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DRAM廠和模塊廠誤判情勢 DDR2供貨吃緊
- 2009年面臨DDR2和DDR3規(guī)格交替之際，各廠紛紛壓寶氣勢如虹的DDR3氣勢，DDR2飽受冷板凳之苦許久，然現(xiàn)在風水輪流轉(zhuǎn)，DDR2受到供給減少、PC大廠又回頭青睞之故，市場意外出現(xiàn)缺貨聲浪，DRAM廠和模塊廠雙雙感嘆誤判形勢，導致現(xiàn)在DDR2庫存過低，南亞科副總白培霖即指出，DDR2在10月之后，缺貨問題將更明顯浮上臺面，且由合約價蔓延至現(xiàn)貨價，屆時1Gb DDR2現(xiàn)貨價格將看到2美元。 近期市場傳言，三星電子(Samsung Electronics)有意將1Gb DDR2價格壓在1.7美
- 關鍵字： Samsung DRAM NAND
手機內(nèi)建NAND Flash風潮
- 手機搭載記憶體分為2種形式，第1是外接快閃記憶卡，第2是內(nèi)建NAND Flash記憶體。隨著消費者對于利用手機下載多媒體影音、照片、游戲等需求日益提升，對于記憶體容量的需求更是越來越高。 過去只流行數(shù)位相片的時代，NAND Flash容量可能只要1GB或2GB即相當夠用，但數(shù)位影片的風氣盛行后，這樣的低容量產(chǎn)品已無法滿足消費者的需求，因此除了外接快閃記憶卡之外，內(nèi)建NAND Flash記憶體的風潮已開始發(fā)酵，從最早內(nèi)建4GB和8GB容量記憶體，現(xiàn)在內(nèi)建記憶體容量已提升至16GB和32GB。
- 關鍵字： Samung NAND 智能手機
全球IC市場V形反彈已啟動 增長勢頭將延續(xù)至2011年
- 市場研究公司IC Insights表示，今年1月到7月NAND flash銷售額和出貨量分別增長98%和67%，其他產(chǎn)品的業(yè)績數(shù)據(jù)也十分健康，這說明產(chǎn)業(yè)已調(diào)頭撞向V形反彈的上升階段。 從今年1月到7月，IC市場銷售額增長了43%，DRAM、MPU、模擬電路銷售額分別增長61%、57%和50%。 爆炸式的增長率當然也與今年1月半導體市場業(yè)績達到此輪衰退的最低點有關。 “IC產(chǎn)業(yè)復蘇并不會是緩慢的，而是V形增長，目前上升周期已經(jīng)開始。”IC Insights分析師
- 關鍵字： DRAM NAND MPU 模擬電路
三星NAND Flash供貨臺廠銳減50%
- 近日三星電子(Samsung Electronics)緊急通知臺系存儲器模塊廠，9月對于臺廠NAND Flash供貨量將銳減50%，迫使部分存儲器模塊廠大老板緊急前往韓國調(diào)貨;無獨有偶地，美光(Micron)日前亦告知客戶無貨可供應，加上原本供貨量有限的東芝(Toshiba)和海力士(Hynix)，目前NAND Flash產(chǎn)能呈現(xiàn)嚴重不足。存儲器業(yè)者透露，主要是蘋果(Apple)iPhone和iPod不斷追加訂單，加上手機大廠內(nèi)建NAND Flash容量倍增，使得NAND Flash產(chǎn)能幾乎被消費性大
- 關鍵字： 三星 NAND iPhone iPod
存儲器產(chǎn)業(yè)可望出現(xiàn)DRAM、NAND Flash雙好行情
- DRAM價格趨于穩(wěn)定，1Gb容量提前在9月初站上1.7美元，臺廠面對這樣美好的光景，心中還是有些疑慮，擔心三星電子(Samsung Electronics)會從中作梗，破壞DRAM價格漲勢，然現(xiàn)在蘋果(Apple)強勁追加NAND Flash訂單，且隨著智能型手機價格平民化的趨勢，未來內(nèi)建高容量存儲器普及，都讓各界相當看好2010年NAND Flash市場前景，三星在喜迎蘋果大單之余，也無暇與臺系DRAM廠廝殺，暌違多年的DRAM和NAND Flash雙好行情可望再現(xiàn)。 2009 年存儲器產(chǎn)業(yè)觸
- 關鍵字： 三星 DRAM NAND 存儲器
三星電子計劃將DRAM生產(chǎn)全數(shù)轉(zhuǎn)為使用12寸晶圓
- 韓國三星電子計畫于今年10月底前停止使用8寸晶圓生產(chǎn)DRAM，將DRAM的生產(chǎn)全數(shù)轉(zhuǎn)為使用12寸晶圓，以藉由使用產(chǎn)能效率較高的大尺寸晶圓來提高DRAM的成本競爭力。 報導指出，三星電子計畫于10月底前停止在美國德州奧斯丁(Austin)半導體工廠內(nèi)生產(chǎn)使用8寸晶圓的DRAM，加上三星電子已于今年初停止京畿道華城工廠的8寸晶圓DRAM生產(chǎn)，故待奧斯丁工廠停止生產(chǎn)后，三星電子的DRAM生產(chǎn)將全數(shù)轉(zhuǎn)為使用12寸晶圓。 彭博社曾于日前轉(zhuǎn)述韓國網(wǎng)路媒體“E-Daily”報導指
- 關鍵字： 三星 DRAM 晶圓 NAND
加大在華投資 恒憶正式入駐上海外高橋保稅區(qū)
- 全球最大NOR閃存芯片供應商之一恒憶(Numonyx)宣布，該公司已于7月12日與上海外高橋保稅區(qū)簽署廠房租賃合同，正式投資落戶上海。今天上午，恒憶總裁兼首席執(zhí)行官Brian Harrison專程赴滬考察上海研發(fā)中心新址，并拜會了外高橋保稅區(qū)管委會主任助理、功能區(qū)域黨工委副書記、管委會副主任簡大年等領導。雙方代表齊聚一堂，共同見證了這一重要歷史時刻。 恒憶正式成立于2008年3月，是由英特爾(Intel)和意法半導體(STMicroelectronics)以各自的閃存部門組成的合資企業(yè)，擁有技術(shù)
- 關鍵字： Numonyx NOR NAND RAM PCM
2012年之前NAND閃存將保持價格上升趨勢
- 美國從事半導體相關市場調(diào)查的IC Insights發(fā)布預測稱，NAND閃存市場將迎來價格上升局面。IC Insights預測，由于在需求增加的情況下各大廠商減少設備投資，造成供需緊張，因此到2012年之前平均銷售價格將繼續(xù)保持上升趨勢。 IC Insights自1993年開始就NAND閃存市場進行調(diào)查以來，NAND閃存的供貨量低于上年業(yè)績的只有2001年一次。該公司預測，今后到2013年供貨量將穩(wěn)步增加。全球經(jīng)濟低迷的2009年也不會例外。 供貨容量也將大幅增長。即使是全球經(jīng)濟低迷的200
- 關鍵字： 三星 NAND 閃存
生存在矛盾之中
- 在全球金融危機影響下，由于市場的萎縮導致大部分企業(yè)都不甚景氣，向來紅火的半導體業(yè)也感覺壓力深重。在探討未來如何發(fā)展之中，發(fā)現(xiàn)各種矛盾叢生，似乎很難作出決斷。 投入多產(chǎn)出少，能持久嗎? SanDisk CEO Eli Harari于近期闡述了自己對于NAND閃存技術(shù)未來發(fā)展的幾點看法，認為NAND閃存產(chǎn)業(yè)正處在十字路口，未來的產(chǎn)能需要和產(chǎn)品需求兩者之間脫節(jié)，也即每年投資巨大, 然而由于ASP下降導致銷售額沒有相應的增大，利潤越來越薄,目前糟糕的NAND閃存產(chǎn)業(yè)模式使得制造廠商對于建新廠已逐漸
- 關鍵字： SanDisk NAND 光刻 模擬電路 存儲器
亞太晶圓代工廠2009年下半扮演資本支出復蘇推手
- SEMI World Fab Forecast最新出爐報告，2009年前段半導體業(yè)者設備支出下滑，其中第1季的資本支出便較2008年第4季下滑26%至32億美元。然而，資本支出在2009年第2季便已呈現(xiàn)落底，目前在整個產(chǎn)業(yè)供應鏈也已經(jīng)看到穩(wěn)定回升的訊號，其中晶圓代工廠2009年下半年扮演資本支出復蘇推手，存儲器晶圓廠、后段封測則跟進。 晶圓代工廠臺積電宣布，增加2009年資本支出回復到2008年19億美元的水平，比起原本的預測提高了26%左右。隨后，臺積電第2季的投資法人說明會上，臺積電又進一步
- 關鍵字： 臺積電 晶圓代工 NAND
東芝32納米即將量產(chǎn) 群聯(lián)備戰(zhàn)將全線支持
- 面臨英特爾(Intel)和美光(Micron)陣營的壓力，東芝(Toshiba)下半年積極轉(zhuǎn)進32納米的NAND Flash制程技術(shù)，東芝原本預計32納米制程產(chǎn)量，在年底可達產(chǎn)能30%，但以目前進度來看，勢必會延后量產(chǎn)時間點，其控制芯片供應商群聯(lián)則表示，支持東芝32納米的所有產(chǎn)品線都已經(jīng)準備妥當，包括隨身碟和記憶卡的控制芯片皆然，隨時可進入量產(chǎn)階段。此外，群聯(lián)8月營收將持續(xù)成長，估計月增率可達10%以上，8月毛利率可微幅高于7月，整體第3季獲利持續(xù)上揚。 東芝43納米制程量產(chǎn)成熟，下半年積極轉(zhuǎn)進
- 關鍵字： 東芝 32納米 NAND
2013年閃存需求規(guī)模將達到08年的11倍
- 根據(jù)配備各種存儲器的電子終端等的產(chǎn)量，筆者預測了2013年之前NAND型閃存和DRAM的需求走勢。預測結(jié)果為，1990年代曾經(jīng)拉動半導體元件投資增長的DRAM即將完成其使命，NAND型閃存將取而代之，一躍成為投資主角。 按8Gbit產(chǎn)品換算，NAND需求規(guī)模將達到400億個 《日經(jīng)市場調(diào)查》的調(diào)查結(jié)果顯示，按8Gbit產(chǎn)品換算，2013年NAND型閃存的需求規(guī)模將達到約400億個。這一規(guī)模相當于2008年的11倍左右。支持需求增長的產(chǎn)品是個人電腦用SSD(固態(tài)硬盤)。不過，SSD市場要到2
- 關鍵字： 三星 DRAM NAND
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