- 過去媒體與業界常講最尖端、先進的半導體技術不會到中國投資，某些國家的政府對于輸出特定半導體技術到中國投資都有設定限制，因此過去國際半導體廠在中國投資半導體相關事業，以芯片封裝測試廠、8 寸以下晶圓廠為主。不過，這個局面在中國市場打開，中國政府近期又積極招商，宣示要花大筆人民幣來買技術、買設備與外資合作建立中國半導體產業的新局后，有了重大改變。
英特爾才剛于 2014 年 9 月 26 日和中國手機芯片廠展訊聯合宣布，以 15 億美元入股紫光集團，持股占比約為 20%。而前身是 AMD 快閃內存事
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AMD Spansion NAND
- 中芯國際集成電路制造有限公司今日宣布38納米 NAND 閃存工藝制程已準備就緒，中芯國際憑此成為唯一一家可為客戶生產 NAND 產品的代工廠。該工藝平臺完全由中芯國際自主研發，可滿足特殊存儲器無晶圓廠客戶對高質量、低密度 NAND 閃存持續增長的需求，使中芯國際占據該領域的領先地位。
NAND 閃存是近年來發展最為迅速的非易失性存儲(NVM)產品。38納米 NAND 閃存主要面向嵌入式產品、移動計算、物聯網(IoT)、電視及機頂盒等多種大需求量的特殊應用領域?？蛻粢部衫么思夹g帶動串行外設接
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中芯國際 NAND
- TrendForce 旗下記憶體儲存事業處 DRAMeXchange 最新調查報告顯示，蘋果(Apple) 9月份推出大螢幕尺寸的 iPhone 6 / 6 Plus在全球熱銷，帶動 2014全年 iPhone 銷售量提升至1.88支，年成長率高達22%，成功扭轉過去一年來iPhone趨緩的銷售動能，重新站穩高階智慧型手機領導廠商的地位;值得注意的是，蘋果這次的改變除了將螢幕尺寸從一直堅守的4寸，向上突破至4.7與5.5寸，在儲存容量與價格上也開始展現更積極的策略。
DRAMeXchange
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智能手機 NAND
- 在嵌入式設計中，許多應用設計都需要使用EEPROM 存儲非易失性數據，由于成本原因，某些單片機在芯片內部并沒有集成EEPROM。MSP430G 系列處理器是TI 推出的低成本16 位處理器，在MSP430G 系列單片機中并不具備EEPROM。為了存儲非易失性數據，MSP430G 系列處理器在芯片內部劃分出了256 字節的Flash 空間作為信息Flash，可用于存儲非易失性數據，但是由于Flash 與EEPROM 在擦寫壽命上存在一定差距，所以在實際應用中，這種應用方式并不能夠滿足所有客戶的需求。本應
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MSP430 Flash EEPROM
- 由于航天應用對可靠性提出了更高的要求，這是與一般的FPGA開發最大的不同。當高能粒子撞擊可編程邏輯器件時，撞擊的能量會改變器件中的可配置的SRAM單元的配置數據，使系統運行到無法預知的狀態，從而引起整個系統失效。這在航天設備中是必須要避免的。以FLASH和反熔絲技術為基礎的FPGA與以SRAM為基礎的FPGA相比，在抗單粒子事件方面具有很大的優勢，可靠性高。
ACTEL公司是可編程邏輯解決方案供應商。它提供了多種服務，包括基于反熔絲和閃存技術的FPGA、高性能IP核、軟件開發工具和設計服務，定位
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FPGA FLASH 反熔絲
- 儲存型快閃記憶體(NAND Flash)控制晶片廠群聯 (8299)董事長潘健成表示，智慧手機市場本季需求不振，主要是受到市場上迷漫觀望氣氛影響，直到蘋果公布iPhone 6系列產品規格之后，其它手機品牌廠出現搶零組件熱潮。
他說，10月的急單火紅，第4季零組件拉貨力道優于本季。
潘健成表示，先前消費者期待iPhone 6上市，導致iPhone 5系列產品，自今年3月起就銷售不佳;其它品牌的Android系統也在第2季出現清庫存的情況，上游供應商不敢備貨、通路商也不愿意拉貨囤積庫存
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NAND 控制晶片
- 核心提示：東芝(Toshiba)在2014年9月9日于日本四日市工廠，主持采用更高精度制程NAND Flash廠、第五工廠第二期工程完工典禮，與3D NAND Flash廠、第二工廠新工程動土典禮，象征在NAND Flash市場的積極作為。
東芝(Toshiba)在2014年9月9日于日本四日市工廠，主持采用更高精度制程NAND Flash廠、第五工廠第二期工程完工典禮，與3D NAND Flash廠、第二工廠新工程動土典禮，象征在NAND Flash市場的積極作為。
由于智能型手
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東芝 NAND
- 雖然規模和技術遠遠不如TSMC臺積電、UMC臺聯電等代工巨頭，不過中芯國際(SMIC)這兩年發展的還不錯，28nm工藝年初也正式量產了，還從TSMC手中搶到了部分高通處理器訂單，現在他們準備進軍新的市場領域了——向客戶推出38nm工藝的NAND閃存，而且是中芯國際自主研發的技術。
NAND閃存的重要性不必說，目前SSD固態硬盤以及消費電子上所用的存儲器多數都是基于NAND閃存，目前全球主要的NAND產能都掌握在三星電子、東芝/閃迪、SK Hynix及Intel、美光合
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中芯國際 NAND
- 東芝公司今天宣布，該公司在閃存峰會(Flash Memory Summit)上展示其最新的NAND閃存和存儲產品。閃存峰會是全球最大的閃存討論會，于8月5至7日在美國加州圣塔克拉拉市的圣塔克拉拉會議中心(Santa Clara Convention Center)舉行。
閃存峰會的展覽環節在會議的最后兩天8月6日和7日舉行，東芝在504號展位布展。
主要展品
??? 1、企業級固態硬盤(eSSD)：
??? 企業級讀密集型
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東芝 NAND 固態硬盤
- 摘要：提出了一種基于MCU內部Flash的仿真器設計方法，并完成了設計和仿真。
關鍵詞：微控制器 在線仿真 開發系統 Flash SRAM
由于市場對MCU功能的要求總是不斷變化和升級，MCU應用的領域也不斷擴展， 因此往往需要對最初的設計進行修改。Flash MCU與以往OTP/MASK MCU相比，最大的優點就在于可進行高達上萬次的擦寫操作，順應了MCU功能不斷修改的需求;另一方面，Flash MCU市場價格也在不斷下降。因此，許多OEM已將Flash MCU用于產品的批量生產。對于F
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MCU Flash 仿真器
- 全球領先的閃存存儲解決方案供應商閃迪公司今日宣布，來自移動設備、平板電腦和消費類電子產品行業生態系統的300多位領導廠商本周齊聚中國深圳，參加閃迪舉辦的第二屆年度“Future Proof Storage”研討會。本次活動于8月26日舉行，囊括了中國及世界各地極具影響力的領先移動科技公司(包括幾乎所有領先芯片組供應商的代表)，共同探討塑造移動互聯市場的新技術、新應用、新趨勢和閃存技術演進。Future Proof Storage 研討會邀請了移動行業中的十幾位領導者擔任演講嘉賓
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閃迪 智能手機 NAND
- TrendForce旗下內存儲存事業處DRAMeXchange最新調查顯示，由于智能手機、平板電腦等移動裝置需求穩健增長，固態硬盤在筆記本電腦以及服務器與數據中心的需求增加，而物聯網應用也將逐漸導入NANDFlash，2015年NANDFlash整體產業規模將提升至266億美元，年增長9%。
DRAMeXchange研究協理楊文得表示，2014年NANDFlash需求位增長率為36%，在更多元化的產品開始導入NANDFlash的挹注下，2015年的需求位增長率將依舊有35%。市場趨勢觀察的重
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NAND Flash 穿戴性裝置
- 摘要：本文以ARM7內核的MCU LPC2458在片外FLASH上運行程序時，采用SWI軟中斷的方法實現同時寫片外FLASH的例子，詳細講述ARM7內核的MCU如何設計SWI軟中斷程序的流程、方法和應用原理。
1 背景描述
筆者在設計一項目時采用LPC2458。此CPU為ARM7內核，帶512K字節的片內FLASH，98k字節的片內RAM，支持片外LOCAL BUS總線，可從片外NOR FLASH啟動CPU。由于代碼量較大，程序放在片外的NOR FLASH中。且存在片外NOR FLASH在
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ARM7 LPC2458 FLASH MCU SWI CPU 201409
- 今年第二季NANDFlash品牌供貨商營收達76.49億美元，季成長5.6%，隨著智能手機與平板電腦等進入出貨旺季，仍可望提升NANDFlash下半年的市場表現。
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Intel NAND
- 全球NANDFlash(儲存型快閃記憶體)供給成長持續大于需求，預估NANDFlash今年底報價將較去年跌掉三成，且跌勢恐將一直延續至2018年。
市調機構IHSiSuppli最新報告預測，NANDFlash今年底報價將跌至0.49美元每GB，遠低于去年的0.71美元，預估2018年將進一步跌至0.14美元，其間年復合成長率為負的28%。
NANDFlash產出過多是導致價格崩跌的主因，若以1GB等量單位計算，IHSiSuppl估計，2018年NANDFlash產出將自2013年的
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東芝 NAND
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