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        power-fet 文章 最新資訊

        MOS—FET末級(jí)無(wú)負(fù)反饋蓄電池供電甲類(lèi)6瓦功率放大器

        • MOS—FET末級(jí)無(wú)負(fù)反饋蓄電池供電甲類(lèi)6瓦功率放大器
        • 關(guān)鍵字: 功率放大器  MOS—FET  

        MOS—FET甲乙類(lèi)功率放大器

        LED驅(qū)動(dòng)器參考設(shè)計(jì) 針對(duì)蠟燭燈泡【Power Integrations】

        • 中國(guó)廣州LEDCHINA2011展會(huì),2011年3月1日–離線(xiàn)LED照明高壓驅(qū)動(dòng)器領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者PowerIntegrations公司今...
        • 關(guān)鍵字: LinkSwitch?-PL  RD-268  Power  Integrations  

        TI 小貼士:圖例理FET知識(shí)

        • 您可以通過(guò)周期性地收集大量的ADC輸出轉(zhuǎn)換采樣來(lái)生成FFT圖。一般而言,ADC廠(chǎng)商們將一種單音、滿(mǎn)量程模擬...
        • 關(guān)鍵字: FET  

        手把手教你讀懂FET選取合適器件

        • 現(xiàn)在;一臺(tái)臺(tái)電源,幾乎都能發(fā)現(xiàn)FET的影子。幾乎每個(gè)電源工程師都用過(guò)這東西,或用來(lái)逆變;或用來(lái)整流;或就當(dāng)個(gè)開(kāi)關(guān)...
        • 關(guān)鍵字: FET  

        LinkSwitch-PH系列LED驅(qū)動(dòng)器IC【Power Integrations】

        Power Integrations發(fā)布超薄表面貼裝型封裝電源IC

        • ???????用于高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations公司今日宣布其行業(yè)領(lǐng)先的TOPSwitch-JX電源轉(zhuǎn)換IC系列新增了創(chuàng)新的eSOP?超薄功率封裝形式。這款全新的超薄表面貼裝型封裝非常適合最大功率在65 W以下、不使用散熱片的緊湊敞開(kāi)式設(shè)計(jì),如超薄LCD電視輔助電源、機(jī)頂盒、PC待機(jī)和DVD播放器等產(chǎn)品的電源。
        • 關(guān)鍵字: Power Integrations  TOPSwitch-JX  eSOP  PCB  

        首爾半導(dǎo)體推出高亮度LED新品加速攻克照明市場(chǎng)

        •   今天宣布正式推出高亮度Z-Power LED Z系列新品Z7和 Z6。LED照明市場(chǎng)前景看好,為此,首爾半導(dǎo)體計(jì)劃將每月推出1到2款新品滿(mǎn)足客戶(hù)的多樣化需求。   Z-Power LEDZ7系列(4W)是采用特殊的陶瓷PCB生產(chǎn)的高亮度白光LED產(chǎn)品,提供了5500K色溫和440lm照明亮度。值得一提的是,作為可代替P7系列LED產(chǎn)品的Z7系列,以9mm x7mm x 3.2mm的超小型封裝,輕松滿(mǎn)足各類(lèi)室內(nèi)、室外用照明產(chǎn)品的應(yīng)用需求。   與現(xiàn)有的P7系列產(chǎn)品相比,Z7系列的占位面積大幅減小(僅
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        CISSOID推出高溫度30V小訊號(hào)P-FET場(chǎng)效應(yīng)管

        •   CISSOID,在高溫半導(dǎo)體方案的領(lǐng)導(dǎo)者推出了一個(gè)行星家族(高溫度晶體管及開(kāi)關(guān))的新成員.火星是一個(gè)高溫度30V小訊號(hào)P-FET場(chǎng)效應(yīng)管, 適合于-55 ° C至+225° C高溫可靠運(yùn)作. 由于它耐于極端溫度,只有14pF的輸入電容值及于+225° C下最高只有400nA閘極漏電流. 所以這30V晶體管非常適合于高溫度傳感器介面,例如壓電傳感器或保護(hù)放大器.   
        • 關(guān)鍵字: CISSOID  P-FET  

        Power Integrations推出集成高壓MOSFET并可實(shí)現(xiàn)功率因數(shù)校正的控制器芯片

        •   用于高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations公司今日宣布推出全新的HiperPFS產(chǎn)品,一款集成高壓MOSFET并可實(shí)現(xiàn)功率因數(shù)校正(PFC)的控制器芯片。HiperPFS器件采用創(chuàng)新的控制方案,可提高輕載條件下的效率。此外,與使用分立式MOSFET和控制器的設(shè)計(jì)相比,HiperPFS器件能大幅減少元件數(shù)和縮小電路板占用面積,同時(shí)簡(jiǎn)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)并增強(qiáng)可靠性。HiperPFS器件采用極為緊湊的薄型eSIP?封裝,適合75 W至1 kW的PFC應(yīng)用。  
        • 關(guān)鍵字: Power Integrations  HiperPFS  

        Power Integrations推出PI Expert Suite V8

        •   用于高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations公司今日發(fā)布其廣受歡迎的電源設(shè)計(jì)軟件PI Expert Suite的最新版本V8。最新版軟件能夠大幅縮短首個(gè)原型的設(shè)計(jì)時(shí)間,顯著減少在實(shí)現(xiàn)成品之前所需的原型迭代次數(shù),從而進(jìn)一步提高電源設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)的工作效率。   
        • 關(guān)鍵字: Power Integrations  電源設(shè)計(jì)軟件  

        Power Integrations推出創(chuàng)新離線(xiàn)式開(kāi)關(guān)LinkZero-AX

        •   用于高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations公司今日推出集成離線(xiàn)式開(kāi)關(guān)IC - LinkZero-AX,新器件能使設(shè)計(jì)師設(shè)計(jì)出零瓦待機(jī)功耗的輔助電源。LinkZero-AX采用創(chuàng)新的斷電模式,可在最終產(chǎn)品閑置時(shí)有效關(guān)斷輔助電源。
        • 關(guān)鍵字: Power Integrations  輔助電源  IC - LinkZero-AX  

        POWER PCB內(nèi)電層分割及鋪銅

        •   PCB新手看過(guò)來(lái)]POWER PCB內(nèi)層屬性設(shè)置與內(nèi)電層分割及鋪銅  看到很多網(wǎng)友提出的關(guān)于POWER PCB內(nèi)層正負(fù)片設(shè)置和內(nèi)電層分割以及鋪銅方面的問(wèn)題,說(shuō)明的帖子很多,不過(guò)都沒(méi)有一個(gè)很系統(tǒng)的講解。今天抽空把這些東西
        • 關(guān)鍵字: POWER  PCB  內(nèi)電層  分割    

        IBM為Power芯片設(shè)計(jì)無(wú)電源“深休眠”模式

        •   IBM正在為Power處理器開(kāi)發(fā)一種深休眠模式,該模式可以讓芯片在空閑時(shí)幾乎不耗費(fèi)能源。IBM的Power7芯片已經(jīng)有三種休眠模式,分別為 nap,sleep和heavy sleep。這三種模式是否執(zhí)行或執(zhí)行哪種方式由當(dāng)時(shí)處理器的負(fù)載和某應(yīng)用程序能容忍多大的延遲來(lái)決定。   這種新的休眠模式會(huì)幾乎完整的切斷處理器的電源,同理,從該模式恢復(fù)過(guò)來(lái)的時(shí)間也比較長(zhǎng),大約10到20毫秒。   IBM已將這種模式定名為“Winkle”。但哪款芯片將采用新的休眠模式還未可知,官方也沒(méi)有更
        • 關(guān)鍵字: IBM  Power  處理器  

        如何對(duì)反向轉(zhuǎn)換器的FET關(guān)斷電壓進(jìn)行緩沖

        •   圖 1 顯示了反向轉(zhuǎn)換器功率級(jí)和一次側(cè) MOSFET 電壓波形。該轉(zhuǎn)換器將能量存儲(chǔ)于一個(gè)變壓器主繞組電感中并在 MOSFET 關(guān)閉時(shí)將其釋放到次級(jí)繞組。由于變壓器的漏極電感會(huì)使漏電壓升至反射輸出電壓 (Vreset) 以上,因
        • 關(guān)鍵字: 進(jìn)行  緩沖  電壓  關(guān)斷  轉(zhuǎn)換器  FET  如何  
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        power-fet介紹

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