IC Insights日前發布報告指出,由于COVID-19造成的隔離和短缺因素,使得2021年全球光電組件產品、傳感器和致動器,以及離散組件 (O-S-D)的銷售額,均出現創紀錄的成長。但CMOS影像傳感器卻因美中對抗和某些系統因素,沒有相對應的結果。 根據IC Insights一月半導體產業報告,2021年OSD總收入首次突破1000億美元,與2020年的883億美元相比,增加18%至1042億美元,當時三個市場的總銷售額成長不到3 %。報告顯示,OSD總銷售額占2021年全球6139億美元半導體市場
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?IC Insights 傳感器 致動器 離散組件
12月10日,第五屆“芯動北京”中關村IC產業論壇、“華為杯”第四屆中國研究生創“芯”大賽決賽開幕式以線上云會議的方式召開。今年是“十四五”規劃開局之年,本次會議在北京市委書記蔡奇提出的“舉全市之力做大做強集成電路產業”指示精神的背景下,高度聚焦集成電路產業發展,邀請了來自國內外“政產學研用”領域嘉賓齊聚一堂,圍繞創“芯”機、育“芯”才等主題進行深入交流,探討當前形勢下我國集成電路產業如何應對挑戰,共繪集成電路產業發展新藍圖。 北京市委常委、副市長殷勇,中國半導體行業協會設計分會理事長魏少軍,創“芯”大賽
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IC PARK 芯動北京
經晶圓廠認證的全生命周期可靠性簽核有助于預防汽車、醫療和5G芯片設計中的過度設計和昂貴的后期ECO(工程變更指令) 要點: ? 經過驗證的技術統一工作流程在整個產品生命周期內提供符合ISO 26262等標準的高性能可靠性分析? 與PrimeSim? Continuum解決方案整合可無縫使用業界領先的仿真器進行電遷移/IR壓降分析、MOS老化、高西格瑪Monte Carlo、模擬故障和其他可靠性分析? 與PrimeWave?設計環境整合
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可靠性分析 IC
原標題:多家IC設計廠商證實:收到臺積電漲價通知 強調不影響合作關系 8月25日,市場幾度傳出臺積電即將全線漲價,從最初的明年成熟制程上漲15%至20%、先進制程漲幅達10%,到全面漲價20%,并從即日起生效?! Υ?,據中央社報道,多家IC設計廠商證實收到臺積電漲價通知,并表示不會因而影響與臺積電的合作關系?! C設計業者指出,臺積電包含7納米及5納米的先進制程漲價約7%至9%,其余成熟制程代工價格漲幅約20%?! 〈送?,臺積電罕見未給客戶緩沖期,今天通知漲價隨即于今天生效,供應鏈也緊急尋求因應
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IC 臺積電 漲價
財聯社6月24日訊,據媒體報道,IC設計業者透露,明年初晶圓代工價格已經敲定,不僅聯電8英寸和12英寸的晶圓代工價格續漲,晶圓代工龍頭臺積電也漲價,部分8英寸和12英寸制程價格上漲一到兩成,且12英寸制程漲幅高于8英寸。臺積電發言窗口表示,不評論價格問題。
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IC 晶圓廠 臺積電
空間應用電源需要在抗輻射技術環境中運行,防止極端粒子相互作用及太陽和電磁事件的影響,因為這類事件會降低空間系統的性能并干擾運行。為滿足這一要求,Microchip Technology Inc.(美國微芯科技公司)近日宣布其M6 MRH25N12U3抗輻射型250V、0.21歐姆Rds(on)金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)獲得了商業航天和國防空間應用認證。Microchip耐輻射M6 MRH25N12U3 MOSFET為電源轉換電路提供了主要的開關元件,包括負載點轉換器、DC-DC轉換器、電
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MOSFET LET IC MCU
據WSTS統計,21Q1全球半導體市場銷售值1,231億美元,較上季(20Q4)成長3.6%,較2020年同期(20Q1)成長17.8%;銷售量達2,748億顆,較上季成長4.9%,較去年同期成長22.7%;ASP為0.448美元,較上季衰退1.2%,較去年同期(20Q1)衰退4.0%。區域市場方面,中國大陸市場銷售值成長幅度最高,較上季(20Q4)成長8.9%,達到434億美元,較去年同期(20Q1)成長25.6%;歐洲市場次之,較上季(20Q4)成長8.8%,達到110億美元,較去年同期成長8.7%;
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IC
Micro-LED由于優異的顯示特性已經成為目前技術的熱點。由于其為芯片直顯技術,芯片的光學性能決定了顯示屏幕大部分的光學性能。Micro-LED燈板的封膠材料厚度對光學影響大,450 μm膠厚時比裸晶燈板色溫降低了2 800 K。因Micro-LED顯示為LED芯片直顯發光,紅光芯片本身發光角度比藍綠光芯片小,再加上芯片表面封膠后經過一系列的折反射,紅光折射率比藍綠光小,藍綠光出光視角進一步放大,導致色溫偏差。
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Micro-LED顯示 色溫 光形圖 202009 PWM
南方科技大學深港微電子學院擁有未來通信集成電路教育部工程研究中心以及深圳市第三代半導體器件重點實驗室,圍繞中國半導體產業鏈,培養工程專業人才,搭建跨國跨區域的校企合作與人才教育平臺,建立以工程創新能力為核心指標的多元化機制,致力于對大灣區乃至全國的集成電路產業發展提供強有力的支撐作用。其科研成果、產業推廣和人才培養成績斐然,在國產芯片發展浪潮中引人矚目。
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集成電路 微電子 氮化鎵器件 寬禁帶 IC GaN 202103
近年來,諧振變換器的熱度越來越高,被廣泛用于計算機服務器、電信設備、燈具和消費電子等各種應用場景。諧振變換器可以很容易地實現高能效,其固有的較寬的軟開關范圍很容易實現高頻開關,這是一個關鍵的吸引人的特性。本文著重介紹一個以半橋LCC諧振變換數字控制和同步整流為特性的300W電源。圖1所示的STEVAL-LLL009V1是一個數控300W電源。原邊組件包括PFC級和DC-DC功率級(半橋LCC諧振變換器),副邊組件包括同步整流電路和STM32F334微控制器,其中STM32F334微控制器對DC-DC功率級
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MOSFET IC
西門子數字化工業軟件宣布與日月光(ASE)合作推出新的設計驗證解決方案,旨在幫助雙方共同客戶更便捷地建立和評估多樣復雜的集成電路(IC)封裝技術與高密度連接的設計,且能在執行物理設計之前和設計期間使用更具兼容性與穩定性的物理設計驗證環境。新的高密度先進封裝(HDAP)支持解決方案源于日月光參與的西門子半導體封裝聯盟 (Siemens OSAT Alliance),該聯盟旨在推動下一代IC設計更快地采用新的高密度先進封裝技術,包括2.5D、3D IC 和扇出型晶圓級封裝(FOWLP)。日月光是半導體封裝和測
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IC ASE
可再生能源仍然是世界范圍內的大趨勢。隨著捕獲風能、太陽能和其他形式的可再生能源的方法不斷發展,可再生能源系統的成本和效率對公司和消費者都越來越有吸引力。實際上,2016年,全球對可再生能源的資本投資跌到了多年來最低水平,但是卻創下了一年內可再生能源設備安裝數量最多的記錄。在用于可再生能源系統的組件中,逆變器是一項尤其關鍵的系統組件。由于大多數可再生能源都是通過直流電(DC)產生的,因此逆變器在將直流電(DC)轉換為交流電(AC)以有效整合到現有電網中起著關鍵作用。在混合了不同可再生能源的混合動力系統和微電
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PWM AC DC MOSFET SPWM
引言在功率變換器應用中,寬帶隙(WBG)技術日益成為傳統硅晶體管的替代產品。在某些細分市場的應用場景中,提升效率極限一或兩個百分點依然關系重大,變換器功率密度的提高可以提供更多應用優勢,在這種情況下采用基于氮化鎵(GaN)晶體管的解決方案意義重大。與傳統硅器件相類似,GaN晶體管單位裸片面積同樣受實際生產工藝限制,單個器件的電流處理能力存在上限。為了增大輸出功率,并聯配置晶體管已成為設計工程師可以考慮的選項之一。應用晶體管并聯技術在最大限度提升變換器輸出功率的同時,也帶來了電路設計層面的挑戰。并聯晶體管的
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PWM
要點: 作為新思科技Fusion Platform的一部分,IC Compiler II憑借其行業領先的容量和吞吐量,加速實現了包含超過590億個晶體管的超大規模Colossus IPU新思科技RTL-to-GDS流程中針對AI硬件設計的創新優化技術提供了同類最佳的性能、功率和區域(PPA)指標集成式黃金簽核技術帶來可預測且收斂的融合設計,同時實現零裕度流程新思科技(Synopsys, Inc., 納斯達克股票代碼:SNPS)近日宣布,其行業領先的IC Compiler? II布局布線解決方案成
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新思科技 IC Compiler II Graphcore
日前, KLA公司 宣布推出Kronos? 1190晶圓級封裝檢測系統、ICOS? F160XP芯片分揀和檢測系統以及下一代的ICOS? T3 / T7系列封裝集成電路(IC)組件檢測及量測系統。這些新系統具有更高的靈敏度和產量,并包含下一代增強算法,旨在應對特征尺寸縮小、3D結構和異構集成所帶來的復雜性,從而在封裝階段推進半導體元件制造。憑借更可靠地實施這些先進封裝技術,KLA的客戶將無需依賴縮小硅設計節點就能夠提高產品性能。該產品組合的性能提升將提供良率和質量保證,幫助
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