東芝(Toshiba)統籌存儲器事業的副社長成毛康雄于6日舉行的投資人說明會上表示，將沖刺NAND Flash產量，目標在2018年度將NAND Flash產量擴增至2015年度的3倍水準(以容量換算)。
關于已在2016年度開始量產的3D結構NAND Flash，成毛康雄指出，將強化3D Flash的生產，目標在2017年度將3D產品占整體生產比重提高至5成、2018年度進一步提高至9成左右水準。
東芝為全球第2大NAND Flash廠商，市占率僅次于三星電子。
日經、韓國先驅報(
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東芝 3D NAND
Cell on Peripheral Circuit(以下簡稱Cell on Peri)構造由美光(Micron)與英特爾(Intel)陣營開發，采用將3D NAND Flash晶胞(Cell)陣列堆疊在周邊電路CMOS邏輯IC上的方式，以縮減采3D NAND Flash解決方案的晶片面積。DIGITIMES Research觀察，三星電子(Samsung Electronics)已提出類似此一構造的COP(Cell Over Peri)方案，將有利整合元件廠(Integrated Device Ma
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3D NAND 美光
DIGITIMES Research觀察，2016年上半三星電子(Samsung Electronics)為全球供應3D NAND Flash的主要業者，然2016年下半隨東芝(Toshiba)、美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)等存儲器業者陸續量產3D NAND Flash，三星獨家供應3D NAND Flash的狀況將改變，不過，三星已及早規劃增產3D NAND Flash及朝64層堆疊架構邁進，短期內仍將掌握產能與技術優勢。
三星已自2013年下半起陸續量產24層、32層
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三星 3D NAND
觸摸屏的保護玻璃，又稱之為保護蓋，用來保護顯示屏和觸控面板。為了適應智能機的不同設計需求，保護玻璃有不同的形狀。保護玻璃通常位于顯示器和觸控面板 的頂部，再根據保護玻璃的形狀分為2D，2.5D和3D等。隨著智能手機廠商越來越在外形和時尚設計方面競爭，舒適的手感和靈敏的觸控反應越來越重要，這 也鼓勵著觸控面板廠商開發形狀更好的保護玻璃。
2016年用于手機的3D保護玻璃出貨量預計將增至4,900萬片，占手機用保護玻璃市場總量的3.1%。IHS預測2017年其出貨量將飛漲103.9%達1億片的規模，
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3D 2D保護玻璃
韓媒NEWSIS報導，韓國半導體業者將3D NAND視為克服不景氣的對策。3D NAND是三星電子(Samsung Electronics)最早宣布進入量產的技術，在這之前業界采用的是水平結構，3D垂直堆疊技術成為克服制程瓶頸的解決方案。
3D NAND比20納米級產品的容量密度高，讀寫速度快，耗電量節省一半;采用3D NAND Flash存儲器的固態硬碟(SSD)其電路板面積也較小。基于上述優點，對于業界積極發展以人工智能平臺的相關服務，3D NAND成為具有潛力，有利于邁入第四次工業革命的技
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3D NAND 半導體
任何一個行業的領導者，都有義務去推進新技術的發展，隨著后續功能的適配，3D Touch的未來一片光明。
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蘋果 3D Touch
去年10月，全球3D打印醫療應用領域的領先企業3D Medical，與頂級醫學圖像處理技術開商Mach7合并。如今，這樁交易已經宣布完成，合并后的新公司被稱為Mach7 Technologies，并將在澳大利亞證交所上市，交易代碼M7T。
據悉，3D Medical原本就以向醫生提供針對不同病人的3D打印各種定制器官和骨骼模型而知名;而Mach7的主要業務則是醫學影像技術。在這筆總額高達6000萬美元的合并交易完成之后，新公司將會把總部設在澳洲的墨爾本。
據了解，3D Medical和Ma
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3D Medical Mach7
國內大力扶持存儲，各種巨額的投資項目爭議不小，但是為了存儲自主的未來，也值。
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存儲器 3D NAND
國際半導體產業協會(SEMI)最新報告指出，3D NAND、DRAM與10奈米制程等技術投資，將驅動2016年晶圓廠設備支出攀升，預估2016年包括新設備、二手或專屬(In-house)設備在內的前段晶圓廠設備支出將增長3.7%，達372億美元;而2017年則可望再成長13%，達421億美元。
SEMI指出，2015年晶圓廠設備支出為359億美元，較前一年微幅減少0.4%;預測2016年上半年晶圓廠設備支出可望緩慢提升，下半年則將開始加速，為2017年儲備動能。2017年相關支出可望回復兩位數成
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晶圓 3D NAND
國內終于要有了存儲，剩下的問題就是國產閃存應該如何與三星、Intel、東芝們競爭呢？初期的價格戰是不可避免的，但長久來看還得是技術立足。
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3D NAND 存儲
為了進一步提高NAND Flash生產效益，2016年Flash原廠將切入1znm(12nm-15nm)投產，但隨著逼近2D NAND工藝可量產的極限，加快向3D技術導入已迫在眉睫，2016年將真正迎來NAND Flash技術拐點。
1、積極導入48層3D技術量產，提高成本競爭力
與2D工藝相比，3D技術的NAND Flash具有更高的性能和更大的存儲容量。3D技術若采用32層堆疊NAND Flash Die容量達128Gb，與主流2D 1y/1znm 128Gb相比缺乏成本競爭力。
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3D NAND 2D
全球DRAM市場先抑后揚。2015年DRAM收入預計下降2.4%，2016年將下降10.6%，有望在2017年與2018年迎來復蘇。但是，預測隨著中國公司攜本地產品進入DRAM市場，DRAM價格將在2019年再次下降;占2014年內存用量需求20.9%的傳統產品(桌面PC與傳統筆記本電腦)產量預計在2015年下降11.6%，并在2016年進一步下降6.7%。
DRAM市場2016年供過于求
近期，我們對于DRAM市場的預測不會發生顯著變化;2015年與2016年將遭遇市場總體營收下滑，而在
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3D NAND
3D 打印和增材制造解決方案的全球領導者 Stratasys Ltd.(納斯達克代碼：SSYS)上海分公司與便攜式 3D 測量解決方案和工程服務領域的全球領航者Creaform形創中國，今天聯合宣布將兩公司的戰略合作拓展至中國大陸與香港地區。 Stratasys與形創的此次合作，將為市場提供更加整合的3D解決方案，讓用戶得以同時利用前沿的3D掃描技術與3D打印技術，完成從輸入端的產品掃描到輸出端的產品成型，確保工作流程一氣呵成。此次合作將以教
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Stratasys 3D 打印
Imagination 宣布，將與片上網絡 (on-chip network) 技術和工具 供應商NetSpeed Systems合作，為最先進的SoC (系統單芯片) 設計提供下一代的 Fabric 架構解決方案。 兩家公司將為 Imagination IP 平臺部署以及 Imagination 客戶的 SoC 設計開發非一致性&
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Imagination Fabric
Imagination Technologies 宣布，將與片上網絡 (on-chip network) 技術和工具 供應商NetSpeed Systems合作，為最先進的SoC (系統單芯片) 設計提供下一代的 Fabric 架構解決方案。 兩家公司將為 Imagination IP 平臺部署以及 Imagination 客戶的
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