nor flash 文章最新資訊

一招教你如何使用嵌入式參數(shù)代碼，入門必懂知識

一招教你如何使用嵌入式參數(shù)代碼，入門必懂知識-如果有幾個設置參數(shù)需要存儲到Flash中，我們一般會怎么存儲呢？將不同的參數(shù)都存儲到不同的頁中，還是將這幾個參數(shù)捆綁成一種結構體，每次修改都同時寫入一次呢？將參數(shù)存儲到固定的地址，則每個參數(shù)都將占用Flash的一個塊。而將全部參數(shù)捆綁一起存入Flash塊中，那么只有一個參數(shù)修改時，也需要將全部參數(shù)一起存一遍。那么有什么更好的方法嗎？
關鍵字： ram flash 源代碼

全球NOR Flash市場供不應求兆易創(chuàng)新/華邦電動作不斷

隨著各大供應商對NOR Flash的不斷加大投入，未來其市場將會逐漸趨于飽和，利潤也會越來越小，至于整體趨勢還有待觀察。
關鍵字： NOR 兆易創(chuàng)新

第二季PC DRAM合約價漲逾一成，全球DRAM營收季增16.9%

　　集邦咨詢內存儲存研究(DRAMeXchange)調查顯示，2017年第二季的DRAM產業(yè)營收表現(xiàn)再度創(chuàng)下新高。從價格方面來看，由于客戶端已經將庫存水位逐步往上提升，第二季供不應求狀況雖不至于像第一季度嚴重，但整體仍處于供貨吃緊的狀況。標準型內存與服務器用內存第二季價格上漲逾一成，行動式內存則因中國品牌手機廠下修出貨數(shù)量，價格僅小幅上漲5%內。　　DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷指出，觀察市場面，受惠于平均銷售單價的上揚與新制程的持續(xù)轉進，大規(guī)模的擴張產能至今年年底仍未見，全球DRAM市場第二
關鍵字： DRAM NOR

硅晶圓漲價 NOR FLASH大廠淡出行業(yè)重新洗牌

曾經飛索的破產和三星的退出使NOR FLASH行業(yè)重新洗牌，同年美光稱霸，臺灣廠商崛起，NOR FLASH漲價，行業(yè)迎來一波反彈。
關鍵字：硅晶圓 NOR

硅晶圓漲價 NOR FLASH大廠淡出行業(yè)重新洗牌

　　供給端：原材料價格調漲，大廠退出　　原材料漲價　　今年以來半導體硅晶圓市場出現(xiàn)八年以來首度漲價情況，其主要原因在于供需失衡。晶圓代工大廠臺積電、三星電子、英特爾等提高制程，20nm以下先進工藝占比不斷提高，加大對高質量大硅片的需求。三星、SK海力士、英特爾、美光、東芝等全力轉產3D NAND，投資熱潮刺激300mm大硅片的需求。同時工業(yè)與汽車半導體、CIS、物聯(lián)網(wǎng)等IC芯片開始快速增長，大陸半導體廠商大舉建廠擴產，帶來新的硅片需求增量。供給方面，硅片廠集中在日韓臺，前六大廠商市占98%，在硅片
關鍵字： NOR 晶圓

1970-2017 DRAM芯片市場的生死搏殺

自1970年，美國英特爾的半導體晶體管DRAM內存上市以來，已經過去47年，美國、日本、德國、韓國、中國臺灣的選手，懷揣巨額籌碼，高高興興地走進來，卻在輸光光之后黯然離場。目前，只有韓國三星和海力士，占據(jù)絕對壟斷地位，在DRAM市場呼風喚雨，賺得盆滿缽滿。
關鍵字： DRAM Flash

NOR Flash行業(yè)趨勢解讀：供不應求或成常態(tài) 大陸存儲雄心勃勃

　　這個時間點我們討論Nor Flash行業(yè)趨勢與全年景氣度，一方面是Nor廠商二季度業(yè)績即將公布，而相關公司一季度業(yè)績沒有充分反映行業(yè)變化;另一方面是相關標的與行業(yè)基本面也出現(xiàn)了變化(如Switch超預期大賣以及兆易創(chuàng)新收到證監(jiān)會反饋意見等)，同時我們調高AMOLED與TDDI Nor的需求拉動預期，詳細測算供需缺口，以求對未來趨勢定性、定量研究; 　　汽車電子與工控拉動行業(yè)趨勢反轉 TDDI+AMOLED新需求錦上添花　　1、汽車與工控拉動2016趨勢反轉　　從各方面驗證，2016年是NOR
關鍵字：存儲 NOR

Flash產能不給力 UFS稱霸江湖夢碎

UFS普及并不缺乏機會，F(xiàn)lash產能的困境能否早日抒解，成為真正影響UFS茁壯的關鍵因素了。
關鍵字： Flash UFS

被傳產線遭受重大化學污染武漢新芯發(fā)聲明回應

　　如今某些網(wǎng)絡新聞媒體缺乏基本的職業(yè)道德，為博眼球胡謅瞎報，誤導群眾，損人又害己，更有可能會影響NOR Flash行業(yè)良性發(fā)展。　　歪曲報道如下：　　武漢新芯廠內傳出化學污染事件，雖然沒有造成人員傷亡，但是造成NOR Flash產線制程污染，影響產能在9000片左右，市場預料，將造成NOR Flash產能缺口。　　由于美光及賽普拉斯(Cypress)相繼退出中低容量的NOR Flash市場，使中低容量產品全球供給量遭遇缺口，現(xiàn)在武漢新芯受到化學污染，有望再度推升NOR Flash報價，市場最
關鍵字：武漢新芯 NOR

基于ZigBee技術的家居智能無線網(wǎng)絡系統(tǒng)

介紹了一種基于ZigBee技術的智能家居無線網(wǎng)絡系統(tǒng)。重點闡述了該系統(tǒng)的組成、通訊協(xié)議以及無線節(jié)點的軟硬件設計。
關鍵字： UART ZigBee ACLK Flash

基于FPGA的測量數(shù)據(jù)存儲交換技術

以AT45DB041B為例，將FPGA和大容量串行flash存儲芯片的優(yōu)點有效地結合起來，實現(xiàn)了FPGA對串行存儲芯片的高效讀寫操作，完成了對大量測量數(shù)據(jù)的存儲處理和與上位機的交換，并在某電力局項目工頻場強環(huán)境監(jiān)測儀中成功應用。
關鍵字： Flash 串行存儲 FPGA

基于FPGA的水聲信號高速采集存儲系統(tǒng)的設計與實現(xiàn)

介紹了一種基于FPGA的水聲信號數(shù)據(jù)采集與存儲系統(tǒng)的設計與實現(xiàn),給出了系統(tǒng)的總體方案,并對各部分硬件和軟件的設計進行了詳細描述。系統(tǒng)以FPGA作為數(shù)據(jù)的控制處理核心,以存儲容量達2 GB的大容量NAND型Flash作為存儲介質。該系統(tǒng)主要由數(shù)據(jù)采集模塊、數(shù)據(jù)存儲模塊和RS-232串行通信模塊組成,具有穩(wěn)定可靠、體積小、功耗低、存儲容量大等特點,實驗證明該系統(tǒng)滿足設計要求。
關鍵字：數(shù)據(jù)采集 Flash FPGA

FPGA最小系統(tǒng)之：最小系統(tǒng)電路分析

FPGA的管腳主要包括：用戶I/O（User I/O）、配置管腳、電源、時鐘及特殊應用管腳等。其中有些管腳可有多種用途，所以在設計FPGA電路之前，需要認真的閱讀相應FPGA的芯片手冊。
關鍵字： Cyclone Altera Flash FPGA CPLD SDRAM FPGA最小系統(tǒng)

FPGA最小系統(tǒng)之：最小系統(tǒng)的概念

FPGA最小系統(tǒng)是可以使FPGA正常工作的最簡單的系統(tǒng)。它的外圍電路盡量最少，只包括FPGA必要的控制電路。一般所說的FPGA的最小系統(tǒng)主要包括：FPGA芯片、下載電路、外部時鐘、復位電路和電源。如果需要使用NIOS II軟嵌入式處理器還要包括：SDRAM和Flash。一般以上這些組件是FPGA最小系統(tǒng)的組成部分。
關鍵字： FPGA最小系統(tǒng) Altera NiosII Flash SDRAM

SPI Flash M25P32 的TFFS文件系統(tǒng)的設計與實現(xiàn)

TFFS文件系統(tǒng)中的Core Layer內核層可將其他層連接起來協(xié)同工作；翻譯層主要實現(xiàn)DOS和TFFS之間的交互、管理文件系統(tǒng)和Flash各個物理塊的關系，同時支持TFFS的各種功能，如磨損均衡、錯誤恢復等；MTD層執(zhí)行底層的程序驅動(map、read、write、erase等)；socket層的名稱來源于可以插拔的socket存儲卡，主要提供與具體的硬件板相關的驅動。
關鍵字：文件系統(tǒng) Flash SOCKET

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nor flash介紹

NOR Flash存儲器　　NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術,徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著,1989年,東芝公司發(fā)表了NAND flash結構,強調降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級。但是經過了十多年之后,仍然有相當多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存 [ 查看詳細 ]