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        qlc nand 文章 最新資訊

        9月上旬NAND Flash合約價(jià)出現(xiàn)穩(wěn)定格局

        •   根據(jù)集邦科技(TrendForce)旗下研究部門DRAMeXchange的調(diào)查,隨著部份系統(tǒng)產(chǎn)品客戶自9月起,已開始準(zhǔn)備4Q11新機(jī)型上市所需的庫存回補(bǔ)所需。9月上旬主流的MLC NAND Flash合約價(jià)大致維持平盤,雖然記憶卡及UFD通路市場的需求仍然相對(duì)平淡,但也已呈現(xiàn)止跌回穩(wěn)的狀況。
        • 關(guān)鍵字: 集邦科  NAND  記憶卡  

        ultrabook帶來新契機(jī) NAND Flash需求9月或回溫

        •   根據(jù)集邦科技(TrendForce)旗下研究部門 DRAMeXchange 的調(diào)查,市場預(yù)期 NAND Flash 部份系統(tǒng)產(chǎn)品客戶為因應(yīng)新產(chǎn)品上市庫存回補(bǔ)需求,9月份可望逐漸開始回溫。因此,8月下旬 NAND Flash 合約價(jià)格出大多呈現(xiàn)持平,但記憶卡及U盤(UFD)通路市場的需求仍然相對(duì)疲軟,所以128Gb TLC合約均價(jià)格仍然下跌5%。此外,部份供貨商已將部份32Gb MLC的產(chǎn)量轉(zhuǎn)為生產(chǎn)64Gb MLC,故32Gb MLC在市場供給減少下合約均價(jià)小漲約3%。
        • 關(guān)鍵字: ultrabook  NAND  

        第二季度NAND閃存銷售額下降4.3%

        •   據(jù)IHS iSuppli公司的閃存市場報(bào)告,由于一家大型廠商的銷售額下降,第二季度NAND閃存市場意外下滑。   根據(jù)最終數(shù)據(jù),第二季度全球NAND銷售額為47億美元,比第一季度的49億美元下降4.3%。該市場降幅大于預(yù)期,主要是因?yàn)闁|芝第二季度銷售額銳減了21.4%至14億美元。東芝是全球第二大NAND生產(chǎn)商,僅次于韓國三星電子。
        • 關(guān)鍵字: IHS iSuppli  NAND  

        第二季度NAND閃存銷售額下降4.3%

        •   據(jù)IHS iSuppli公司的閃存市場報(bào)告,由于一家大型廠商的銷售額下降,第二季度NAND閃存市場意外下滑。   根據(jù)最終數(shù)據(jù),第二季度全球NAND銷售額為47億美元,比第一季度的49億美元下降4.3%。該市場降幅大于預(yù)期,主要是因?yàn)闁|芝第二季度銷售額銳減了21.4%至14億美元。東芝是全球第二大NAND生產(chǎn)商,僅次于韓國三星電子。東芝銷售額大幅下降,拖累了整體市場,如表1所示。  
        • 關(guān)鍵字: 三星  NAND  

        出貨不如預(yù)期 閃存芯片價(jià)格小幅下跌

        •   受到諸多全球總體經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇的不確定變數(shù)干擾,2011部份的NAND Flash終端應(yīng)用產(chǎn)品出貨量將不如預(yù)期,及3Q11受過剩庫存去化影響而使傳統(tǒng)備貨旺季效應(yīng)遞延等因素的綜合影響下,8月上旬NANDFlash芯片市場買氣依然疲弱,但某些系統(tǒng)客戶的OEM訂單需求相對(duì)于記憶卡及UFD通路市場需求仍相對(duì)地穩(wěn)定,因此,MLCNAND Flash芯片合約均價(jià)小跌約1-2%,而TLCNAND Flash芯片合約均價(jià)則下跌約4-7%。  
        • 關(guān)鍵字: 閃存芯片  NAND  

        下一代光刻技術(shù)延遲 NAND成長或趨緩

        •   在日前的一場閃存高峰會(huì)中,SanDisk公司的技術(shù)長Yoram Cedar指出,下一代光刻技術(shù)的延遲,將導(dǎo)致NAND閃存的成長趨緩。市場原先對(duì)閃存的展望都相當(dāng)樂觀,但Cedar表示,由于超紫外光(EUV)光刻技術(shù)的延遲,閃存的成長可能需要再評(píng)估。  
        • 關(guān)鍵字: SanDisk  NAND  

        東芝芯片業(yè)務(wù)業(yè)績可能達(dá)不到預(yù)期

        •   全球第二大閃存制造商?hào)|芝公司(Toshiba Corp)周三警告說,由于PC市場不景氣,美國和歐洲等經(jīng)濟(jì)體持續(xù)動(dòng)蕩以及日元強(qiáng)勢等原因,該公司芯片業(yè)務(wù)的利潤可能達(dá)不到預(yù)期。
        • 關(guān)鍵字: 東芝  芯片  NAND  

        NAND Flash合約價(jià)續(xù)跌

        •   據(jù)韓國電子新聞報(bào)導(dǎo),計(jì)算機(jī)用DRAM芯片價(jià)格快速下跌,NAND Flash合約價(jià)也從6月起出現(xiàn)陡峭跌幅,2個(gè)月內(nèi)出現(xiàn)2011年來最低價(jià)2美元紀(jì)錄。下半年則因智能型手機(jī)(Smartphone)與平板計(jì)算機(jī) (Tablet PC)新品陸續(xù)問世,可望帶動(dòng)NAND Flash價(jià)格回升。
        • 關(guān)鍵字: NAND  DRAM芯片  

        存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)群雄割據(jù)時(shí)代將再度來臨

        •   隨著存儲(chǔ)器容量越來越大,NANDFlash產(chǎn)業(yè)制程在進(jìn)入20納米制程后,也開始遇到瓶頸,業(yè)界在未來制作更大容量存儲(chǔ)器上,面臨是否繼續(xù)發(fā)展納米的抉擇。日本方面盡管在微縮的技術(shù)上些微領(lǐng)先最大競爭對(duì)手公司韓國三星電子(SamsungElectronics),但短期內(nèi)該技術(shù)也將可能面臨瓶頸,因此如東芝(Toshiba)及爾必達(dá)(Elpida)等公司,均已決定投入3D存儲(chǔ)器的開發(fā)。
        • 關(guān)鍵字: 三星  存儲(chǔ)器  NAND  

        納米制程遇瓶頸 業(yè)者紛紛投入3D存儲(chǔ)器的開發(fā)

        •   隨著存儲(chǔ)器容量越來越大,NAND Flash產(chǎn)業(yè)制程在進(jìn)入20納米制程后,也開始遇到瓶頸,業(yè)界在未來制作更大容量存儲(chǔ)器上,面臨是否繼續(xù)發(fā)展納米的抉擇。日本方面盡管在微縮的技術(shù)上些微領(lǐng)先最大競爭對(duì)手公司韓國三星電子(Samsung Electronics),但短期內(nèi)該技術(shù)也將可能面臨瓶頸,因此如東芝(Toshiba)及爾必達(dá)(Elpida)等公司,均已決定投入3D存儲(chǔ)器的開發(fā)。  
        • 關(guān)鍵字: 爾必達(dá)  NAND  

        今年游戲主機(jī)NAND flash內(nèi)存密度提高40%

        •   內(nèi)存的成本高昂,今年 NAND 在家庭主機(jī)和手持設(shè)備上的密集度仍將提高 40% 以上,而這是游戲最主要的游戲環(huán)境。   今年家用游戲主機(jī)的 NAND 平均密度預(yù)計(jì)達(dá) 923MB,較去年的 649MB 提高 42.2%。今年手持游戲設(shè)備的 NAND 平均密度則預(yù)計(jì)自去年的 87MB 增長 41.4%,達(dá) 123MB。   
        • 關(guān)鍵字: Sony  NAND  

        LSI推出CacheVault Flash高速緩存保護(hù)技術(shù)

        •   LSI公司日前宣布推出一款 MegaRAID CacheVault技術(shù),用于為 LSI MegaRAID 6Gb/s SATA+SAS RAID 控制卡提供基于閃存的高速緩存保護(hù)功能。MegaRAID CacheVault 采用固態(tài) NAND 閃存,能夠在電源發(fā)生故障的時(shí)候自動(dòng)將高速緩存中的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)移到閃存中,從而為存儲(chǔ)在 RAID 控制器緩存中的數(shù)據(jù)提供強(qiáng)大的保護(hù)。CacheVault 技術(shù)避免了采用鋰離子電池的麻煩,并可節(jié)約相關(guān)的硬件維護(hù)成本,從而實(shí)現(xiàn)更環(huán)保、總體成本更低的高速緩存保護(hù)解決方案。
        • 關(guān)鍵字: LSI  NAND  

        2011年NAND閃存密度將增長40%以上

        •   據(jù)IHS iSuppli公司的NAND閃存研究報(bào)告,盡管NAND閃存成本較高妨礙其進(jìn)入游戲硬件,但2011年家庭游戲機(jī)與手持游戲機(jī)中的NAND密度將增長40%以上。   
        • 關(guān)鍵字: 索尼  NAND  

        三星電子韓國新NAND廠預(yù)計(jì)9月投產(chǎn)

        •   三星電子一家新的存儲(chǔ)半導(dǎo)體制造廠將于9月投入運(yùn)營。消息人士說,新廠編號(hào)為“Line-16”,主要生產(chǎn)NAND芯片。   2010年5月時(shí),三星在韓國京畿道(Gyeonggi Province)華城(Hwaseong)破土動(dòng)工,建立新的工廠。此前三星曾透露說,Line-16工廠月產(chǎn)20萬片12寸圓晶。
        • 關(guān)鍵字: 三星  NAND  

        東芝和SanDisk日本建第3個(gè)NAND半導(dǎo)體工廠

        •   日前東芝和SanDisk在日本建立了第三家半導(dǎo)體工廠,以應(yīng)對(duì)智能手機(jī)和平板電腦的快速發(fā)展而帶來的對(duì)閃存芯片的大量需求。該工廠主要生產(chǎn)300毫米晶片NAND半導(dǎo)體,工廠名稱為“Fab 5”。
        • 關(guān)鍵字: 東芝  NAND  
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