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提高存儲器子系統(tǒng)效率的三種方法
- 行業(yè)專家認為，對于一個典型的大型數(shù)據(jù)中心而言，其50億美元成本的80%左右會用在設備的機械和電子基礎設施上。對于數(shù)據(jù)中心服務器，高功率密度的
- 關鍵字： 存儲器 子系統(tǒng)效率 DRAM
3D NAND Flash成產(chǎn)業(yè)發(fā)展突破口
- 存儲器作為四大通用芯片之一，發(fā)展存儲芯片產(chǎn)業(yè)的意義不言而喻。對電子產(chǎn)品而言，存儲芯片就像糧食一樣不可或缺。它與數(shù)據(jù)相伴而生，哪里有數(shù)據(jù)，哪里就會需要存儲芯片。而且隨著大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)等新興產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，存儲產(chǎn)業(yè)與信息安全等亦息息相關。 當前，我國筆記本、智能手機出貨量均居全球首位。華為、聯(lián)想等廠商崛起，以及阿里巴巴、騰訊、百度等互聯(lián)網(wǎng)廠商帶動數(shù)據(jù)中心爆發(fā)，使得國產(chǎn)廠商對存儲需求量巨大。 相關數(shù)據(jù)顯示，2015年大陸DRAM采購規(guī)模估計為120億美元、NAND Flash采購規(guī)模為66.7億美元
- 關鍵字： 3D NAND DRAM
美大學突破相變化存儲器技術 速度較DRAM快逾千倍
- 在全球持續(xù)突破存儲器運行速度的努力進程中，全球各研究人員均對于“相變化存儲器”(Phase Change Memory;PCM)領域的研究感興趣，并投入大量時間從事研發(fā)，最新則是美國史丹佛大學(Stanford University)的研究做出了新突破，據(jù)稱可讓PCM的運行速度較傳統(tǒng)DRAM快上逾1,000倍以上。 據(jù)Techspot網(wǎng)站報導，所謂的相變化存儲器運作原理，是指在低阻抗的結晶態(tài)及高阻抗的非結晶態(tài)兩種物理狀態(tài)下進行移動，雖然此技術在現(xiàn)今全球儲存技術領域中已展現(xiàn)
- 關鍵字： 存儲器 DRAM
中國投千億美元發(fā)展芯片產(chǎn)業(yè) 這不是花錢就能解決的問題
- 8月27日消息，中國目前大力推動國內(nèi)芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展，目標是在將來成為全球電腦芯片制造業(yè)的領軍者。這一宏偉計劃似乎遇到了難以逾越的障礙。 在2014年，中國就宣布將投資1000億美元以發(fā)展芯片設計和制造產(chǎn)業(yè)，以期在未來占據(jù)行業(yè)頭把交椅。大筆資金已經(jīng)投入了新制造工廠的修建之中。但貝恩管理咨詢公司(Bain & Company )的最新分析顯示，中國僅僅依靠這1000億美元的投資是無法保證自己在芯片行業(yè)取得領先的。 中國國有芯片制造企業(yè)XMC(武漢新芯集成電路制造有限公司)正大舉興建用于加
- 關鍵字： 芯片 DRAM
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