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        Micro-LED顯示光學(xué)性能研究*

        作者:楊梅慧,林偉瀚,胡文黨 (康佳集團(tuán)股份有限公司,深圳 518053) 時間:2021-04-09 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏
        編者按:Micro-LED由于優(yōu)異的顯示特性已經(jīng)成為目前技術(shù)的熱點。由于其為芯片直顯技術(shù),芯片的光學(xué)性能決定了顯示屏幕大部分的光學(xué)性能。Micro-LED燈板的封膠材料厚度對光學(xué)影響大,450 μm膠厚時比裸晶燈板色溫降低了2 800 K。因Micro-LED顯示為LED芯片直顯發(fā)光,紅光芯片本身發(fā)光角度比藍(lán)綠光芯片小,再加上芯片表面封膠后經(jīng)過一系列的折反射,紅光折射率比藍(lán)綠光小,藍(lán)綠光出光視角進(jìn)一步放大,導(dǎo)致色溫偏差。


        本文引用地址:http://www.104case.com/article/202104/424323.htm

        0   引言

        目前LCD液晶面板顯示在市場上仍然占據(jù)主導(dǎo)位置,但是液晶面板的技術(shù)工藝已達(dá)技術(shù)瓶頸,加上其動式發(fā)光形式的限制,導(dǎo)致LCD行業(yè)很難再有質(zhì)的突破。

        目前三星、LG已經(jīng)宣布退出LCD傳統(tǒng)顯現(xiàn)領(lǐng)域,轉(zhuǎn)攻新型顯示。OLED雖然具有許多傳統(tǒng)LCD無可比擬的優(yōu)點,但仍存在一些缺陷,例如:良品率較低、成本太高、8K分辨率無法量產(chǎn)、使用壽命較短、“燒屏”、功耗大等。因此,雖然從出現(xiàn)至今一直備受廣大用戶和廠商推崇,但是OLED在目前仍然難以取代LCD達(dá)到普及。

        同時,隨著第三代顯示的需求推動和技術(shù)發(fā)展,Micro-LED由于其優(yōu)異的電流飽和密度[1]、更高的量子效率以及高可靠性,已經(jīng)成為目前技術(shù)的熱點,在顯示、VLC(可見光)[2-3]等方面被廣泛研究。由于Micro-LED的技術(shù)門檻高,Mini-LED顯示產(chǎn)品應(yīng)時而生,結(jié)合現(xiàn)有的8K及QD(量子點)技術(shù),有破壁OLED的趨勢。

        如今隨著市場需求驅(qū)動以及技術(shù)迭代,顯示技術(shù)已經(jīng)由內(nèi)容為王的二代技術(shù)逐漸過渡到突出硬件畫質(zhì)的第三代技術(shù)。行業(yè)內(nèi)眾多廠家如三星、蘋果、友達(dá)等已加大對第三代顯示技術(shù)的研發(fā)和投入。本文研究從LED光源到出光顯示面板的光學(xué)變化模型,同時對比Micro-LED從LED光源到出光顯示面板的亮度、色坐標(biāo)、等光學(xué)方面的光學(xué)性能變化。

        *:廣東省重點領(lǐng)域研發(fā)計劃資助,項目編號:2019B010135001

        作者簡介:楊梅慧,女,碩士,高級工程師,研究方向:LED電視技術(shù)。

        1   實驗

        本文將采用P0.6的箱體模組為研究對象,樣品采用100 μm尺寸的RGB三色LED芯片方案,燈板采用COB封裝形式。測試儀器:CS2000、HASS2000、示波器、紅外測溫儀、工作站。

        Micro-LED從光源到顯示面板光學(xué)路徑為LED芯片--加表面處理涂層燈板。成品顯示屏為燈板模塊拼接。實驗分別測試裸晶燈板和涂表面處理層燈板數(shù)據(jù)。

        分別測試RGB單芯片、裸晶燈板、3種規(guī)格厚度封膠燈板樣品,測試其光譜、亮度、色坐標(biāo)、主觀視效等信息。LED芯片發(fā)射光譜數(shù)據(jù)如圖1。

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        圖1 RGB芯片發(fā)光光譜

        同時測試Micro-LED單點芯片光源光學(xué)參數(shù),以及組成Micro-LED面板顯示后的光學(xué)參數(shù),研究LED光源到Micro-LED面板顯示的光學(xué)參數(shù)變化。

        實驗的理論模型如下。本文光學(xué)模型亮度計算依據(jù)為光度學(xué)能量公式(1)

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        Km 為人眼的明視覺最靈敏波長的光度參量對輻射度參量的轉(zhuǎn)換常數(shù),為最大光譜光視效能,其值為683 lm/W。V (λ )為人眼的明視覺光譜光視效能。Φ (λ )為單位波長的輻射流。

        同樣,本文光學(xué)模型色坐標(biāo)計算依據(jù)為CIE三刺激值公式(2)

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        以及相對色系數(shù)公式(3)

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        p(λ )為(380~780) nm之間光源單位波長輻射流;image.png為標(biāo)準(zhǔn)三色光譜響應(yīng)值。對于Mi c ro-LED,由于是主動式發(fā)光,光源傳輸路徑比較簡單,LED芯片表面只有封膠材料影響,可直接修正如下

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        P(λ )此處為1組RGB像素點的絕對光譜數(shù)據(jù),N為顯示屏的像素總數(shù),S為顯示屏面積,Ω為立體角。因LED的色坐標(biāo)由實際工作電流決定,故需要用目標(biāo)色坐標(biāo)以及RGB芯片發(fā)射光譜利用經(jīng)驗和插值法反推使用電流。

        A(λ)為燈板油墨反射率頻譜和燈板表面的硅膠穿透率頻譜疊加影響曲線,通過裸晶燈板和涂膠燈板測試數(shù)據(jù)對比得出。Kn為燈板表面封膠透過率、光利用率、校正系數(shù)的綜合系數(shù)。

        圖2為100 μm的RGB芯片的,按照經(jīng)驗面積匹配,選53°角度,旋轉(zhuǎn)360°作為立體角,故式(6)中的立體角Ω值取1.18π。

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        圖2 RGB LED芯片發(fā)光光型圖

        同時,Micro-LED RGB屬于電流型驅(qū)動,由于RGB三種芯片的發(fā)光效率不一致,為了得到目標(biāo)6 000~10 000 K,三種芯片的電流大小不一樣,紅光R芯片要求的電流較大,電源的電流需要特殊設(shè)計。為保

        證電流穩(wěn)定性及電源設(shè)計可靠性,目前普遍使用控制電流脈寬模式來調(diào)節(jié)各芯片平均電流大小的形式來實現(xiàn)混光。設(shè)定x0.275y0.315,9 300 K的目標(biāo),依據(jù)上述LED發(fā)射光譜數(shù)據(jù)計算LED實際需要平均電流在(20~35) μA左右。因100 μm RGB LED chip的光效最優(yōu)電流比這個值大,如紅光最優(yōu)光效利用電流范圍:(0.6~20) mA,綠光最優(yōu)光效利用電流范圍:(0.04~10) mA,藍(lán)光最優(yōu)光效利用電流范圍:(0.03~10) mA,尤其是紅光,因此實際使用時將峰值電流提高,利用模式調(diào)到平均電流值。即將綠光峰值提高10倍在278 μA,紅光峰值電流提高20倍在512 μA。

        電流設(shè)定后,測試燈板裸晶狀態(tài)、封膠狀態(tài)的光學(xué)數(shù)據(jù)。樣品規(guī)格為:1# 450 μm厚度封膠、2# 300 μm厚度封膠、3# 200 μm厚度封膠、4#裸晶不封膠。

        箱體輸入R紅、G綠、B藍(lán)、W白4個畫面,相同畫面、電流條件下,采用CS2000測試的光學(xué)數(shù)據(jù)如表1。

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        如表1數(shù)據(jù),隨著封膠厚度增加,亮度Lv成比例下降,白場條件下裸晶狀態(tài)亮度為2 400 cd/m2,到450 μm膠厚狀態(tài)白場亮度降到537 cd/m2。450 μm成品膠厚,膠體穿透率只有22.4%。其中,藍(lán)綠光穿透率比紅光下降明顯。隨著膠體加厚,色溫逐漸降低,到450 μm膠厚,色溫降輻達(dá)到2 800 K。

        通過對各膠體厚度樣品煲機(jī)1 h后進(jìn)行溫度測試,數(shù)據(jù)如表2(室溫22 ℃)。

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        如表2數(shù)據(jù),因封膠后LED芯片表面空氣輻射散熱條件被阻隔,增加了1層膠體傳導(dǎo)散熱,LED燈板表面溫度隨封膠厚度增加而增加,裸晶狀態(tài)散熱條件好故溫度最低。但總體來看,LED的溫升在可靠性條件以內(nèi),封膠與裸晶溫差3.6 K,這個溫差對色溫的影響較小[4]

        圖3為LED燈板表面封膠膠體穿透率數(shù)據(jù)。如圖3所示,隨著膠體加厚,穿透頻譜逐漸右翹,藍(lán)綠光比例在降低,導(dǎo)致色溫下降。

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        封膠材料主體為環(huán)氧樹脂,摻雜黑色素。黑色素材料為碳粉,但主體材料為透明環(huán)氧樹脂,光譜在膠體內(nèi)發(fā)生的動作為材料吸收、顆粒散射、介質(zhì)折反射。環(huán)氧樹脂在可見光光譜范圍內(nèi)無典型吸收波帶,穿透率降低主要為碳粉引起。而穿透率波形的變化引起這一現(xiàn)象的主體原因預(yù)計為膠體的折反射。

        隨著觀測視角加大,屏幕視效表現(xiàn)逐漸偏青,紅色逐漸減弱。介質(zhì)對光的折射率是n=c/v,而光在介質(zhì)中傳播頻率不變,速度與波長的關(guān)系是v=f×λ,即波長越大折射率越小。

        LED發(fā)光從環(huán)氧樹脂膠體(折射率約為1.4)射向空氣(折射率約為1),即從光密介質(zhì)射向光疏介質(zhì)。按照折射率公式,紅光從膠體到空氣的出射角比藍(lán)綠光的出射角小,如圖4。

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        圖4 各波長光的折射圖

        同時,折射率越大,發(fā)生全反射的臨界角越小,即藍(lán)綠光更容易發(fā)生全反射,導(dǎo)致出光的藍(lán)綠光減少。

        LED-R chip由于本身材料的特性和芯片結(jié)構(gòu)差異,紅光的chip發(fā)光角度明顯比藍(lán)綠光窄,如圖2,加上紅光折射率比藍(lán)綠光小,如圖4,在環(huán)氧樹脂界面藍(lán)綠光出光角度被進(jìn)一步放大。亮度測試儀器CS2000的光學(xué)鏡頭為1°測量,這可解釋封膠后白場色溫大幅降低的原因。

        3   結(jié)論

        因使用電流小溫升低,溫度對光學(xué)的影響較小。燈板的封膠材料厚度對光學(xué)影響大,450μm膠厚時色溫降低了2 800 K。因Micro-LED顯示為LED芯片直顯發(fā)光,紅光芯片本身發(fā)光角度比藍(lán)綠光芯片小,再加上芯片表面封膠后經(jīng)過一系列的折反射,紅光折射率比藍(lán)綠光小,藍(lán)綠光出光視角進(jìn)一步放大,以及藍(lán)綠光更容易發(fā)生全反射,導(dǎo)致色溫偏差。

        參考文獻(xiàn):

        [1] TIAN C,GUO S X,LIANG J Q,et al.Effects of unit size on current density and illuminance of micro- LED- array[J].Opto-electronics Letters,2017,13(2):84-89.

        [2] ISLIM M S,FERREIRA R X,HE X,etc.Towards 10 Gb/s orthogonal frequency division multiplexing-based visible light communication using a GaN violet micro-LED[J]. Photonics Research,2017,5(2):A35-A43.

        [3] 田朋飛,顧而丹,劉冉,等.氮化鎵基Micro-LED的研究現(xiàn)狀[J].光源與照明,2018(1):1-4.

        [4] 姚健平,楊梅慧.電流調(diào)光模式對LED液晶模組光學(xué)性能的影響

        [J].電視技術(shù),2015,39(13):103-106.

        (本文來源于《電子產(chǎn)品世界》雜志2020年9月期)



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