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        nor flash 文章 最新資訊

        OEM需求拉貨動(dòng)能增溫,第三季NAND Flash品牌營(yíng)收季增12.2%

        •   第三季NAND Flash市況在蘋果iPhone6/6Plus新機(jī)上市備貨需求強(qiáng)勁與OEM業(yè)者進(jìn)入出貨旺季的帶動(dòng)下,eMMC/eMCP與SSD的成長(zhǎng)力道均高于上半年,NAND Flash價(jià)格表現(xiàn)也相對(duì)穩(wěn)健,使得第三季NAND Flash品牌供貨商營(yíng)收較上季增加12.2%至85.8億美元。TrendForce旗下內(nèi)存儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎荆轮瞥痰那度胧疆a(chǎn)品自第三季起成為市場(chǎng)主流,有助于各家業(yè)者成本結(jié)構(gòu)的改善,而隨著蘋果第四季iPhone表現(xiàn)持續(xù)亮眼以及新產(chǎn)品的問(wèn)世,整體N
        • 關(guān)鍵字: NAND Flash  SSD  iPhone6  

        提高M(jìn)SP430G 系列單片機(jī)的Flash 擦寫壽命方法

        •   在嵌入式設(shè)計(jì)中,許多應(yīng)用設(shè)計(jì)都需要使用EEPROM 存儲(chǔ)非易失性數(shù)據(jù),由于成本原因,某些單片機(jī)在芯片內(nèi)部并沒(méi)有集成EEPROM。MSP430G 系列處理器是TI 推出的低成本16 位處理器,在MSP430G 系列單片機(jī)中并不具備EEPROM。為了存儲(chǔ)非易失性數(shù)據(jù),MSP430G 系列處理器在芯片內(nèi)部劃分出了256 字節(jié)的Flash 空間作為信息Flash,可用于存儲(chǔ)非易失性數(shù)據(jù),但是由于Flash 與EEPROM 在擦寫壽命上存在一定差距,所以在實(shí)際應(yīng)用中,這種應(yīng)用方式并不能夠滿足所有客戶的需求。本應(yīng)
        • 關(guān)鍵字: MSP430  Flash  EEPROM  

        FLASH和反熔絲類型的FPGA你了解多少

        •   由于航天應(yīng)用對(duì)可靠性提出了更高的要求,這是與一般的FPGA開發(fā)最大的不同。當(dāng)高能粒子撞擊可編程邏輯器件時(shí),撞擊的能量會(huì)改變器件中的可配置的SRAM單元的配置數(shù)據(jù),使系統(tǒng)運(yùn)行到無(wú)法預(yù)知的狀態(tài),從而引起整個(gè)系統(tǒng)失效。這在航天設(shè)備中是必須要避免的。以FLASH和反熔絲技術(shù)為基礎(chǔ)的FPGA與以SRAM為基礎(chǔ)的FPGA相比,在抗單粒子事件方面具有很大的優(yōu)勢(shì),可靠性高。   ACTEL公司是可編程邏輯解決方案供應(yīng)商。它提供了多種服務(wù),包括基于反熔絲和閃存技術(shù)的FPGA、高性能IP核、軟件開發(fā)工具和設(shè)計(jì)服務(wù),定位
        • 關(guān)鍵字: FPGA  FLASH  反熔絲  

        一種基于MCU內(nèi)部Flash的仿真器設(shè)計(jì)方法

        •   摘要:提出了一種基于MCU內(nèi)部Flash的仿真器設(shè)計(jì)方法,并完成了設(shè)計(jì)和仿真。   關(guān)鍵詞:微控制器 在線仿真 開發(fā)系統(tǒng) Flash SRAM   由于市場(chǎng)對(duì)MCU功能的要求總是不斷變化和升級(jí),MCU應(yīng)用的領(lǐng)域也不斷擴(kuò)展, 因此往往需要對(duì)最初的設(shè)計(jì)進(jìn)行修改。Flash MCU與以往OTP/MASK MCU相比,最大的優(yōu)點(diǎn)就在于可進(jìn)行高達(dá)上萬(wàn)次的擦寫操作,順應(yīng)了MCU功能不斷修改的需求;另一方面,F(xiàn)lash MCU市場(chǎng)價(jià)格也在不斷下降。因此,許多OEM已將Flash MCU用于產(chǎn)品的批量生產(chǎn)。對(duì)于F
        • 關(guān)鍵字: MCU  Flash  仿真器  

        終端需求多元化帶動(dòng)NAND Flash市場(chǎng)穩(wěn)健增長(zhǎng)

        •   TrendForce旗下內(nèi)存儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange最新調(diào)查顯示,由于智能手機(jī)、平板電腦等移動(dòng)裝置需求穩(wěn)健增長(zhǎng),固態(tài)硬盤在筆記本電腦以及服務(wù)器與數(shù)據(jù)中心的需求增加,而物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用也將逐漸導(dǎo)入NANDFlash,2015年NANDFlash整體產(chǎn)業(yè)規(guī)模將提升至266億美元,年增長(zhǎng)9%。   DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎荆?014年NANDFlash需求位增長(zhǎng)率為36%,在更多元化的產(chǎn)品開始導(dǎo)入NANDFlash的挹注下,2015年的需求位增長(zhǎng)率將依舊有35%。市場(chǎng)趨勢(shì)觀察的重
        • 關(guān)鍵字: NAND Flash  穿戴性裝置  

        基于ARM7軟中斷程序的設(shè)計(jì)

        •   摘要:本文以ARM7內(nèi)核的MCU LPC2458在片外FLASH上運(yùn)行程序時(shí),采用SWI軟中斷的方法實(shí)現(xiàn)同時(shí)寫片外FLASH的例子,詳細(xì)講述ARM7內(nèi)核的MCU如何設(shè)計(jì)SWI軟中斷程序的流程、方法和應(yīng)用原理。   1 背景描述   筆者在設(shè)計(jì)一項(xiàng)目時(shí)采用LPC2458。此CPU為ARM7內(nèi)核,帶512K字節(jié)的片內(nèi)FLASH,98k字節(jié)的片內(nèi)RAM,支持片外LOCAL BUS總線,可從片外NOR FLASH啟動(dòng)CPU。由于代碼量較大,程序放在片外的NOR FLASH中。且存在片外NOR FLASH在
        • 關(guān)鍵字: ARM7  LPC2458  FLASH  MCU  SWI  CPU  201409  

        上海海爾:向通用MCU進(jìn)發(fā)

        •   今年上半年,上海海爾集成電路公司推出十幾款單片機(jī)產(chǎn)品,有其自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)內(nèi)核的HR7P155~170、201、192、196等系列,還有新的觸摸按鍵芯片等,容量涵蓋0.5~64kB,管腳數(shù)從10pin至80pin。豐富的資源為客戶的方案設(shè)計(jì)提供了多樣選擇。   專注于專用MCU的上海海爾,為何此次在如此多的通用產(chǎn)品上發(fā)力?在芯片本土化的熱潮下,上海海爾的愿景是什么?   處于從專用向通用MCU升級(jí)的開端   MCU(單片機(jī),微控制器)一般有通用和專用兩類。很多歐美大公司喜歡推出通用單片機(jī),而日本、
        • 關(guān)鍵字: 海爾  MCU  Flash  201408  

        基于LVDS的高速圖像數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

        • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
        • 關(guān)鍵字: LVDS  FPGA  Flash  

        嵌入式內(nèi)存市場(chǎng)增長(zhǎng),廠商與用戶需持久合作

        •   2014上海慕尼黑電子展期間,Micron(美光科技有限公司)展示了全系列嵌入式存儲(chǔ)解決方案。據(jù)美光公司嵌入式業(yè)務(wù)部門營(yíng)銷高級(jí)總監(jiān)Amit Gattani介紹,在整個(gè)內(nèi)存產(chǎn)品640億美元的市場(chǎng)中,10%~15%是嵌入式內(nèi)存方案。而且這個(gè)份額還在不斷增長(zhǎng),主要是由于智慧系統(tǒng)、物聯(lián)網(wǎng)發(fā)展和智慧汽車的驅(qū)動(dòng)。
        • 關(guān)鍵字: Micro  嵌入式  NOR  201405  

        競(jìng)逐eMMC商機(jī) Flash控制芯片廠陷混戰(zhàn)

        • 2013年eMMC需求在智能手機(jī)市場(chǎng)帶動(dòng)下大幅成長(zhǎng),2014年,平板電腦應(yīng)用需求亦值得期待,尤其在中國(guó)大陸銷售的平板電腦中,有90%尚未采用eMMC,這可能進(jìn)一步擴(kuò)大eMMC市場(chǎng)規(guī)模,引來(lái)業(yè)內(nèi)廠商混戰(zhàn)一片......
        • 關(guān)鍵字: Flash  控制芯片  

        美光在上海加大研發(fā),實(shí)現(xiàn)“中國(guó)設(shè)計(jì)”

        •   2014上海慕尼黑電子展期間,美光科技公司嵌入式業(yè)務(wù)部門營(yíng)銷高級(jí)總監(jiān)Amit?Gattani告訴《電子產(chǎn)品世界》,美光看好中國(guó)的前景,因?yàn)橹袊?guó)“十二五”計(jì)劃當(dāng)中明確提出要建立智慧城市、智慧交通、節(jié)能環(huán)保,實(shí)現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展,注重汽車產(chǎn)業(yè)的節(jié)能排放以及創(chuàng)新,這一切都和美光公司的戰(zhàn)略相吻合。  目前美光在上海有兩個(gè)設(shè)計(jì)中心,主要是做硬件和集成電路設(shè)計(jì),比如開發(fā)NOR閃存等產(chǎn)品,分別在浦東和漕河涇。還有2012年剛剛建成的美光公司系統(tǒng)工程實(shí)驗(yàn)室,旨在與客戶實(shí)現(xiàn)更好的合作,創(chuàng)新開發(fā)各種解決方案。此外美光
        • 關(guān)鍵字: NOR  智慧城市  節(jié)能環(huán)保  閃存  

        FPGA中Flash驅(qū)動(dòng)模塊的設(shè)計(jì)及驗(yàn)證

        •   隨著FPGA的功能日益強(qiáng)大和完善,F(xiàn)PGA在項(xiàng)目中的應(yīng)用也越來(lái)越廣泛,其技術(shù)關(guān)鍵在于控制日益廣泛而豐富的外圍器件。本文以Flash存儲(chǔ)器件為FPGA的外圍,敘述了FPGA中SPI總線接口的Flash驅(qū)動(dòng)模塊的設(shè)計(jì),其接口基本符合Avalon總線的規(guī)范要求,并且通過(guò)實(shí)際的讀寫操作驗(yàn)證
        • 關(guān)鍵字: Flash  驅(qū)動(dòng)  FPGA  

        高速接口Hyper Bus催生讀取最快的NOR閃存

        •   不久前,Spansion?公司宣布推出突破性的Spansion?HyperBus接口,它能極大地提高讀取性能并減少引腳數(shù)量和空間。主要的片上系統(tǒng)(SoC)制造商可以部署SpansionHyperBus接口。  另外,Spansion還推出了首個(gè)基于該新接口的產(chǎn)品家族——SpansionHyperFlash?NOR閃存器件,其讀取吞吐量可達(dá)333MB/s,比當(dāng)今市場(chǎng)上可見(jiàn)速度最快的四SPI的5倍還快,引腳數(shù)量卻僅是并行NOR閃存的1/3。  據(jù)Spansion產(chǎn)品與產(chǎn)業(yè)生態(tài)
        • 關(guān)鍵字: HyperBus  NOR  GUI  ADAS  201402  

        基于SRAM芯片立體封裝大容量的應(yīng)用

        •   靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(static?RAM),簡(jiǎn)稱SRAM。在電子設(shè)備中,常見(jiàn)的存儲(chǔ)器有SRAM(靜態(tài)隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器)、FLASH(閃速存儲(chǔ)器)、DRAM(動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器)等。其中不同的存儲(chǔ)器有不同的特性,SRAM無(wú)需刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。而DRAM每隔一段時(shí)間,要刷新充電一次,否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會(huì)消失。與SDRAM相比,SRAM不需要時(shí)鐘信號(hào),即可保持?jǐn)?shù)據(jù)不丟失。  1、VDMS16M32芯片介紹  VDSR16M32是一款工作電壓3.3V,16Mbit,32位數(shù)據(jù)總線的立體封裝SRAM模
        • 關(guān)鍵字: SRAM  FLASH  DRAM  VDSR16M32  

        基于FPGA的SPI Flash控制器的設(shè)計(jì)方案

        • 本文提出一個(gè)基于FPGA的SPI Flash讀寫硬件實(shí)現(xiàn)方案,該方案利用硬件對(duì)SPI Flash進(jìn)行控制,能夠非常方便地完成Flash的讀寫、擦除、刷新及預(yù)充電等操作,同時(shí)編寫的SPI Flash控制器IP核能夠進(jìn)行移植和復(fù)用,作為SOC芯片的功能模塊。
        • 關(guān)鍵字: FPGA  Flash  SOC  CPU  VHDL  
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        nor flash介紹

        NOR Flash存儲(chǔ)器   NOR和NAND是現(xiàn)在市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術(shù),徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著,1989年,東芝公司發(fā)表了NAND flash結(jié)構(gòu),強(qiáng)調(diào)降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盤一樣可以通過(guò)接口輕松升級(jí)。但是經(jīng)過(guò)了十多年之后,仍然有相當(dāng)多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存 [ 查看詳細(xì) ]

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