美光科技股份有限公司日前宣布，該公司將業界一流的34納米4Gb單層單元NAND閃存與50納米2Gb LPDDR相結合，生產出了市場上最先進的NAND-LPDDR多芯片封裝組合產品。美光新推出的4Gb NAND-2Gb LPDDR多芯片封裝產品以智能手機、個人媒體播放器和新興的移動互聯網設備為應用目標。較小的外形尺寸、低成本和節能是這類應用的核心特色。
美光公司目前向客戶推出4Gb NAND-2Gb LPDDR多芯片封裝試用產品，預計于2010年初投入量產。4Gb NAND-2Gb LPDDR組合
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美光 NAND 34納米 智能手機
10月28日消息，據國外媒體報道，全球最大的記憶體芯片制造商韓國三星電子周三表示，該公司目標要在三年內將半導體業務營收提高逾50%，并對2010年記憶體市場發表樂觀的看法。
三星電子將在周五公布第三季財報。該公司估計，今年半導體業務營收為166億美元，并稱目標要在2012年達到255億美元營收。
三星指出，明年動態隨機存取記憶體(DRAM)和NAND快閃記憶體(閃存)芯片將出現小規模短缺情況。
韓國三星半導體事業群總裁勸五鉉在一項高層主管會議上發表上述預估，公司發言人士也確認了這項消
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三星 NAND 存儲
英特爾和芯片技術公司Numonyx本周三發布了一項新技術.這兩家公司稱,這種新技術將使非易失性存儲器突破NAND閃存的20納米的極限,使加工工藝縮小到5納米,從而更加節省成本.
英特爾研究員和內存技術開發經理Al Fazio星期三向記者解釋說,這種技術產生的堆疊內存陣列有可能取代目前DRAM內存和NAND閃存的一些工作.這種技術甚至能夠讓系統設計師把一些DRAM內存和固態內存的一些存儲屬性縮小到一個內存類.
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Intel 5納米 DRAM NAND
最近幾個月來，DRAM價格連連上漲，同時也拉升了NAND Flash顆粒的價格。各大晶圓廠和模組廠也都連連傳出利好消息。雖然各大內存廠商的產品訂單和資金流相較2009年年初的金融海嘯時期已經有較大起色，但是這內存的價格上漲也波及到了電子賣場中的零售價格。那么究竟現在的內存產品是怎樣的一個局面呢，下面小編就給大家來個深度分析，給你講講這里面的道道。
9月DRAM價格猛增13% Flash亦漲4%
9月的1Gbit DDR2 DRAM的平均報價約為 1.70 美元，較上個月多出了近 13%。D
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NAND DRAM 內存 存儲
美國內存大廠SanDisk近日公布第3季財報，意外由虧損轉為強勁獲利，主要由于銷售額優于預期，以及先前減記的庫存收入回補加持。這也反映了內存制造商持續受惠于閃存芯片市場好轉趨勢。
據國外媒體報道，SanDisk第3季由去年同期的虧損1.659億美元或每股74美分，改善為獲利2.313億美元或每股99美分。去除特殊項目后，每股獲利則為76美分，優于分析師預期的每股26美分。
該季營收增長14%至9.352億美元，遠優于公司今年7月份預估的介于7.25-7.75億美元，以及分析師預期的7.87
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SanDisk NAND 閃存芯片
“經濟部”「DRAM產業再造計畫」20日最后截止日期，卻出現戲劇性變化!臺塑集團旗下南亞科和華亞科宣布不送件，形同退出這次計畫;而力晶更是突然宣布成立TFC(Taiwan Flash Company)，并將這次臺灣存儲器產業整合規模推升到NAND Flash格局，反將了臺灣創新存儲器公司(TIMC)一軍。力晶董事長黃崇仁表示，2010年將投入40奈米制程量產NAND Flash，且100%為自有技術，比任何同業都符合“經濟部”所要求技術扎根條件，未來力晶
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力晶 DRAM 存儲器 NAND
鎂光34nm制程企業級MLC/SLC NAND閃存芯片已經進入試樣階段，MLC部分的存儲密度可達32Gb，寫入壽命達3萬次，是普通MLC產品的6倍;SLC部分存儲密度為16Gb，寫入壽命同樣為3萬次，是普通SLC產品的3倍.
鎂光這次開發成功的34nm MLC/SLC閃存芯片支持ONFI2.1接口規范(Open NAND Flash Interface)，數據傳輸率最高可達200MB/S，而且可以采用閃存封裝內部集成多片閃存芯片的封裝方案。
鎂光表示，明年初這兩種閃存芯片便可正式量產。
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鎂光 NAND 閃存芯片 34nm
研究機構集邦科技(DRAM eXchange)表示，10月上旬主流MLC NAND Flash合約均價上漲約8%~10%，主要原因是多數供貨商已接獲部份電子系統廠客戶10月到11月的旺季長單，同時近期記憶卡客戶的旺季備貨需求，因此NAND Flash市場供貨吃緊，在賣方主導市場下，10月上旬NAND Flash合約價持續地上揚。
16Gb MLC NAND Flash合約價走勢圖
集邦科技指出，在10月到11月，多數NANDFlash供貨商份仍將優先供貨給電子系
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NAND 存儲 閃存
2009年NAND Flash缺貨缺翻天，三星電子(Samsung Electronics)在享有最大獲利之余，不但對飽受缺貨之苦的存儲器模塊廠袖手旁觀，還要推出「SAMSUNG」自有品牌記憶卡產品來搶食客戶飯碗，到底葫蘆里是賣什么藥?業界相當好奇!而原本應該站在反對立場的大客戶創見，這次卻成為三星自有品牌記憶卡的代理商，究竟整起故事的來龍去脈為何?連同業都有霧里看花之感，只能說三星2009年真的是新人事、新作風，每一步都讓業界跌破眼鏡!
與三星做生意的客戶都知道，2009年不論在DRAM或是N
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三星 NAND Flash
NAND Flash產業受到蘋果(Apple)備貨和智能型手機內嵌存儲器的帶動，32Gb容量的MLC型NAND Flash均價大漲至7.5美元，存儲器模塊廠9月營收在NAND Flash和DRAM芯片價格雙雙大漲的帶動下，預計可再次創下新高，同時第3季獲利也將雨露均沾;群聯9月營收續創歷史新高，創見也受惠歐洲市場買氣回籠，9月預計可達新臺幣30億~35億元水平，威剛更在PC OEM的DRAM模塊訂單涌入下，9月營收預估可達35億~40億元，勁永9月營收也將維持高檔不墜。
NAND Flash現貨
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三星電子(Samsung Electronics)2009年隨著新經營團隊上任，營運策略出現不少重大轉變，將影響存儲器產業生態，三星日前決定全面停止對臺銷售DRAM芯片，一律只銷售DRAM模塊。存儲器廠表示，三星策略明顯側重OEM市場，減少與現貨客戶合作，就連NAND Flash芯片供貨策略，亦同樣以消費性電子大廠為優先，尤其近期PC廠對于DRAM模塊需求強勁，三星供應臺灣DRAM模塊數量大減，市場日前甚至喊出 1條DDR2模塊40美元天價。
存儲器業者指出，三星2009年在全球供貨策略出現許多
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Samsung DRAM NAND
NAND Flash產業受到蘋果(Apple)備貨和智能型手機內嵌存儲器的帶動，32Gb容量的MLC型NAND Flash均價大漲至7.5美元，存儲器模塊廠9月營收在NAND Flash和DRAM芯片價格雙雙大漲的帶動下，預計可再次創下新高，同時第3季獲利也將雨露均沾;群聯9月營收續創歷史新高，創見也受惠歐洲市場買氣回籠，9月預計可達新臺幣30億~35億元水平，威剛更在PC OEM的DRAM模塊訂單涌入下，9月營收預估可達35億~40億元，勁永9月營收也將維持高檔不墜。
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據iSuppli 公司，雖然2009 年面向筆記本電腦的固態硬盤(SSD)銷售因為內存價格飛漲而受挫，但企業市場對彌補上述領域的疲軟表現是綽綽有余，從而推動今年整體SSD 市場的營業收入將增長六倍。
第二季度NAND 閃存的成本大幅上升，引起SSD 價格跳漲，使其與硬盤驅動器(HDD)相比缺乏競爭力，并影響其在筆記本電腦中的普及。 NAND 閃存是SSD 中的關鍵部分，約占其價值的90%。然而，對于尋求擴展功能和降低整體功耗的企業數據中心來說，SSD 仍然是一個具有吸引力的選擇。
由于企業
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分析師指出，資本支出創下歷史新低使IC市場供應收緊，價格可能隨之上漲，但可能會發生其他不可預料的結果。
IC Insights總裁Bill McClean稱，今年半導體資本支出在銷售額中所占的比例降至12%，創歷史新低。芯片商在經歷了嚴重衰退后，對資本投入依然比較謹慎。
“我們還不知道資本支出比例12%意味著什么。”McClean說道，“我們從來沒有遇到過這種情況。”
資本支出比例在2008年為16%，2004年至2007年均在20%至
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NAND DRAM
據業者透露，東芝及其閃存合作伙伴SanDisk計劃要在明年下半年開始采用20nm級別制程來量產NAND閃存芯片。另外兩家公司在日本本州四日市(Yokkaichi)合資興建的閃存芯片廠將逐月增大閃存芯片的產能，直至達到20萬片的產能水平。
東芝公司最近已經開始32nm制程3bpc(每存儲單元3bit數據)閃存芯片的量產，按原先的計劃，合資的四日市芯片廠32nm制程芯片的產量應在今年底前達到總產量的50%左右，不過按目前的產能規劃來看，實際的量產實施時間看來已經會有所拖延。
另一方面，對手In
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