nand flash 文章最新資訊

海力士：一季度DRAM芯片平均售價季漲3%

　　以收入計全球第二大電腦記憶芯片制造商海力士半導體公司(Hynix Semiconductor Inc.)22日公布，一季度公司動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)平均售價季比上升3%，09年四季度漲幅為26%。　　然而，海力士半導體公司在一份聲明中稱，一季度NAND快閃記憶芯片售價季比下降8%，09年四季度降幅為5%。　　該公司補充道，一季度DRAM芯片發(fā)貨量季比上升6%，NAND芯片發(fā)貨量季比持平。　　海力士半導體公布，該公司一季度營業(yè)利潤率為28%，09年四季度該公司營業(yè)利潤率為25%。
關鍵字：海力士 NAND DRAM

抓緊景氣回升 IM Flash新加坡廠提前運作

　　英特爾(Intel)和美系記憶體大廠美光(Micron)所成立的合資企業(yè)IM Flash，為了趕上半導體業(yè)2010年牛氣沖天的景氣，決定讓新加坡廠重啟營運。　　2005年英特爾和美光因看好NAND Flash市場，遂于2006年初合資成立IM Flash，由英特爾出錢出力，美光則提供技術，由IM Flash專門為這2家公司生產(chǎn)NAND Flash。但在半導體景氣循環(huán)來到低點，再加上金融海嘯的沖擊下，IM Flash受到嚴重沖擊，在2008年IM Flash裁員800人，花費35億美元打造，本應于2
關鍵字：三星電子 NAND Flash

三星電子全球率先批量生產(chǎn)20納米制程NAND閃存

　　據(jù)外電報道，三星電子表示，該公司從上周末開始批量生產(chǎn)20納米制程32GB多層單元(MLC)NAND閃存。　　20納米制程32GB多層單元NAND閃存的生產(chǎn)性，比30納米制程高50%左右。三星電子在全球半導體行業(yè)率先投入到了量產(chǎn)。　　三星電子相關負責人表示，公司同時開發(fā)20納米制程32GB多層單元專用controller，確保了與30納米級NAND閃存相同的穩(wěn)定性。　　三星電子的20納米制程NAND閃存將先用于手機存儲卡SD卡。　　此外，今年2月公布開發(fā)20納米制程64GB NAND閃存
關鍵字：三星電子 20納米 NAND

C8051F35X單片機內(nèi)部Flash存儲器的擦寫方法

摘要：為避免在程序運行時向單片機內(nèi)置的Flash寫入數(shù)據(jù)導致復位，采用調(diào)用鎖定與關鍵碼的操作方法對C2805lF35X型單片機的Flash進行擦除、寫入和讀取操作，并提供程序范例。該方法無需任何接口電路，使用方便，成本低
關鍵字：擦寫方法存儲器 Flash 單片機內(nèi)部 C8051F35X

Nand+Flash存儲管理在DSP系統(tǒng)中的實現(xiàn)

Nand+Flash存儲管理在DSP系統(tǒng)中的實現(xiàn),　Nand Flash作為一種安全、快速的存儲體，因其具有體積小、容量大、成本低、掉電數(shù) 據(jù)不丟失等一系列優(yōu)點，已逐步取代其它半導體存儲元件，成為嵌入式系統(tǒng)中數(shù)據(jù)存儲的主要載體。盡管Nand Flash的每個單元塊相互獨
關鍵字：系統(tǒng) 實現(xiàn) DSP 管理 Flash 存儲 Nand

三星第一季營業(yè)利潤38億美元同比猛增7倍

　　據(jù)國外媒體報道，三星電子今天發(fā)布的財報顯示，受益于PC需求增加以及電視價格上漲，該公司第一季度營業(yè)利潤同比猛增7倍。　　利潤增長　　三星的初步財報顯示，該公司第一季度營業(yè)利潤約為4.3萬億韓元(約合38億美元)，上下浮動區(qū)間為2000億韓元，去年同期調(diào)整后營業(yè)利潤僅為 5900億韓元。根據(jù)彭博社的調(diào)查，15名分析師此前對三星營業(yè)利潤的中位數(shù)預期為4.27萬億韓元。　　外界預計，受到存儲芯片以及平板顯示器價格上漲的刺激，三星第一季度將創(chuàng)下今年最好業(yè)績。受此影響，三星股價周一創(chuàng)下歷史新高。分析
關鍵字：三星電子 NAND 存儲芯片

分析師認為全球芯片市場仍有支撐點

　　按Benchmark Euqity研究公司報道, 緊接著2009年未的迅速地復蘇, 進入2010年時全球半導體業(yè)在數(shù)量上仍有15-20%的增長。　　按Benchmark的分析師Gary Mobley的看法, 從2009年1月的谷底算起,全球芯片出貨量己經(jīng)增長大於75%。在相同的期間美國費城半導體指數(shù)也增長相近的量。　　當大部分工業(yè)分析師都認為今年半導體市場有20%的增長時,Benchmark分析師相信今年非　　?？赡苡?2%-24%的增長。　　其中某些芯片的庫存包括存儲器，部分模擬電路
關鍵字：芯片 NAND 智能手機

嵌入式系統(tǒng)中Nand-Flash的原理及應用

嵌入式系統(tǒng)中Nand-Flash的原理及應用,當前各類嵌入式系統(tǒng)開發(fā)設計中，存儲模塊是不可或缺的重要方面。NOR和NAND是目前市場上兩種主要的非易失閃存技術。Nor-flash存儲器的容量較小、寫入速度較慢，但因其隨機讀取速度快，因此在嵌入式系統(tǒng)中，常應用在程
關鍵字：應用原理 Nand-Flash 系統(tǒng) 嵌入式

09年全球前十大NAND供應商排行榜出爐

　　市場研究機構Web-Feet Research公布2009年全球NAND閃存供貨商排行榜，三星電子(Samsung Electronics)仍穩(wěn)居市占率第一名位置，其后則是東芝(Toshiba)與SanDisk;SanDisk的表現(xiàn)意外亮眼，領先美光(Micron)、海力士(Hynix)與英特爾(Intel)。　　在其它市場研究機構的排行榜中，SanDisk往往并未列名，因為在某些情況下該公司是與合作伙伴東芝視為一體。Web-Feet Research報告中列出了17家閃存制造商的出貨成績，東芝與
關鍵字：三星電子 NAND

2009年亞太半導體供應商表現(xiàn)出色

　　來自調(diào)研公司 iSuppli的統(tǒng)計顯示，2009年半導體產(chǎn)業(yè)整體處于下滑狀態(tài)，但總部在亞太地區(qū)的半導體供應商卻實現(xiàn)了逆勢上漲。　　亞太區(qū)供應商專注熱門產(chǎn)品　　iSuppli調(diào)研結(jié)果顯示，2009年總部位于亞太地區(qū)的半導體供應商合計營業(yè)收入實際增長2.3%，從2008年的435億美元上升到445億美元。相比之下，2009年全球半導體營業(yè)收入銳減11.7%，從2008年的2602億美元降至2299億美元。　　“去年芯片產(chǎn)業(yè)形勢黯淡，而亞太地區(qū)的供應商卻設法實現(xiàn)了增長，因為他們專注于
關鍵字：芯片 NAND

東芝計劃耗資150億日元生產(chǎn)25納米閃存

　　東芝公司今年計劃耗資150億日元(約合1.6億美元)興建一條試驗生產(chǎn)線，生產(chǎn)小于25納米制程的NAND閃存芯片。　　目前東芝生產(chǎn)的NAND閃存是采用32與43納米技術，主要應用于手機及數(shù)字相機等電子消費產(chǎn)品。為生產(chǎn)新的25納米制程以下的芯片，需使用較短光波的極紫外光微影(EUV lithography)技術，因此，東芝也將進行相應的技術升級。目前，東芝已向荷蘭半導體微影系統(tǒng)大廠ASML訂購設備，預計在今年夏天試驗投產(chǎn)。消息一經(jīng)公布，東芝在股市中漲幅達3.5%，遠遠超過同類電氣機器指數(shù)0.8%的漲幅
關鍵字：東芝 NAND 閃存

Micron發(fā)布季度報告 DRAM銷售環(huán)比增長24%

　　Micron Technology, Inc.(Nasdaq:MU)近日宣布了截至于2010年3月4日的2010財年第二季度的運營成果。對于2010財年的第二季度，該公司取得了可歸屬于其股東的3.65億美元，合攤薄股每股0.39美元的凈收入，其凈銷售額達近20億美元。相比之下，2010財年第一季度的凈收入為2.04億美元，合攤薄股每股0.23美元，凈銷售額為17.4億美元，并且2009財年第二季度的凈虧損為7.63億美元，合攤薄股每股0.99美元，凈銷售額為10億美元。2010財年之前各個時期的金額及
關鍵字： Micron NAND Flash

TMS320C6713B DSP的外部FLASH引導

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡家園
關鍵字： TMS320C6713B DSP Flash

海力士預期今年營收將達10年高點

　　由于目前存儲器供應短缺、供不應求，全球第2大存儲器廠商海力士(Hynix)預期2010年的營收可望達到10年來的最高點。　　目前DRAM市場正處于供不應求的狀態(tài)。自2009年全球經(jīng)濟逐漸回溫后，企業(yè)放寬支出，對個人計算機(PC)的需求也回升，光是2010年PC銷量就可能較2009年增加10%，帶動了DRAM的需求量上升。　　另外，智能型手機(Smartphone)、平板計算機(Tablet PC)及其它行動設備的市場規(guī)模日增，也讓NAND Flash的需求量不斷攀升。但相對于存儲器芯片需求量節(jié)
關鍵字： Hynix NAND 存儲器芯片

閃存密集型產(chǎn)品需求上升 NAND價格穩(wěn)定帶來正面環(huán)境

　　據(jù)iSuppli公司，由于來自高密度應用的需求上升以及供應商的產(chǎn)量穩(wěn)步增長，NAND閃存價格波動了兩年之后，該市場已恢復穩(wěn)定。　　第一季度NAND平均價格下降4%，而2009年第四季度是下降1.4%。相比于這些相對溫和的變化，2009年第一季度大漲34%。　　NAND價格持續(xù)透明，導致2009年第四季度營業(yè)收入創(chuàng)出最高記錄，使得多數(shù)NAND供應商對于2010年持有非常樂觀的看法。在智能手機和microSD卡等高密度應用的推動下，市場對于NAND閃存的需求不斷增長，也增強了廠商的信心。這種旺盛需
關鍵字：閃存 NAND

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nand flash介紹

　Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。　　NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進行，如果目標區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細 ]