- 過去多年時間里，來自Adobe的熱門軟件Flash讓網絡變得更豐富，然而，Flash的安全性一直飽受詬病，而近期發生的信息安全事故再次表明，Flash應當走向消亡。
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Adobe Flash
- 陜西西安的三星(中國)半導體有限公司剛成立不久，公司園區內部假山流水，綠樹成蔭，人工湖內魚兒游來游去。這里生產世界最先進技術的產品——10納米級NAND 閃存芯片(V-NAND)。
對三星半導體來說，引導社會未來發展的不僅僅是生產全球最先進的產品，同時也包括在環保方面打造世界最高水平的綠色經營系統(G-EHS)。
形成半導體全產業鏈
三星半導體工廠所在的地方，原本是空曠的野外，現正在變成發達的電子產業基地。
西安是三星電子海外芯片生產線投資規模最大的一個
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三星 NAND
- 三星發展半導體事業，看上蘋果搖錢樹，拼盡全力狂搶訂單。
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三星 NAND
- 2015年固態硬碟(SSD)市場中的3D V-NAND占比達10%，為當初預期的3倍以上，預料到了2016年，占比將進一步提升至40%，三星電子(Samsung Electronics)將成市場最大贏家。
據韓媒Money Today報導，逐漸取代傳統硬碟(HDD)的SSD，發展重心開始愈來愈偏向3D V-NAND。三星2013年領先全球率先推出3D V-NAND后，目前仍然是唯一量產3D V-NAND業者。
據市調業者IHS iSuppli統計資料，如果以數量而言，2015年企業用SSD
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三星 V-NAND
- 過去的一年半以來，主要NAND快閃記憶體制造商已經開始銷售1x奈米等級的平面快閃記憶體;根據我們調查開放市場上所銷售元件的供應來源，美光(Micron)是從2014年2月開始供應1x奈米元件的第一家記憶體廠商，隨后是在同年10月推出產品的SK海力士(Hynix)。在近六個月之后，TechInsights實驗室才出現三星(Samsung) 16奈米與東芝(Toshiba) 15奈米產品。
針對平面NAND快閃記憶體的微影尺寸終點，在文獻中已經有很多討論;其替代方案是垂直堆疊式的快閃記憶體，例如三星
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NAND SK海力士
- 宜鼎和東芝成立臺灣首家進軍快閃存儲器陣列的供應商，分食云端儲存商機。李建梁攝東芝(Toshiba)、美超微(Supermicro)、宜鼎國際臺美日聯手炒熱云端儲存商機，三大廠力拱的快閃存儲器儲存陣列(NAND Flash Array)公司捷鼎國際(AccelStor)即將在周四(25日)首次舉行“高速資料儲存新疆界：AccelStor NeoSapphire快閃存儲器儲存陣列與企業應用解決方案”研討會，邀請中華電信董事長蔡力行親自出馬，為捷鼎提出的NAND Flash陣列解決方
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東芝 NAND
- 南韓媒體中央日報日文版 19 日報導，因固態硬碟(SSD)需求提振 3D 架構的 NAND 型快閃記憶體(Flash Memory)需求呈現急速增長，故三星電子(Samsung)計劃把生產 3D NAND 的中國西安半導體工廠產量較現行擴增 50%。報導指出，據熟知三星事務的關系人士透露，目前三星西安工廠晶圓月產量為 4-5 萬片，而三星計劃于今年內將其產量提高 5 成(增加 2 萬片)至 6-7 萬片。
據 報導，三星于去年 5 月開始量產 3D NAND，為目前唯一導入量產的廠商，且三星計劃
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三星 NAND
- 宜鼎國際布局云端SSD市場，找來美超微和東芝一起搶商機。李建梁攝云端NAND Flash儲存陣列市場需求即將大爆發，美商都已卡好位，臺灣也拿到第一張參與競賽的門票。由日商東芝(Toshiba)、美商美超微(Supermicro)，以及臺系存儲器模組廠宜鼎國際三方合資的新公司正式成立，臺方掌握主導權，由于首波客戶瞄準金融和電信業者，因此邀請101董事長宋文琪夫婿徐善可擔任董事長。
一般講到云端儲存商機，第一個聯想到固態硬碟(SSD)，這是NAND Flash大廠如三星電子(Samsung Elec
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SSD NAND
- 根據德意志銀行(Deutsche Bank)的分析報告， 2015年第二季全球市場對半導體元件的需求持續疲弱，主因是部分亞洲PC組裝業者表示，部分零組件的采購量與 2014年同季相較，減少了15~20%;不過在近五年拜訪了近30家臺灣、韓國與日本業者的該銀行分析師指出：“iPhone供應鏈與汽車市場仍然是表現亮眼。”
德意志銀行的報告也顯示，平板電腦、電視以及許多Android手機的晶片需求亦呈現衰弱，該銀行對整體晶片產業領域發展的評等為中性。“在中國智慧型手
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PC NAND
- 在三星(Samsung)、美光(Micron)、SK Hynix及東芝(Toshiba)等快閃記憶體大廠力拱下，消費性固態硬碟(SDD)及用戶端(Client)SSD產品預計將自今年下半年開始加速采用更高性價比的3D NAND方案，并可望在2016年完全進入3D世代;而企業與資料中心應用由于對SSD可靠度要求等級較高，預估將自2016下半年后才會轉換至3D NAND規格。
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NAND SSD
- 在設計和推廣固態存儲設備專用NAND閃存控制器方面處于全球領導地位的慧榮科技公司(Silicon Motion Technology Corporation)今日宣布旗下SM2256 SATA(6Gb/s)客戶端SSD控制器現支持Micron(鎂光)新推出的16nm 128Gb TLC NAND 閃存，有助實現優異的性能和無可比擬的可靠性，成就新一代高性價比的TLC SSD產品。
SM2256是世界上首款支持Micron 16nm TLC NAND的SSD控制器，同時也是市場上性能最佳、成本最優
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NAND SM2256
- 固態硬碟(SSD)規格更吸睛。記憶體制造商擴大采用新型3D堆疊與三層式儲存(TLC)設計架構，讓NAND Flash晶片容量密度激增，且成本顯著下滑，吸引固態硬碟開發商大舉采納，用以打造兼具高儲存容量和價格優勢的新產品。
固態硬碟(SSD)致命弱點--價格將有顯著突破。NAND快閃記憶體(Flash Memory)大廠及慧榮、群聯等SSD控制器廠，正力拱新一代兼顧容量及成本的3D NAND Flash和三層式儲存(TLC)快閃記憶體解決方案，并將于2015?2016年逐漸放量，協助SSD廠商開發
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NAND SSD
- 固態硬碟(SSD)規格更吸睛。記憶體制造商擴大采用新型3D堆疊與三層式儲存(TLC)設計架構，讓NAND Flash晶片容量密度激增，且成本顯著下滑，吸引固態硬碟開發商大舉采納，用以打造兼具高儲存容量和價格優勢的新產品。
固態硬碟(SSD)致命弱點--價格將有顯著突破。NAND快閃記憶體(Flash Memory)大廠及慧榮、群聯等SSD控制器廠，正力拱新一代兼顧容量及成本的3D NAND Flash和三層式儲存(TLC)快閃記憶體解決方案，并將于2015?2016年逐漸放量，協助SSD廠商開發
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NAND SSD
- 筆者在設計一項目時采用LPC2458。此CPU為ARM7內核，帶512K字節的片內FLASH，98k字節的片內RAM，支持片外LOCAL BUS總線，可從片外NOR FLASH啟動CPU.由于代碼量較大，程序放在片外的NOR FLASH中。且存在片外NOR FLASH在運行程序時，需對片外的NOR FLASH擦寫的需求。圖1為存儲部分框圖。
圖1存儲部分原理框圖
在設計中，片外NOR FLASH的大小為16M字節。其中2M規劃為存放運行程序，剩余的空間用于產品運
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ARM7 FLASH
- 近期固態硬盤大降價，刺激了SSD晶元代工市場。
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SSD NAND
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