三星電子(Samsung Electronics)領先全球同業、于去年10月搶先量產3D架構的NAND型快閃存儲器(Flash Memory)產品，但三星的領先優勢恐維持不了多久，因為三星NAND Flash最大競爭對手東芝(Toshiba)傳出將在今年下半年量產3D NAND Flash、且其制造技術更勝三星一籌!
日本媒體產經新聞25日報導，三星于去年量產的3D NAND Flash產品為垂直堆疊32層，但東芝已研發出超越三星的制造技術、可堆疊48層，且東芝計劃于今年下半年透過旗下四日市工廠
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東芝 3D Flash
TrendForce旗下記憶體儲存事業處 DRAMeXchange 表示，隨著 TLC 產品的主流應用開始從記憶卡與隨身碟產品往 eMMC / eMCP 與 SSD 等OEM儲存裝置移動，加上 NAND Flash 業者陸續推出完整的TLC儲存解決方案，預估今年TLC產出比重將持續攀升，將在第四季接近整體 NAND Flash 產出的一半。
DRAMeXchange 研究協理楊文得表示，由于成本較具優勢，過去TLC廣泛應用在記憶卡與隨身碟等外插式產品中。三星(Samsung)從2013年起積極將
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TLC NAND
三星(Samsung)、美光(Micron)等NAND Flash記憶體制造商制程技術突破，加上控制晶片與錯誤修正韌體效能大幅精進，使得三層式儲存(TLC)NAND記憶體性價比較過去大幅提高，因而激勵消費性固態硬碟制造商擴大采用比例。
三層式儲存(TLC) NAND快閃記憶體市場滲透率將大幅增加。NAND快閃記憶體成本隨著制程演進而持續下滑，各種終端應用如固態硬碟(SSD)與嵌入式多媒體卡(eMMC)等需求則持續成長。
在單層式儲存(SLC)、多層式儲存(MLC)及TLC三種形式的NAND
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三星 TLC NAND
由EMC公司發布的一份圖表顯示，傳統SAN驅動器陣列銷售衰退的趨勢已然出現，與此同時超融合型、軟件定義以及全閃存陣列存儲業務則及時趕上，填補了這部分市場空間。
William Blair公司分析師Jason Ader在本月十號出席了EMC戰略論壇大會，并以郵件的形式向客戶發布了此次會議的內容總結。
EMC公司的管理層引用了一部分IDC研究公司的調查數據，其中顯示從2014年到2018年外部存儲系統市場的復合年均營收(目前為260億美元)將實現3%增幅。在此期間，“傳統獨立混合系
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EMC NAND
中國大陸智能型手機的高成長，使得內存等零組件的消耗激增。這也使得南韓的內存供應商不管是從零組件競爭還是手機整機的競爭上都倍感壓力。
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DRAM NAND Flash
為提升NAND Flash性能而將Cell垂直堆疊的3D堆疊技術競爭逐漸升溫。目前三星電子(Samsung Electronics)已具備生產系統獨大市場，SK海力士(SK Hynix)、東芝(Toshiba)、美光(Micron)等半導體大廠也正加速展開相關技術研發和生產作業。
據ET News報導，NAND Flash的2D平面微細制程，因Cell間易發生訊號干擾現象等問題，已進入瓶頸。主要半導體大廠轉而致力確保將Cell垂直堆疊的3D技術。半導體業界的技術競爭焦點從制程微細化，轉變為垂直堆
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NAND 三星
近日，美光科技在上海舉行以“存儲及其發展如何幫助實現未來互聯世界”為主題的“美光開放日”活動。美光科技高層與業內專家、學者和媒體共同分享公司在該領域的見解和創新解決方案，探討和展望未來行業發展趨勢。
美光科技作為僅有的兩家能夠提供提供全存儲類型解決方案的廠商，占據整個存儲器22%以上的市場份額，穩居第二位。如今美光科技面向網絡建設、機器對機器、移動設備、云和大數據五大應用領域，提供全球最廣泛的存儲產品組合，包括：DRAM芯片和存儲條、固態硬盤、NA
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美光 存儲器 NAND 201503
希捷科技(Seagate Technology)與美光科技(Micron Technology, Inc.)宣布簽署策略性協議，設立一結合兩家公司創新與專業技術之架構。在此協議的架構基礎上，雙方客戶能夠同時受益于領先業界的儲存解決方案，進而更快速且有效率地實現創新。
盡管在合作初期，美光與希捷將著重于下個世代的 SAS 固態硬碟(SSD)與策略性 NAND 型快閃記憶體的供貨，但是雙方皆預期這項長達數年的結盟協議在未來將有機會發展更多合作，甚至推出采用美光 NAND 型快閃記憶體的企業級儲存解決
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美光 希捷 NAND
2015年由行動裝置帶動的高規格半導體之爭蓄勢待發;行動應用處理器、LPDDR4、UFS(Universal Flash Storage;UFS)、三階儲存單元(Triple Level Cell;TLC)等新一代半導體需求增加，被視為半導體產業成長新動能。
據韓媒亞洲經濟的報導，智慧型手機的功能高度發展，讓核心零組件如應用處理器(Application Processor;AP)、LPDDR4、UFS、TLC等下一代半導體的需求日漸增加。首先是AP從32位元進化到64位元，可望讓多工與資料處理
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半導體 NAND Flash LPDDR4
存儲是電子產品中最重要的部分之一，它與數據相伴而生，哪里有數據，哪里就會需要存儲芯片。近年來，存儲芯片行業熱點話題不斷：3D NAND的生產制造進展情況如何?LPDDR4在市場上的應用進程是怎樣的?移動產品中eMCP將成為主流封裝形式嗎?存儲技術發展的路徑或許會爭論不休，但是整體方面卻不會改變，那就是更大的容量、更高的密度、更快的存儲速度、更加節能以及更低的成本。
2015年手機存儲市場
著眼用戶體驗提升
目前業界對于2015年中國智能手機市場走勢的預測很多，總的觀點是增長率放緩。當
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NAND 14納米
根據市場研究機構 TrendForce 旗下記憶體儲存事業處 DRAMeXchange 最新報告， 2014年第四季 NAND Flash 市況雖依舊維持健康水準，但在三星電子(Samsung)、東芝(Toshiba)與晟碟(SanDisk)各自面臨價格與產銷端的壓力影響營收、及第三 季呈現微幅衰退的情況下，品牌供應商營收僅較第三季成長2%至87.5億美元。
DRAMeXchange 研究協理楊文得表示，因需求端面臨淡季效應，2015年第一季整體市況將轉為供過于求，在價格滑落幅度轉趨明顯的情況下
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NAND 英特爾 三星
根據 TrendForce 旗下記憶體儲存事業處 DRAMeXchange 最新報告顯示，第四季 NAND Flash 市況雖依舊維持健康水準，但在三星電子、東芝與晟碟各自面臨價格與產銷端的壓力影響營收、及第三季呈現微幅衰退的情況下，品牌供應商營收僅較第三季成長 2% 至 87.5 億美元。DRAMeXchange 研究協理楊文得表示，因需求端面臨淡季效應，2015 年第一季整體市況將轉為供過于求，在價格滑落幅度轉趨明顯的情況下，業者將藉由加速先進制程的轉進，改善成本架構，以減低價格跌幅的沖擊。
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NAND Flash 三星 東芝
存儲器廠持續在eMCP(eMMC結合MCP封裝)領域擴大進擊，繼東芝(Toshiba)與南亞科洽談策略聯盟，新帝(SanDisk)亦傳出首度來臺尋找移動式存儲器Mobile RAM合作伙伴，考慮與南亞科簽定長約或包下產能，顯示國際存儲器大廠亟欲尋找Mobile RAM貨源，并敲開與臺廠合作大門。
半導體業者透露，在三星電子和SK海力士主導下，智能型手機內建存儲器規格從eMMC轉為eMCP，原本NAND Flash芯片外加關鍵零組件Mobile RAM芯片，2015年東芝??新帝陣營將展開大反撲。
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由于MLC(Multi-Level Cell)NAND Flash供應量持續增加，造成價格連續兩個月下滑，業界預期若三星電子(Samsung Electronics)等業者提高TLC(Triple-Level Cell)NAND Flash生產比重，后續MLC產品價格下滑情況恐將更明顯。
根據韓媒DigitalTimes報導，由于USB、硬碟與記憶卡市場進入淡季，加上庫存堆積，導致NAND Flash價格走滑，市場供給過剩情況恐持續到農歷春節。業界認為目前NAND Flash下滑走勢雖大部分是受
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2015年全球半導體行業收入預計將達3580億美元，較2014年增長5.4%，但仍然低于之前5.8%的增長預期。
半導體市場的增長動力包括智能手機專用標準電路ASSP，以及超移動PC和固態硬盤中使用的DRAM和NAND閃存芯片。
“由于DRAM恢復傳統的降價方式，而整個行業需要消耗假期的過多庫存，因此2015年的半導體收入增長可能較2014年的7.9%有所放緩。”業內人士認為，“由于供應短缺，DRAM價格在2014年基本保持堅挺，使之成為2014年增速最
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