用。本文對(duì)應(yīng)用于有源電力濾波器的IGBT的特性及其專有EXB84l型驅(qū)動(dòng)器的設(shè)計(jì)進(jìn)行討論，并提出一種具有完善保護(hù)功能的驅(qū)動(dòng)電路。　　有源電力濾波器設(shè)計(jì)中應(yīng)用4個(gè)IGBT作為開關(guān)，并用4個(gè)EXB84l組成驅(qū)動(dòng)電路，其原理如圖l所示。在實(shí)驗(yàn)中，根據(jù)補(bǔ)償電流與指令電流的關(guān)系，用數(shù)字信號(hào)處理器(DSP
關(guān)鍵字： IGBT MOSFET 場(chǎng)效應(yīng)晶體管電源

IGBT的保護(hù)

　　將IGBT用于變換器時(shí)，應(yīng)采取保護(hù)措施以防損壞器件，常用的保護(hù)措施有：　　（1）通過檢出的過電流信號(hào)切斷門極控制信號(hào)，實(shí)現(xiàn)過電流保護(hù)；　　（2）利用緩沖電路抑制過電壓并限制du/dt；　　（3）利用溫度傳感器檢測(cè)IGBT的殼溫，當(dāng)超過允許溫度時(shí)主電路跳閘，實(shí)現(xiàn)過熱保護(hù)。　　下面著重討論因短路而產(chǎn)生的過電流及其保護(hù)措施。　　前已述及，IGBT由于寄生晶閘管的影響，當(dāng)流過IGBT的電流過大時(shí)，會(huì)產(chǎn)生不可控的擎住效應(yīng)。實(shí)際應(yīng)用中應(yīng)使IGBT的漏極電流不超過額定電流，以避免出現(xiàn)擎住現(xiàn)
關(guān)鍵字： IGBT 半導(dǎo)體材料

絕緣柵雙極晶體管（IGBT）

一、IGBT的工作原理　　電力MOSFET器件是單極型（N溝道MOSFET中僅電子導(dǎo)電、P溝道MOSFET中僅空穴導(dǎo)電）、電壓控制型開關(guān)器件；因此其通、斷驅(qū)動(dòng)控制功率很小，開關(guān)速度快；但通態(tài)降壓大，難于制成高壓大電流開關(guān)器件。電力三極晶體管是雙極型（其中，電子、空穴兩種多數(shù)載流子都參與導(dǎo)電）、電流控制型開關(guān)器件；因此其通-斷控制驅(qū)動(dòng)功率大，開關(guān)速度不夠快；但通態(tài)壓降低，可制成較高電壓和較大電流的開關(guān)器件。為了兼有這兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，棄其缺點(diǎn)，20世紀(jì)80年代中期出現(xiàn)了將它們的通、斷機(jī)制相結(jié)合的新一代半導(dǎo)
關(guān)鍵字： IGBT 半導(dǎo)體材料

2SD315A在驅(qū)動(dòng)大功率IGBT中的應(yīng)用

　　引言　　IGBT常用的驅(qū)動(dòng)模塊有TLP250，以及EXB841/840系列的驅(qū)動(dòng)模塊。但在燃料電池城市客車DC/DC變換器的研制過程中發(fā)現(xiàn)，由于車載DC/DC變換器常常工作在大功率或超大功率的狀態(tài)中，而處在這種狀態(tài)下的IGBT瞬時(shí)驅(qū)動(dòng)電流大，要求可靠性要高，使得傳統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)電路已經(jīng)不能滿足其使用要求，經(jīng)過研究分析，選用瑞士CONCEPT公司生產(chǎn)的用于驅(qū)動(dòng)和保護(hù)IGBT或功率MOSFET的專用集成驅(qū)動(dòng)模塊2SD315A作為大功率IGBT(800A/1200V)的驅(qū)動(dòng)器件，該驅(qū)動(dòng)器集成了智能驅(qū)動(dòng)、自檢、
關(guān)鍵字：模擬技術(shù) 電源技術(shù) IGBT 2SD315A 模擬IC 電源