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        性價比優勢更明顯 TLC NAND應用版圖急擴張

        作者: 時間:2015-03-19 來源: 新電子 收藏

          (Samsung)、美光(Micron)等 Flash記憶體制造商制程技術突破,加上控制晶片與錯誤修正韌體效能大幅精進,使得三層式儲存()記憶體性價比較過去大幅提高,因而激勵消費性固態硬碟制造商擴大采用比例。

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/271235.htm

          三層式儲存() 快閃記憶體市場滲透率將大幅增加。NAND快閃記憶體成本隨著制程演進而持續下滑,各種終端應用如固態硬碟(SSD)與嵌入式多媒體卡(eMMC)等需求則持續成長。

          在單層式儲存(SLC)、多層式儲存(MLC)及三種形式的NAND快閃記憶體中,又以TLC性價比最為人所注目,因而吸引原始設備/設計制造商(OEM/ODM)的目光,并增加采用TLC顆粒比例,促進TLC NAND快閃記憶體應用版圖擴張。

          控制晶片技術突破 TLC SSD傾巢而出

          看好TLC在固態儲存市場的發展前景,慧榮科技發布新一代TLC控制晶片--SM2256,能大幅提升TLC NAND快閃記憶體高達三倍的寫入/抹除次數(P/E Cycle),解決其過去為人詬病的使用壽命和可靠度不佳等問題,可望助力品牌廠加速推出高性價比的消費性TLC固態硬碟。

          

         

          圖1 慧榮科技產品企劃部專案副理陳敏豪表示,藉由先進的控制晶片技術,TLC固態硬碟的使用壽命及穩定度將大幅增加。

          慧榮科技產品企劃部專案副理陳敏豪(圖1)表示,相較于SLC和MLC顆粒,TLC NAND快閃記憶體擁有顯著的價格優勢,單單比較TLC與MCL NAND市價,兩者價差約介于20~30%之間;而隨著制程進一步微縮,TLC NAND成本未來仍有下滑空間。

          陳敏豪指出,雖然TLC顆粒具成本優勢,但在使用壽命、速度、可靠性和錯誤率等方面卻為人詬病,須以先進的控制晶片及大量的預留空間(Over-provisioning)來進行糾錯及校準;也因此,目前僅有、新帝(SanDisk)兩家品牌廠在消費零售市場先后推出TLC固態硬碟。

          為解決上述困境,慧榮科技推出新一代TLC NAND控制晶片--SM2256,提升TLC NAND三倍的寫入/抹除次數,進而延長其使用壽命,使TLC固態硬碟更能兼具成本及效能優勢。

          陳敏豪解釋,NAND快閃記憶體的控制晶片向來系采用 BCH(Bose-Chaudhuri-Hocquenghem)編碼進行糾錯,而慧榮科技則轉而選用低密度奇偶修正碼(Low Density Parity Check Code, LDPC)及RAID修正方式,研發出獨有的“NANDXtend”錯誤修正技術。

          據悉,“NANDXtend”技術可高速平行解碼且即時精準修正錯誤,并依糾錯的難易度來分層開啟修正機制,有效增加TLC NAND的寫入/抹除次數,解開TLC NAND長期以來讀寫次數不理想的桎梏。

          陳敏豪透露,目前SM2256已通過三家主要NAND快閃記憶體供應商--東芝(Toshiba)、、SK Hynix的測試,而采用慧榮科技控制晶片的TLC固態硬碟最快2015年第一季即可上市。

          陳敏豪預測,2015年是TLC固態硬碟起飛元年,未來將會有更多廠商推出TLC固態硬碟,大舉搶攻消費零售市場,進而瓜分三星、SanDisk市占。值得注意的是,除了消費零售市場外,PC-OEM業者也正密切關注TLC固態硬碟應用于桌上型電腦、筆記型電腦的可行性;因此,未來TLC固態硬碟更可望進攻電腦市場,挑戰MLC固態硬碟的主流地位。

          3D/TLC NAND齊頭并進 Flash產業邁入轉捩點

          根據TrendForce旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange研究預估,2015年NAND快閃記憶體產值將較2014年成長12%,市場規模約為276億美元。

          DRAMeXchange研究協理楊文得表示,2015年NAND快閃記憶體產業將進入關鍵時刻。由于各家業者有志一同盡量降低產能增加速度,因此預估2015年總晶圓投片量年成長率只有約8%。供給端發展重心將會放在15/16奈米的制程轉進、3D NAND快閃記憶體的開發,以及TLC產品應用的擴張。

          據了解,三星(Samsung)已于2014年第四季順利量產3D NAND快閃記憶體并導入企業級固態硬碟產品,2015年更預計全面導入消費性固態硬碟中。

          另一方面,英特爾(Intel)則在2015年的投資人會議中揭露與美光(Micron)共同開發的3D NAND固態硬碟開始進入試作階段,預計在2016年年中之后正式出貨。

          楊文得預期,英特爾的動作將加速其他尚未明確公布量產計畫的廠商推出3D NAND快閃記憶體的時程;而在價格、性能與控制晶片搭配性的各種因素考量下,3D NAND快閃記憶體應用普及時間點將會落在2015年第四季之后。

          值得注意的是,具有顯著性價比優勢的TLC NAND快閃記憶體,已由三星率先證明其市場價值。該公司利用TLC NAND快閃記憶體在eMMC/eMCP與消費性固態硬碟市場取得成功,因此其他業者自2015年下半年起也可望陸續推出TLC的相關嵌入式產品。

          事實上,蘋果的iPhone 6即首度采用TLC做為儲存裝置,可望帶動其他品牌廠提高采用意愿。DRAMeXchange預期,2015年TLC的產出比重將快速攀升至41%。

          楊文得認為,隨著行動運算硬體競爭從高階轉向中低階機種,TLC顆粒較能夠滿足業者對于成本的考量,加上目前控制技術已能大幅改善TLC的速度與效能問題,因此主要個人電腦(PC)與行動裝置品牌業者都將逐漸開始采用TLC產品,尤其TLC固態硬碟更將于2015年大舉出籠。



        關鍵詞: 三星 TLC NAND

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