科研投資
日本資深專業(yè)人士泉谷涉還說：2012年日本國內半導體產值約5萬億日元，占GDP的5%，但它對應用半導體的服務業(yè)、硬件業(yè)以及通過IT業(yè)以提高生產力的下游產業(yè)來計算，半導體產生的經濟效益約為100萬億日元 ，兩者之比達到1：20，如此給力，誰不動心?!但是，半導體業(yè)又一向被稱為“食金蟲”產業(yè)，沒有國家的大力支持，沒有生產設備和科研經費的巨大投入，那是美夢難圓的。
半導體設備投資也是引導世界經濟增長的要素之一，它每年投資計劃的發(fā)表還常關聯到生產設備、材料公司的股
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半導體 NAND IC 201405
智慧之石 作為電子工業(yè)發(fā)展基礎的電子器件，已經歷了三個巨大變革時代：1.?電子管時代――1905～1947(42年);2.?晶體管時代――1947～1958(11年);3.?集成電路時代――1958～…(到2014年已有56年)。 電子管的發(fā)明拉開了電子時代的序幕，為當時蓬勃發(fā)展的無線電報事業(yè)提供了核心器件，在它存在的40多年的時間里，推動了收音機、電視機、雷達、計算機的發(fā)明和應用。美國是電子工業(yè)發(fā)展的代表，1920年即開始廣播，也是30年代最早開始電視廣播的國家之一
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NAND DRAM PC 201404
全球市場研究機構TrendForce 旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange 表示，在NAND Flash業(yè)者原先對于 2013年第四季終端裝置出貨過于樂觀，導致產出成長高于后續(xù)實際需求而讓市況呈現供過于求，以及SK海力士(Hynix)火災影響 NAND 產能調配等因素下，2013年第四季 NAND Flash 品牌供應商營收較第三季下滑4.5%，來到61億6,800萬美元。
2013年全年整體市況與供需產銷較2012年改善不少，因此第四季營收較 2012年同期增加16%;DRAMeXch
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NAND DRAM
存儲器大廠美光擴大委外封裝合作，東芝新廠可望今年量產。日月光、力成、南茂、華東等臺廠積極布局，今年存儲器封測競爭卡位，勢必激烈。
展望今年，國際存儲器大廠集中資源開發(fā)前端制程，包括動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)和快閃存儲器(Flash)后段封測可能擴大委外，封測臺廠考量自身發(fā)展，積極與國際大廠洽商合作。
美光(Micron)去年以20億美元買下日本存儲器大廠爾必達(Elpida)，提高美光全球DRAM市占率約1倍。
為進一步集成DRAM封測業(yè)務，去年下半年美光著手洽商DRAM后段封測
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存儲器 NAND
武漢新芯集成電路制造公司(XMC)2006成立，2012年底起獨立經營，是國有制企業(yè)。為了區(qū)別于本土的制造巨頭SMIC(中芯國際)和華力微電子(HLMC)等，XMC將立足存儲器制造。近日，武漢新芯董事長王繼增告訴筆者。
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XMC 存儲器 NOR NAND 201401
武漢新芯集成電路制造公司(XMC)是地方政府投資的半導體企業(yè)，2006年由湖北省、武漢市、武漢市東湖高新區(qū)投資，并由東湖高新區(qū)管理的全資國有企業(yè)，前幾年委托SMIC(中芯國際)經營管理，從2012年底起獨立經營。
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XMC 存儲器 NAND
東京—東芝公司(TOKYO：6502)日前宣布推出新型嵌入式NAND閃存模塊(e·MMC)，該模塊整合了采用19納米第二代工藝技術制造的NAND芯片。同時該模塊符合最新的e·MMC?[1]標準，旨在應用于智能手機、平板電腦和數字攝像機等廣泛的數字消費品。批量生產將從11月底開始。
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東芝 嵌入式 NAND
摘要: NAND Flash應用的困難在于管理和需要特殊的系統接口。本文介紹了一種利用MCU存儲器管理接口結合I/O口來實現NAND Flash存儲結構的搭建和管理的方法，并介紹底層的驅動程序。
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Flash 嵌入式 MCU 存儲器 NAND 寄存器 201312
全球整合式芯片解決方案的領導廠商美滿電子科技(Marvell，納斯達克代碼：MRVL)日前宣布，其完備的整合式芯片與軟件定義解決方案組合將繼續(xù)加速實現全球消費者和企業(yè)的“美滿互聯生活(Connected Lifestyle)”。當前，Marvell擁有豐富的端到端存儲、網絡、計算、移動和聯網解決方案，在行業(yè)中占據著獨一無二的領導地位。
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Marvell 固態(tài)硬盤 NAND
與多年前相比，現在的移動消費電子裝置結構復雜，功能豐富，能夠存儲大量音樂、照片和視頻內容。讓人欣慰的是，存儲...
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NAND 移動設備 大容量存儲
市調機構集邦科技預期，第4季儲存型快閃存儲器(NANDFlash)供過于求情況可望趨緩，10月合約價看漲。
集邦科技表示，海力士(Hynix)中國大陸無錫廠發(fā)生火災意外，不僅帶動動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)價格飆漲，同時激勵9月NANDFlash合約價上漲3%至6%。
集邦科技指出，盡管NANDFlash市場銷售并無好轉跡象，不過，海力士無錫廠復工情況依然混沌不明，NANDFlash供給將連帶受到影響，預期第4季NANDFlash市場供過于求情況可望趨緩。
集邦預期，近期1至2個月
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快閃存儲器 NAND
燒寫前提：已經把FS2410開發(fā)板的S3C2410_BIOS.bin通過JTAG燒到了NOR里面了，這樣我們從NOR啟動才可以使用US...
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DNW USB uboot nand
編者按：8月初，Spansion宣布兩項重大舉措：一，完成對富士通微控制器(MCU)和模擬業(yè)務的收購;二，簽署與XMC(武漢新芯集成電路制造公司)的技術許可協議。可見，Spansion由最大的獨立閃存公司變身為多元產品公司，并且加深與中國代工廠的合作。是什么促使Spansion做此決定?Spansion對華戰(zhàn)略如何?
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富士通 Spansion MCU NAND 201309
三星電子在存儲技術上的領先的確無可匹敵，今天又宣布已經批量投產全球第一個采用3D垂直設計的NAND閃存“V-NAND”。這年頭，3D堆疊已經成了潮流，處理器、內存什么的都要堆起來。
三星的V-NAND單顆芯片容量128Gb(16GB)，內部采用三星獨有的垂直單元結構，通過3D CTF電荷捕型獲閃存技術、垂直互連工藝技術來連接3D單元陣列。
三星稱，這種新閃存的拓展能力是普通2xnm平面型閃存的兩倍以上，可靠性提升最少2倍、最多10倍，而且寫入性能也可達到1xnm N
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三星 V-NAND
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