據國外媒體報道，三星今天發布了第三季度財報。財報顯示，三星營業利潤為4.8萬億韓元(約合43億美元)，低于分析師預期。
三星今天發表聲明稱，該公司第三季度營業利潤由去年同期的4.22萬億韓元(約合37.6億美元)增長14%至4.8萬億韓元，低于分析師預期的5.03萬億韓元。三星營收增長11%至40萬億韓元(約合356億美元)。
分析師指出，電視銷售放緩打壓了液晶面板的價格，影響了三星液晶面板和電視業務的利潤。摩根大通分析師賈斯廷·帕克(Justin Park)說，由于預計第四
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三星電子 液晶面板 DRAM
據HKEPC網站報道，市調機構DRAMeXchange指出， 9月份下半DRAM顆粒合約價持續下調， DDR3 1Gb顆粒均價趺破2美元關口， DDR3 2GB模塊合約價亦由36美元下調至34美元，跌幅約為5.5% ，而低位更曾經下試33美元新低水平，第三季度DDR3模塊合約價下跌約2.3% ，創下至去年年中減產后單季最大跌幅，不僅DDR3內存DDR2合約價亦緊貼DDR3合約價下跌， DDR2 2GB模塊合約均價約為33美元水平，跌幅約為6% 。
現貨市場方面，由于廣州亞運將于11月舉辦，大陸方
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內存 DRAM
據國外媒體報道，研究機構iSuppli已經降低了對2010年半導體銷售額的預測，但是它仍預期年底的利潤將達到前所未有的3020億美元。最新的預測顯示利潤上升了32%，比先前預測的35.1%有所下降。這主要是由于對四季度銷售額預期的降低。
據該機構表示說，今年的利潤有望比去年同期增長740億美元，比2007年高280億美元。根據該公司的預測這將是半導體市場達到巔峰的一年。
產品利潤預期會增長43%，DRAM將會在PC市場有一個87%的強勁增長。同時，由于智能手機不斷增長的需求，無線通信市場將
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半導體 DRAM
IDC報告稱，七八月中國PC市場同比增長僅為10.9%。IDC中國個人系統研究部研究主管經理王吉平分析， 除非9月市場出現新的增長動因，或者部分廠商不理性的壓貨，否則2010年第三季度中國PC市場與之前IDC預測的同比增長14.8%依然會具有一定差距。對比2010年第一季度中國PC市場同比增長38.8%的驚人表現，IDC 中國Future scan研究結果顯示，5月開始CIO購買預期增速也開始下降。而這種不穩定的經濟環境也導致了中國PC市場增長速度放緩。
2009年第二季度開始，隨著整體經濟環境
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PC notebook
據《日本經濟新聞》周三報道，爾必達計劃在今年12月開始量產40納米以下的DRAM芯片，此舉預計可節省生產成本約30%。爾必達即將量產的DRAM芯片線寬僅略大于30納米，比三星電子的最新制程更小。至目前為止，三星仍是全球首家跨入40納米制程以下的公司。
報道稱呢個，爾必達已開發出的“雙重曝光 (double-patterning)”新技術，能用現有的設備來達成更精細制程，而無需進行大規模的資本投資。
爾必達位于日本廣島的工廠，將于12月率先量產新DRAM芯片;瑞晶電子
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爾必達 DRAM 30納米
甲骨文通過美國子公司在加州北區法院起訴美光科技，指控其涉嫌操縱內存芯片價格，使Sun微系統付出了更高的代價。
甲骨文指控美光與其他內存制造商勾結，人為抬高DRAM(動態隨機存儲)芯片價格。訴訟書稱，在1998年至2002年間，Sun采購了總價超過20億美元的DRAM芯片。
訴訟書還稱，美國司法部指控了世界頂尖的5家DRAM制造商，其中四家今年都已認罪并認罰，但美光科技因與司法部合作而得到赦免。甲骨文在2010年以約70億美元價格收購了Sun。
韓國芯片制造商海力士半導體的代理律師邁克
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美光 芯片 DRAM
報道稱Elpida計劃投資30億新臺幣(約合9550萬美元)在臺灣設立研發中心。
報道引述政府官員的話稱Elpida已經向臺灣“經濟部”申請了財政補助來建立該中心。
Elpida已向Powerchip、ProMOS和Winbond許可了其DRAM工藝技術，已換取臺灣合作伙伴的產能。
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Elpida DRAM
;利用串口調試精靈或PC端的超級終端,波特率設為9600,數據位8位,
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串口 調試 終端 程序 超級 精靈 利用 PC
市場研究機構The Information Network總裁Robert Castellano表示，半導體產業環境正在惡化，而且領先指標顯示該市場即將發生庫存修正;他指出，雖然2010年將會是半導體產業經歷大幅反彈成長的一年，但好日子恐怕不多了。
Castellano預測，終端電子產品銷售將出現下滑，首當而沖的就是DRAM領域;該市場在今年第二季還曾出現過135%的銷售成長;此外他也預言，PC銷售業績趨緩，將會對英特爾(Intel)、AMD等微處理器供應商造成負面影響，連帶讓晶圓代工業者也受到
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Intel 半導體 DRAM
據iSuppli市調公司發布的調查報告顯示，內存業界生產DRAM芯片的平均制造成本出現了四年以來的首次正增長，不過據iSuppli公司分析，芯片 制造成本正增長的局面有望在數個季度之內有所緩解。根據統計數據顯示，今年第二季度內存芯片的制造成本從上一季度的2美元/GB提升到了2.03美元 /GB，盡管提升的幅度僅有1.2%，但這是四年以來的首次成本正增長，相比之下，2005年至今的制造成本提升幅度則平均僅-9.2%。
據分析，造成內存芯片制造成本攀升的原因主要是芯片制造的復雜度和技術要求越來越
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芯片 內存 DRAM
韓國電子時報報導，DRAM價格在15天內暴跌10%，1Gb DDR3價格恐將跌至2美元線。價格跌落幅度超過預測值，不只三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)，設備業者也感到相當緊張。據市調機構DRAMeXange統計，1Gb DDR3 9月初固定交易價格較15天前跌落10.60%至2.09美元，這是DDR3自2009年1月上市以來，固定交易價格最大跌幅。甫推出DDR3時，價格僅 在1美元在線，其后持續上升，至2009年11月，以2.25美元首度突破2美元線。
D
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海力士 DRAM DDR3
全球半導體經受金融危機后正邁入新一輪的增長時期，各家市場分析公司幾乎都報道了2010年半導體有30%的增長，達到2900億美元。
半導體業步入新時期
由于半導體業已逼近摩爾定律的終點，業界的變化規律開始發生變異，使得半導體業正進入一個嶄新時期。新時期最明顯的特點可以歸結為增長趨緩，未來年均增長率在6%～7%;研發費用高聳，只有很少幾家廠有能力繼續跟蹤，大多數頂級半導體廠都采用外協合作方案。工業的趨勢可能會形成英特爾CPU，三星存儲器及“fabless(無生產線半導體公司)+代工
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三星 半導體 DRAM
三星電子(Samsung Electronics)制程微縮持續踩油門，繼46納米制程大量供貨，下世代35納米制程將在第4季試產，目標2010年底占總產能達10%，由于從 35納米跳到46納米估計成本可再下降30%，屆時臺、韓DRAM之戰將形成以卵擊石，加上臺廠新產能大量產出時間點亦多落在第4季，面對產能將大量開出，近期DRAM價格跌不停，特別是DDR3 eTT已傳出通路商價格殺至1.7美元，較同容量DDR2價格還要低。
近期DRAM合約價及現貨價均呈現極度疲軟，尤其在傳統旺季是相當少見情況，甚至
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三星 DRAM 35納米
韓國電子時報報導，DRAM價格在15天內暴跌10%，1Gb DDR3價格恐將跌至2美元線。價格跌落幅度超過預測值，不只三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)，設備業者也感到相當緊張。
據市調機構DRAMeXange統計，1Gb DDR3 9月初固定交易價格較15天前跌落10.60%至2.09美元，這是DDR3自2009年1月上市以來，固定交易價格最大跌幅。甫推出DDR3時，價格僅在1美元在線，其后持續上升，至2009年11月，以2.25美元首度突破2美元線。DD
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海力士 DRAM DDR3
分布式無線通信系統(Distributed Wireless Communication System,縮寫為DWCS)采用分布式天線、分布式處理控制、聯合信號處理等技術，提高了系統頻譜效率和功率效率，增強了系統靈活性和擴展性。 DWCS中采用了
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DWCS 應用 系統 無線通信 工作 站在 PC
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