- 三星電子在16號半導體生產線開工儀式上表示，2010年整體投資將達到26兆韓元。該生產線位于韓國華城，將主要用于生產下一代存儲產品，2011年建成投產后預計能月產12英寸半導體晶片20萬片以上。
2010年三星電子26兆韓元投資計劃主要包括：半導體領域11兆韓元、液晶領域5兆韓元、手機顯示領域2兆韓元以上、整體研發8兆韓元。經過此輪投資三星電子將實現30納米DRAM大規模量產、擁有能夠月產7萬片的第四條8代液晶面板生產線、擁有全球最大規模的AMOLED生產線等。這是三星集團繼前不久宣布向新產業投
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三星電子 DRAM AMOLED
- 原本進入難產階段的5月DRAM合約價終于開出，一如市場預期，在PC大廠和DRAM大廠多日的拉鋸戰之下，DDR2合約價最后持平開出，而DDR3合約價則是小漲2~3%;DRAM業者認為，在電子產業的傳統淡季還能維持此結果，算是滿意，至于第3季傳統淡季展望，DRAM廠都不敢把話說的太滿，對于能否有大幅漲價的空間? DRAM廠僅客氣表示，在此高檔區間震蕩就算是合理價位。
2010年5月合約價相當難談，幾乎到了快要難產的階段，主要就是卡在三星電子(Samsung Electronics)上，與部分PC大客
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三星電子 DRAM
- 全球DRAM產業40納米大戰出現變量，由于浸潤式機臺(Immersion Scanner)遞延交貨之故，瑞晶已松口表示，原本計劃年底前旗下8萬片12寸晶圓產能要全轉進45納米制程的目標，將正式遞延至2011年第1季，其第1臺浸潤式機臺本周才會正式到貨，比原訂時程晚了2~3個月，內部已決定將8萬片產能全數轉進63納米制程作為應變。DRAM業者皆認為，全球DRAM 產業的40納米正式對決時間點，會是在2011年!
瑞晶總經理陳正坤表示，瑞晶第1臺浸潤式機臺將于本周正式到貨，預計在9月之前會有5~6臺
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三星電子 DRAM 40納米
- 2010年第1季全球NAND Flash產業市占率中，仍以三星電子(Samsung Electronics)位居龍頭，根據集邦統計，三星的市占率高達39.2%，東芝(Toshiba)以34.4%市占率緊追在后，第1季位元成長率較上季增加15%，但平均單價(ASP)小跌5%，全球NAND Flash產業的產值規模約43.63億美元，較上季39.1億元成長11.6%。
NAND Flash產業2009年率先落底反彈，但2010年表現空間不多，在DRAM、NOR Flash、SDRAM和Mobile
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Samsung NAND DRAM
- 美光科技(Micron Technology Inc.)7日宣布完成收購NOR Flash大廠恒憶(Numonyx B.V.)的所有程序。依據協議，美光已發行大約1.38億股普通股(大約相當于12億美元)給恒憶股東(英特爾、意法半導體、私募股權基金Francisco Partners)。
完成收購恒憶后美光成為同時擁有DRAM、NAND以及NOR技術的記憶體晶片大廠。恒憶去年第4季營收約5.50億美元，自由現金流量達4,200萬美元。交易完成后美光/恒憶將與意法共享位于義大利Agrate的&ld
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美光 DRAM NAND NOR
- DRAM價格走揚，帶動全球第一季DRAM產值持續攀高至92.77億美元，較去年第4季再成長6.9%;其中，南韓三星市占率達32.3%，穩居全球DRAM龍頭寶座。
集邦科技表示，盡管第一季為DRAM產業傳統淡季，不過，在電腦系統廠商擔心下半年恐將缺貨、積極儲備安全庫存下，帶動第 1季DRAM市場需求淡季不淡，價格也持續走揚。
根據統計，第一季DDR3合約季均價上漲16%，現貨季均價也上漲14%;DDR2產品方面，第1季合約季均價上漲5%，現貨季均價則持平表現。
而在產品價格走揚，加上各
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三星 DRAM DDR3
- 根據集邦科技公布價格，DDR3合約季均價與現貨季均價繼2009年第四季分別大漲40%與30%后，在2010年第一季分別續漲16%與 14%;DDR2合約季均價與現貨季均價2009年第四季分別大漲61%與68%后，在2010年第一季淡季不淡，合約季均價續漲5%，現貨季均價持平，持續維持在高檔價格。
由于計算機系統廠商于第一季拉高DDR3的搭載比例由去年第四季的40%拉高至60% 造成第一季DDR3供貨吃緊。DDR2方面在現貨市場需求仍大部份在DDR2，而DRAM廠快速轉進至DDR3，使買方亦努力拉
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Samsung DRAM DDR3
- 以收入計全球第二大電腦記憶芯片制造商海力士半導體公司(Hynix Semiconductor Inc.)22日公布，一季度公司動態隨機存取存儲器(DRAM)平均售價季比上升3%，09年四季度漲幅為26%。
然而，海力士半導體公司在一份聲明中稱，一季度NAND快閃記憶芯片售價季比下降8%，09年四季度降幅為5%。
該公司補充道，一季度DRAM芯片發貨量季比上升6%，NAND芯片發貨量季比持平。
海力士半導體公布，該公司一季度營業利潤率為28%，09年四季度該公司營業利潤率為25%。
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海力士 NAND DRAM
- 日韓DRAM大廠制程競賽延伸至產品規格之戰，在三星電子(Samsung Electronics)于3月底，宣布推出由32GB大容量服務器內存模塊后，日系內存大廠爾必達(Elpida)也宣布4Gb DDR3芯片正式問世，不但采40奈米制程生產，未來也將用此芯片生產32GB內存模塊，應用于服務器、大型數據中心或其他大型系統等，DRAM大廠在產品規格之戰，逐漸由主流規格2Gb，延伸至4Gb容量。
爾必達22日指出，將正式推出4Gb DDR3芯片，主要是采用40納米制程生產，且響應近期科技產業吹起的環保
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Samsung DRAM 40納米
- 在渡過困難的09年后,全球半導體業迎來新一輪的高潮。市場相繼出現存儲器, 模擬電路等缺貨現象及OEM庫存不足。具風向標意義的1Gb DDR2價格由1,5美元升至3,0美元, 所以虧損了近3年的美光, 爾必達及海力士都報導扭虧為盈, 預計2010年全球DRAM增長40%,可達319億美元。
以臺積電為首的代工業也是看好, 預計今年有20%的增長。2010年Q1，它的65納米先進制程取消淡季的固定優惠，實際上是變相的價格上漲。臺積電去年第四季營收920.9億臺幣，季增2.4%，65納米占營收30%，
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存儲器 DRAM 模擬電路
- 2010年DRAM產業自谷底回春，不淡擺脫過去虧損連連的情況，或是各廠要求政府要紓困，幾乎每家DRAM業者都開始賺錢，且DRAM供不應求情況越來越嚴重，價格也不斷上漲，現在DDR3和DDR2價格1顆3美元的情況發生在傳統淡季，實在少見，且缺貨的情況短期內無法紓解。
市場分析主要原因可分為供給和需求兩方配合。在供給端方面，除了三星電子(SamsungElectronics)實力和財力雄厚外，廠的資本支出頂多只能應付制程微縮的需求，沒有多余的資金可蓋新廠房。
再者，2010年各廠轉進50或是4
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DRAM 40納米
- 韓國半導體大廠海力士(Hynix)公布2010會計年度第1季 (2010年1~3月)財報，與2009年同期凈損1.18兆韓元(約10.62億美元)相比，海力士本季達成獲利8,220億韓元，比前季成長25%。營收則達2.82兆韓元，比2009年同期成長115%，亦比前季略增220億韓元。
海力士營收穩定成長，主要受到存儲器市場景氣興盛、DRAM出貨量增加及存儲器平均價格拉臺刺激。
海力士表示，DRAM本季平均價格成長3%、出貨量成長6%。NAND Flash平均價格雖下滑8%，然出貨量持平。
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Hynix DRAM 存儲器
- 存儲器大廠三星電子(Samsung Electronics)器興廠3月底甫發生停電事件，海力士(Hynix)位于韓國M10廠房21日亦出現停電意外，海力士宣稱僅發生0.1秒瞬間電壓下降，由于有不斷電系統支應，并未造成任何損失，存儲器業者則傳出這次海力士實際停電時間是下午1~3點，長達2小時之久，盡管停電事件對于實際產出影響有限，然因目前DRAM市場供給嚴重吃緊，若韓系大廠再減少一些產能，恐怕將對PC廠出貨造成沖擊。
海力士位于韓國京畿道M10廠房在 21日下午傳出突然停電事件，公司在第1時間出面
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Samsung 存儲器 DRAM
- 全球模擬IC市場自2010年初以來，一路傳出的缺貨聲浪至今未歇，雖然模擬IC供貨商不斷加班趕貨，但比起下游客戶預先在淡季建立庫存，及越買不到越要買的心態，市場供不應求的缺口看來比整個半導體供應鏈想得都還要大。業者更是直言，此模擬IC供需吃緊風潮將至少延續到2010年底。
原因無他，國外模擬IC供應廠在機臺設備采買名單上，只能算是個后段名單，而臺系模擬IC設計業者在搶產能動作上，也只算是個較慢的族群，當兩者因素放在一起時，就是客戶缺貨抱怨的電子信件一路傳送下去。
國外模擬IC供貨商雖然普遍都
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模擬IC 晶圓代工 DRAM
- 按Information Network總裁Robert Casterllano的說法,2009年存儲器芯片向銅互連工藝過渡開始熱了起來，由此雖然2009年整個半導體設備市場下降超過40%以上, 而與銅互連直接相關連的設備僅下降8.7%。
在2006未Micron技術公司首先在DRAM產品制造中采用銅工藝代替鋁。一年之后Elpida跟進。之后所有的存儲器制造商, 以三星為首都對于存儲器生產線進行升級改造, 導入銅工藝。因此影響了2009年銅淀積設備和材料的市場。公司認為此種趨勢將影響半導體設備市
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三星 存儲器 DRAM
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