nor flash 文章最新資訊

手機標稱16G內存，為何實際卻少于16G

　　摘要：現在市面上存在NAND FLASH和eMMC這兩種的大容量存儲介質，就是各類移動終端及手機的主要存儲介質。兩者有何區別，存儲芯片的實際大小與標稱值又有什么關系呢? 　　我們總是在說手機內存，那到底是用什么介質存儲的呢?99%是用NAND Flash和eMMC這兩種的存儲介質。eMMC是近幾年智能手機興起后，為滿足不斷增大的系統文件而誕生的，是NAND Flash的升級版,他的結構如下：　　　　我們接觸到的16G、32G等手機，為何實際存儲容量卻總是小于這些值呢?難道
關鍵字： NAND FLASH eMMC

中國下個購并標的：NAND Flash控制芯片

　　中國政府近來積極透過中資集團陸續收購或入資海外半導體公司，期建立自有半導體供應鏈。現階段，邏輯晶片從設計、制造到封裝測試皆已具雛型，反觀記憶體領域則為主要發展缺口。資策會MIC認為，中資集團下一波購并目標將鎖定NAND Flash控制晶片業者，并設法取得大規模制造產能，以補強記憶體產業發展。　　資策會MIC產業顧問兼主任洪春暉表示，中國近期積極透過購并，來改善半導體自制比例過低的情形，現今中國在本土邏輯IC設計、晶圓代工、邏輯IC封測等產業鏈上，已有一定程度的發展，上述領域皆具有本土廠商或已與外商
關鍵字： NAND Flash 芯片

賽普拉斯推出業內最快、支持擴展溫度范圍的64Mb Quad SPI NOR閃存

　　嵌入式系統領域的領導者賽普拉斯半導體公司今日發布一款配備四串行外設接口(Quad SPI)的1.8V 、64Mb NOR閃存產品。借助Quad SPI接口，賽普拉斯FS-S NOR閃存家族中的這個最新成員能夠提供業內最高的讀取帶寬和最快的編程速度，同時具備小巧的PCB布局，是視頻電子游戲機、高級駕駛輔助系統(ADAS)、汽車儀表盤及信息娛樂系統、網絡設備和機頂盒等高性能應用的理想選擇。　　高性能系統需要最高的讀取帶寬來執行程序，同時需要小尺寸低引腳數的
關鍵字：賽普拉斯 NOR

TrendForce：經濟前景未明，2016年全球NAND Flash產值增長有限

　　全球經濟依舊前景不明，各項NAND Flash終端需求廠商態度相對保守，TrendForce旗下存儲事業處DRAMeXchange調查顯示，由于終端設備平均搭載量與固態硬盤(SSD)需求增長，2016年整體NAND Flash需求位量將較2015年增長44%，然而生產端為了快速降低成本以刺激更多的需求，NAND Flash廠商將會加速3D-NAND Flash的開發，整體NAND Flash年度位元產出增長率將大幅增長50%。　　DRAMeXchange研究協理楊文得表示，2016年NAND Fl
關鍵字： NAND Flash TLC

掌握ECC/壞區塊管理眉角　NAND Flash嵌入式應用效能增

　　NAND Flash記憶體在出廠時是允許部分晶片含有壞區塊，或者好的區塊中含有一些錯誤位元，因此在實際應用時，須搭配使用控制器，透過硬體與軟體進行壞區塊管理，以及利用錯誤更正編碼(ECC)演算法修正錯誤位元，方能提升嵌入式系統儲存效能。　　NAND型快閃記憶體(NAND Flash) IC的技術演進快速，平均每1∼2年就前進一個制程世代來降低成本，在售價大幅下降情況下，愈來愈多嵌入式系統，例如：藍光播放器、電視、數位相機、印表機等應用均采用NAND低成本的優勢，取代原本使用的NOR型快閃記
關鍵字： NAND Flash

中國NAND Flash產業鏈的布局日趨完整

　　研究機構TrendForce表示，隨著清華紫光投資NAND Flash儲存相關公司的腳步加快，以及中國半導體業者在NAND Flash產業鏈的布局日趨完整，中國業者在NAND Flash產業地位也越來越關鍵。　　TrendForce 旗下存儲器儲存事業處DRAMeXchange研究協理楊文得表示，雖然NAND Flash短期內受到供過于求的影響呈現較為疲軟的格局，但長遠來看，NAND Flash的相關應用成長依舊快速。SSD與eMMC在各種電子產品的能見度越來愈高，NAND Flash成為未來儲存
關鍵字： NAND Flash SSD

臺半導體整并再一樁，晶豪科 2016 年中并宜揚

　　隨著全球半導體大者恒大的趨勢底定，加以紅色供應鏈頻頻發動并購，不少臺半導體廠也紛紛開始整合，尋求新的可能，從聯發科今年一舉并購四臺廠，到日月光收購矽品股份的動作可見一斑。尤有甚者，利基型記憶體 IC 設計廠商晶豪科與旗下 NOR Flash IC 設計公司宜揚也宣告合并，整合資源。　　晶豪科在 2011 年即取得宜揚 19.94% 股份，10 日更進一步宣布將與宜揚換股進行整并，以晶豪科為存續公司、宜揚為消滅公司。換股比例暫訂為宜揚普通股 2.55 股換晶豪科普通股 1 股。為合并宜揚晶豪科也將增
關鍵字：聯發科 NOR

中國NAND Flash產業鏈的布局日趨完整

　　研究機構TrendForce表示，隨著清華紫光投資NAND Flash儲存相關公司的腳步加快，以及中國半導體業者在NAND Flash產業鏈的布局日趨完整，中國業者在NAND Flash產業地位也越來越關鍵。　　TrendForce 旗下存儲器儲存事業處DRAMeXchange研究協理楊文得表示，雖然NAND Flash短期內受到供過于求的影響呈現較為疲軟的格局，但長遠來看，NAND Flash的相關應用成長依舊快速。SSD與eMMC在各種電子產品的能見度越來愈高，NAND Flash成為未來儲存
關鍵字： AND Flash

科技行業為Flash準備“葬禮”

過去多年時間里，來自Adobe的熱門軟件Flash讓網絡變得更豐富，然而，Flash的安全性一直飽受詬病，而近期發生的信息安全事故再次表明，Flash應當走向消亡。
關鍵字： Adobe Flash

基于ARM7軟中斷程序的設計

　　筆者在設計一項目時采用LPC2458。此CPU為ARM7內核，帶512K字節的片內FLASH，98k字節的片內RAM，支持片外LOCAL BUS總線，可從片外NOR FLASH啟動CPU.由于代碼量較大，程序放在片外的NOR FLASH中。且存在片外NOR FLASH在運行程序時，需對片外的NOR FLASH擦寫的需求。圖1為存儲部分框圖。　　　　圖1存儲部分原理框圖　　在設計中，片外NOR FLASH的大小為16M字節。其中2M規劃為存放運行程序，剩余的空間用于產品運
關鍵字： ARM7 FLASH

研調：NAND Flash需求漸加溫，估Q3擺脫供過于求

　　TrendForce旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange最新調查報告顯示，受到新款智慧型手機上市以及今(2015)年度蘋果新款iPhone即將開始拉貨的影響，NAND Flash市況將逐漸增溫，預估在第三季將擺脫供過于求，轉為供需較為平衡的格局。　　從供給面觀察，雖然各家NAND Flash廠商陸續宣布3D -NAND Flash的量產時程，但嵌入式產品應用仍須考量控制晶片的搭配，與各種系統端搭配的相容性問題，DRAMeXchange預估，2015年3D-NAND Flash的產出比重將僅
關鍵字： TrendForce NAND Flash

基于TFFS的成像聲吶文件系統設計

　　1 VxWorks系統的啟動流程　　嵌入式VxWorks操作系統的啟動包括兩個階段，一是BootRom引導，二是VxWorks操作系統映像的啟動。BootRom映像也叫做啟動映像，它主要是初始化串口、網口等很少的硬件系統來下載VxWorks映像。VxWorks映像包含完整的VxWorks OS，是真正在目標板上運行的操作系統。它啟動后會重新初始化幾乎所有的硬件系統，這樣操作系統才可以在目標板上正常運行。兩種映像的區別如表 1所示。　　VxWorks內核有多種啟動流程。本文基于的聲吶原型機采
關鍵字： VxWorks 嵌入式 TFFS Flash MTD

NAND flash市占，三星美光增、東芝獨垂淚！

　　2014年NAND flash銷售數據出爐，IHS報告稱，前四大業者中，三星電子(Samsung Electronics)、美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)銷售皆有成長，唯有二哥東芝(Toshiba)疑似因為產品出包遭蘋果召回，市占和業績雙雙下滑。　　BusinessKorea報導，IHS 13日報告稱，三星電子穩居NAND flash老大，去年銷售年增4%至90.84億美元，市占率成長0.1%至36.5%。二哥東芝去年市占率由34.3%減至31.8%，銷售也大減將近3億美元。
關鍵字：三星 NAND flash

儲存市場新廠突圍　傳統大廠嚴陣以待

　　儲存裝置市場正醞釀一波小型新創公司革命。過去由惠普(HP)、IBM、NetApp與EMC等業者把持的儲存市場，目前已遭到許多小型新創公司崛起并搶走市場。調查也發現，消費者預期未來將擴大使用Flash存儲器與固態硬碟(SSD)，因此，傳統大廠必須調整策略才能扭轉頹勢。　　據TechRadar報導，全球四大儲存大廠惠普、IBM、NetApp與EMC近期受到甫成立不久的新創公司推出快閃技術產品，因此，其外部硬碟儲存市場占有率已逐漸流失。　　據IDC調查發現，截至2014年第2季為止，由四大廠供應的高
關鍵字： IBM SSD Flash

東芝傳年內量產3D Flash 技術更勝三星

　　三星電子(Samsung Electronics)領先全球同業、于去年10月搶先量產3D架構的NAND型快閃存儲器(Flash Memory)產品，但三星的領先優勢恐維持不了多久，因為三星NAND Flash最大競爭對手東芝(Toshiba)傳出將在今年下半年量產3D NAND Flash、且其制造技術更勝三星一籌! 　　日本媒體產經新聞25日報導，三星于去年量產的3D NAND Flash產品為垂直堆疊32層，但東芝已研發出超越三星的制造技術、可堆疊48層，且東芝計劃于今年下半年透過旗下四日市工廠
關鍵字：東芝 3D Flash

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nor flash介紹

NOR Flash存儲器　　NOR和NAND是現在市場上兩種主要的非易失閃存技術。Intel于1988年首先開發出NOR flash技術,徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統天下的局面。緊接著,1989年,東芝公司發表了NAND flash結構,強調降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級。但是經過了十多年之后,仍然有相當多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存 [ 查看詳細 ]