爾必達12月將啟動30納米DRAM量產

　　據《日本經濟新聞》周三報道，爾必達計劃在今年12月開始量產40納米以下的DRAM芯片，此舉預計可節省生產成本約30%。爾必達即將量產的DRAM芯片線寬僅略大于30納米，比三星電子的最新制程更小。至目前為止，三星仍是全球首家跨入40納米制程以下的公司。

　　報道稱呢個，爾必達已開發出的“雙重曝光 (double-patterning)”新技術，能用現有的設備來達成更精細制程，而無需進行大規模的資本投資。

　　爾必達位于日本廣島的工廠，將于12月率先量產新DRAM芯片;瑞晶電子預定在2011年底之前啟動。

　　轉入DRAM新制程，初估可增加爾必達芯片收益約45%，進而壓低生產成本30%，達到與三星相同的水準。