MOS-FET雖然與JFET結構不同，但特性極為相似，N溝道和P溝道各分增強型和耗盡型，可在許多電路中代替J-FET，如圖5.4-97所示，電路用MOS-FET代替J-FET更簡單，如釁5.4-100所示短路開關對應圖5.4-96中的A、C、D三個電路
關鍵字：
MOS-FET 開關電路
1、簡單開關控制電路圖5.4-97為簡單J-FET開關電路。當控制電壓VC高于輸入電壓V1時，VGS=0，J-FET導通，傳輸信號至VO；當VC比V1足夠負，VD導通而J-FET截止，VO=0。2、改進的J-FET開關電路圖5.4-98電路是圖5.4-97電路的
關鍵字：
J-FET 開關電路 工作原理
電路的功能場效晶體管漏極飽和電流IDSS和夾斷電壓VP等有很大差別，所以確定置偏很麻煩。雖然在生產廠已分了幾種等級，但一個等級內仍有差別，如果在組裝電路之前測量實際工作電流狀態下的VP和VOS則比較方便。測量時，
關鍵字：
VOO 檢驗 VP FET 結合 使用 萬用表
電路的功能定時器專用IC有NE555和C-MOS單穩態多批振蕩器4538B等。然后用FET輸入型OP放大器也可用途長時間定時電路。本電路采用其他模擬電路中使用的雙OP放大器余下的一個來組成定時器，這樣可以減少IC的數量，事先了
關鍵字：
FET 輸入 OP放大器 模擬定時電路
電路的功能本電路是一種使用雙FET的2象限乘法電路最大輸入電壓為10V，2象限乘法運算與幅度調制（AM）等效，可作為低頻調制電路使用。電路工作原理本電路利用了FET的溝道電阻變化，以TT15、TT16特性相同為前提條件，O
關鍵字：
VCA FET 幅度調制 乘法運算電路
電路的功能在VCA（電壓控制放大器）。由反饋環路組成電路時，通過控制反正電壓來改變放大器增益。所以傳統的作法是利用二極管的單向特性或采用CDS光耦合器。而在本電路中，是利用柵極源極之間的電壓使溝道電阻發生變
關鍵字：
FET 結型 電壓控制 放大器
Vishay在官方網站上發布Power Metal Strip?分流電阻如何應用在定制產品中的解決方案的視頻介紹
賓夕法尼亞、MALVERN — 2010 年 5 月 6 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，為幫助客戶了解如何將Vishay Dale電阻技術用于定制產品，滿足特定用戶的需求，Vishay在其網站(http://www.vishay.com)新增加了一個介紹Power Metal Stri
關鍵字：
Vishay Power Metal Strip 分流電阻
在近日舉辦的國際固態電路研討會ISSCC上，IBM公司介紹了一種定位介于服務器處理器和網絡用處理器之間的新型處理器，他們將這種處理器命名為 Wire-Speed Power處理器，這種處理器據IBM公司稱是面向新的系統級產品市場推出的，其應用領域包括網絡邊緣設備，服務器智能化I/O以及分布式運算等。
IBM公司負責wire-speed架構設計的首席設計師Charlie Johnson表示：“我認為這款產品是IBM有史以來開發的最復雜的產品。”IBM方面展示的有關介紹文件稱
關鍵字：
IBM 處理器 Wire-Speed Power
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出4款新的600V MOSFET --- SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK)、SiHG22N60S(TO-247)和SiHB22N60S(TO-263)，將其Super Junction FET®技術延伸到TO-220、TO-220F、TO-247和TO-263封裝。
新的SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK
關鍵字：
Vishay MOSFET FET
友達光電1月20日宣布， 與由索尼(SONY)持股39.8%的Field Emission Technologies Inc. 公司(以下簡稱FET)及FET Japan Inc.(以下簡稱FETJ)簽署資產收購技術移轉協議，收購FET的場發射顯示器(field emission displays;FED)技術，該公司為全球FED技術的領導者。友達在此交易中，將取得FET顯示技術及材料的專利、技術、發明，以及相關設備等資產。
FED技術在快速反應時間、高效率、亮度和對比度方面不但能與傳統CRT相
關鍵字：
友達 FED FET
臺灣友達科技近日宣布，他們已經與FET公司以及FET日本公司達成了協議，友達將出資收購FET公司的部分資產，并將因此而獲得FET公司的部分專利技術。FET公司目前在FED場射顯示技術(Field Emission Display)領域占據領先地位，索尼公司目前擁有FET公司39.8%的股份。友達并表示，其收購的內容將包括FED場射面板相 關技術專利，FED技術實施方案，以及FED面板生產用設備等。
FED場射面板兼具CRT顯示器和LCD顯示器的優勢，其工作原理與CRT顯示器完全相同，同樣采用
關鍵字：
友達 FED FET
XP Power 正式宣布推出超緊湊低功率絕緣隔離DC/DC 轉換器JHM系列。該系列可選3W和6W的插件式安裝，封裝符合工業DIP-24引腳標準，并且符合國際醫療設備需要滿足的UL / IEC 60601-1 和 CSA-C22.2 No 601.1安規認證。該產品提供3000VAC輸入至輸出絕緣一分鐘，可滿足BF和CF應用所需要的次級絕緣要求，5000VAC絕緣可達10毫秒，可滿足心臟手術設備應用。任何病人需要接觸到的醫療器械都需要提供危險電壓的絕緣保護并且到達到低漏電流的標準。JHM系列漏電流僅
關鍵字：
XP-Power DC/DC 轉換器 JHM
由Power.org 主辦的 Power Architecture Conference(PAC2009)盛會將再次回到中國，大會將于10月14日在北京·柏悅酒店召開。會議將聚焦多用途的Power架構技術平臺以及它繁茂而充滿生機的生態系統。 本次大會將亮相基于Power 架構的最新產品和解決方案以及來自Power.org的倡議，會議組織方還邀請了業界頂尖的專家做主題演講并展開討論和交流。
當今世界日新月異，根據需求不斷創新已經成為時代發展的必然。Power Architecture
關鍵字：
Freescale 機頂盒 Power Architecture
Strategy Analytics 發布最新年度預測報告“半絕緣砷化鎵 (SI GaAs) 外延襯底市場預測2008-2013”。報告總結，2008年半絕緣砷化鎵(SI GaAs)外延襯底市場年增長率達到22%，但 Strategy Analytics 預計2009年該市場將持平或轉負增長。借助下一代蜂窩手機平臺上嵌入多砷化鎵(GaAs)器件，以及來自其它市場對砷化鎵 (GaAs) 器件的需求，半絕緣砷化鎵 (SI GaAs) 外延襯底市場在2010年將恢復增長。
一直
關鍵字：
GaAs 外延襯底 FET HBT
power-fet介紹
您好，目前還沒有人創建詞條power-fet!
歡迎您創建該詞條，闡述對power-fet的理解，并與今后在此搜索power-fet的朋友們分享。
創建詞條
關于我們 -
廣告服務 -
企業會員服務 -
網站地圖 -
聯系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473