- 中國最大的大尺寸功率半導體器件研發及產業化基地近日在湖南株洲正式投產。長期以來，高端半導體器件技術和市場一直被國外壟斷，該基地的投產運行將加速推動國產化大功率半導體器件產業化進程。
大尺寸功率半導體器件(晶閘管、IGBT、IGCT均屬于大尺寸功率半導體器件)是變流器的關鍵元件，被譽為電力電子產品的“CPU”，廣泛用于軌道交通、電力(高壓直流輸電、風力發電)、化工、冶煉等領域。長期以來，國內高端半導體器件技術和產品主要依靠進口，價格昂貴，嚴重制約民族工業的快速發展。
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半導體 晶閘管 IGBT
- 從普通串級調速原理入手，簡要分析影響串級調速系統功率因數的主要因素。對三相四線雙晶閘管串級調速、新型GTO串級調速等高功率方案分析與比較的基礎上，提出了一種新型三相四線制雙IGBT串級調速控制方案。
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IGBT 斬波 串級調速 系統
- 英飛凌科技股份公司在功率電子半導體分立器件和模塊領域連續第六年穩居全球第一的寶座。據IMS Research公司2009年發布的《功率半導體分立器件和模塊全球市場》報告稱，2008年，此類器件的全球市場增長了1.5%，增至139.6億美元(2007年為137.6億美元)，而英飛凌的增長率高達7.8%。現在，英飛凌在該市場上占據了10.2%的份額，其最接近的競爭對手份額為6.8%。在歐洲、中東和非洲地區以及美洲，英飛凌也繼續獨占鰲頭，分別占據了22.8%和11.2%的市場份額。
隨著汽車、消費和工
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英飛凌 IGBT MOSFET
- 經濟領域有兩大活躍因子：技術與資本。走進鳳凰半導體科技有限公司，你可以感受到這兩大活躍因子結合后迸發出的強勁效應。這家注冊于2008年7月的“530”企業，一期工廠已開始安裝設備。今年9月正式投產后,其生產的可提高能源使用效率的IGBT系列芯片將填補國內空白，告別同類產品依賴進口的局面。
剛滿“周歲”的鳳凰半導體就將進入產業化階段,其速度令人驚奇，但在總經理屈志軍看來,這一局面的形成并不意外。原因有二：一是所率留美博士團隊擁有國際一流技術;二是擁有
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變頻開關 IGBT
- IGBT綜述
1．1 IGBT的結構特點
IGBT是大功率、集成化的“絕緣柵雙極晶體管”(Insulated Gate Bipolar Transistor)。它是80年代初集合大功率雙極型晶體管GTR與MOSFET場效應管的優點而發展的一種新型復合電子器
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IGBT 600 系統 逆變器
- 引 言 多絕緣柵雙極型晶體管IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種由雙極型晶體管與MOSFET組合的器件，它既具有MOSFET的柵極電壓控制快速開關特性，又具有雙極型晶體管大電流處理能力和低飽和壓降的特
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電路 研究 保護 驅動 EXB841 IGBT 基于 電源
- 在日益增長的變頻器市場，許多廠商提供性能和尺寸各異的變換器類型。這正是以低損耗和高開關頻率而著稱的新IGBT技術施展的舞臺。在62毫米（當前模塊的標準尺寸）模塊中使用新IGBT技術使用戶可以因不必改變其機械
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IGBT 性能
- 摘要：本文通過分析IGBT的結構及其安全工作區，解釋了在實際應用中可能造成其損壞的原因，并利用硬件電路結合單片機的控制程序對弧焊逆變電源的IGBT采取相應措施進行保護，從而確保了IGBT安全可靠的工作。 敘詞：IGB
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技術 保護 IGBT 逆變電源 大功率 電源
- 摘要：絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）是應用廣泛的功率半導體器件，驅動器的合理設計對于IGBT的有效使用極為重要。本文就利用柵極電荷特性的考慮，介紹了一些計算用于開關IGBT的驅動器輸出性能的方法。 敘詞：IGBT，驅動
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計算 性能 輸出 驅動器 IGBT
- 新聞事件：
韓國LS與英飛凌科技共同成立LS Power Semitech Co., Ltd
事件影響：
將使英飛凌和LSI得以加速進入高效能家電、低功率消費與標準工業應用等前景好的市場
LS預計于2010年1月在天安市的生產基地開始量產CIPOS模塊
韓國LS Industrial Systems與英飛凌科技(Infineon)共同成立了一家合資公司──LS Power Semitech Co., Ltd，將聚焦于白色家電壓模電源模塊的研發、生產與行銷。
合
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英飛凌 IGBT CIPOS 射極控制二極管技術 SOI
- 6月4日，為期3天的“PCIM China 2009”展會在上海光大會展中心落下帷幕。在展會期間，國內外知名功率半導體廠商向與會觀眾展示了眾多新產品和高能效解決方案;同時，參展企業也紛紛表示對中國功率半導體的市場前景充滿信心。
新產品亮相PCIM展
一年一度的PCIM展是功率半導體領域的盛會，同時也是業內企業展示新技術、新產品的舞臺。在今年的展會上，英飛凌推出IGBT(絕緣柵雙極晶體管)MIPAQ base模塊，該模塊是變頻器的核心部件。在傳統的變頻器中，通常要在I
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英飛凌 IGBT DIPIPM
- 目前，混合動力汽車是大規模應用新能源汽車的切入點。功率半導體器件與模塊在混合動力汽車中起著不可替代的作用。除降低成本之外，混合動力汽車還需要在電池、電動、傳動及電氣系統等方面得到改善。
節能和環保的雙重需求使得新能源汽車在全球范圍內日益引起業界的重視，在最近的國際汽車展上，多家汽車企業推出了電動和混合動力汽車，這預示著新能源汽車即將進入真正的商用階段。如今，中國對于新能源汽車的推廣也進入了一個關鍵時期，今年2月，財政部、科技部發出《關于開展節能與新能源汽車示范推廣試點工作的通知》，推廣節能與
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新能源 IGBT F-RAM 混合動力
- 在2009年紐倫堡PCIM展會上，英飛凌科技股份公司宣布推出全新的Smart系列IGBT(絕緣柵雙極晶體管)模塊。Smart 模塊封裝采用自動壓接裝配工藝，僅需一個螺釘通過單步安裝流程可將模塊安裝到印刷電路板和散熱器上。通過提供高可靠性壓接技術，英飛凌滿足了功率高達55 kW逆變器的設計要求。Smart模塊能夠優化功率變換器的解決方案，應用于通用變頻器、不間斷電源(UPS)、感應加熱和焊接設備、太陽能逆變器及空調系統中。
安全、簡單的自動壓接裝配
壓接工藝結合自動裝配技術的革命性創新簡化了
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infineon IGBT 壓接
- 1 前言 用于控制、調節和開關目的的功率半導體器件需要更高的電壓和更大的電流。功率半導體器件的開關動作受柵極電容的充放電控制。而柵極電容的充放電通常又受柵極電阻的控制。通過使用典型的+15V控制電壓（VG(
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IGBT 柵極電阻 開關
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