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        nand flash 文章 最新資訊

        爾必達赴臺設NAND Flash研發中心

        •   據了解,日商爾必達已決定來臺設立研發中心,且選定投入高階技術NAND Flash領域。爾必達來臺投資研發中心金額約在50、60億新臺幣,未來將與力晶等日系半導體業者進一步合作。   據悉,爾必達與臺灣創新存儲器公司(TIMC)合作雖然破局,但爾必達與臺灣業者聯合抗韓的意圖依舊存在,政府單位與爾必達互動密切,爾必達已于日前向經濟部遞出在臺設立研發中心的初步計劃書,經濟部正進行審查中。   官員透露,爾必達來臺設立研發中心的計劃相當成熟,已進入實質合作內容洽談中,研發中心切入的產品并非一般的動態存儲器
        • 關鍵字: TIMC  NAND  DRAM  

        亞洲需求成全球半導體市場強力支撐

        •   全球半導體市場需求成長已優于2008年秋季金融危機爆發前的水平,2010年5月半導體銷售額續創新高。就地區別來看,含大陸在內的亞太市場占全球銷售比重已過半并持續成長中,已成為全球半導體市場需求的強力支撐。然因市場對歐洲經濟成長仍持疑慮,2010年秋季后市場需求動態值得關注。   美國半導體產業協會(SemiconductorIndustryAssociation;SIA)日前公布的統計數據指出,金融危機爆發前全球半導體銷售高峰為2007年11月的231.2億美元,而2010年5月全球半導體銷售額達2
        • 關鍵字: DRAM  NAND  

        SEMICON West來臨之際那些分析師說些什么?

        •   編者點評:每年的SEMICON West時,時間己經過半,所以業界都會關心下半年與未來會是怎么樣。2010年半導體業可能十分亮麗,似乎已成定局。然而對于設備業看似今年的增長幅度達90%,但是許多設備公司仍是興奮不起來,因為2010年業績的增長仍顯不足于彌補之前的損失。而未來的前景有點模糊,增長點來自哪里?似乎誰也說不清楚。   SEMICON West美國半導體設備展覽會即將開幕,與去年全球IC下降不同,如今半導體設備業有點紅火。   按市場調研公司 VLSI預計,2010年半導體設備業增長96%
        • 關鍵字: 半導體設備  NAND  DRAM  

        力晶聚焦NAND Flash 挑戰20納米

        •   近期臺灣創新存儲器公司(TIMC)獲得經濟部補助,聯合茂德、晶豪打算從NAND Flash產業重起爐灶,加上力晶、旺宏亦紛投入NAND Flash市場,3方人馬點燃臺灣NAND Flash戰火。力晶董事長黃崇仁6日表示,力晶耕耘NAND Flash產業6年來投入新臺幣70億元,是臺灣血統最純正技術,目前力晶NAND Flash技術腳步相較于國際大廠仍晚1個世代,但若未來成功走向20納米制程,對臺灣NAND Flash研發是很大突破。   事實上,力晶NAND Flash產品系師承日商瑞薩(Renes
        • 關鍵字: TIMC  NAND   

        TMS320C6201DSP處理器與FLASH存儲器接口設計

        • 電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
        • 關鍵字: TMS320C6201DSP  處理器  Flash  

        NAND閃存芯片價格三季度將上漲

        •   據iSuppli稱,隨著消費電子廠商準備圣誕假日的產品,今年第三季度NAND閃存芯片將供不應求。   iSuppli高級半導體分析師Rick Pierson說,當市場供貨量緊張的時候,平均銷售價格將上漲。NAND閃存芯片一般用于數碼相機、智能手機和視頻攝像機等電子產品存儲數據。   今年第二季度NAND閃存芯片供貨量充足導致價格出現下降的趨勢。但是,智能手機等產品正在集成視頻攝像機等組件,從而產生了額外的存儲需求。   廠商產量不會由于超過了需求而進行限制。但是,供應商將根據合同義務和關系向關鍵
        • 關鍵字: NAND  閃存芯片  

        因供不應求 NAND 閃存芯片價格三季度將上漲

        •   據iSuppli稱,隨著消費電子廠商準備圣誕假日的產品,今年第三季度NAND閃存芯片將供不應求。   iSuppli高級半導體分析師Rick Pierson說,當市場供貨量緊張的時候,平均銷售價格將上漲。NAND閃存芯片一般用于數碼相機、智能手機和視頻攝像機等電子產品存儲數據。今年第二 季度NAND閃存芯片供貨量充足導致價格出現下降的趨勢。但是,智能手機等產品正在集成視頻攝像機等組件,從而產生了額外的存儲需求。   廠商產量不會由于超過了需求而進行限制。但是,供應商將根據合同義務和關系向關鍵的合作
        • 關鍵字: NAND  閃存芯片  

        controller_4G08的方案設計 實現了FPGA對Flash的控制

        • 本文設計了一個Flash控制器controller_4G08,它建立了自己的指令集,可以方便地實現FPGA對Flash的控制和讀寫操作。FPGA主狀態機可以在系統時鐘頻率下對controller_4G08發送指令,然后等待controller_4G08返回的中斷
        • 關鍵字: Flash  控制  FPGA  實現  方案設計  controller_4G08  

        華邦:NOR Flash市場缺口達20%

        •   華邦總經理詹東義表示,NOR Flash市場供不應求的情況仍然嚴重,估計市場缺口約20%,第3季的NOR Flash價格仍會持續調漲,甚至對于第4季營運都相當樂觀,尤其是華邦在客戶策略上,逐漸集中在一線客戶之后,受到全球景氣波動的影響相對較小。   華邦表示,若扣除重覆下單(Double Booking),目前NOR Flash市場缺口約20%,華邦的優勢在于質量、成本和交期穩定。目前對于NOR Flash產能的規劃,仍由目前的7,000片提升至年底1萬片水平,但預計這樣的產能水平仍無法滿足客戶需求
        • 關鍵字: 華邦  NOR  Flash  

        基于FPGA的K9F4G08 Flash控制器設計

        • 摘要:設計了一種能使FPGA的主狀態機直接管理Flash的控制器,該控制器具有自己的指令集和中斷管理方式。...
        • 關鍵字: FPGA  Flash  K9F4G08  

        基于M25P32 SPI Flash的TFFS設計與實現

        • 本文對VxWorks下TFFS文件系統的層次結構和FTL層的啟動過程、塊映射算法、垃圾回收算法以及用FTL創建DOSFS進行了分析,給出了在M25P32 SPI Flash上創建TFFS文件系統和將TFFS掛在DOSFS的實現方法。通過對TFFS核心層FIL的分析給出的TFFS實現方法,可以從更基礎的層面來認識VxWorks中的TFFS文件系統,從而給TFFS文件系統的問題定位和實現帶來新的方法。
        • 關鍵字: M25P32  Flash  TFFS  SPI    

        三星電子擬向其美國芯片生產廠投入36億美元

        •   6月10日消息,據路透社報道,全球最大的記憶體芯片生產商韓國三星電子周四表示,計劃投資36億美元,擴大其在美國的芯片生產能力。   三星電子的海外唯一一家芯片廠就設在美國得克薩斯州的奧斯汀,此次產能擴增主要是針對生產大型積體電路(LSI)芯片的設備。   奧斯汀工廠主要生產用于手機和數碼相機的NAND型閃存芯片。三星電子在聲明中稱,工廠擴產計劃還包括增聘500名員工。
        • 關鍵字: 三星電子  NAND  

        10個理由看好或看衰半導體業

        •   至此,對于今年全球電子工業的看法是樂觀的,而且是有相當大的增長。   但是作為一個編輯者仍有些擔憂,以下是對于2010年有10個理由來看好或者是看衰半導體業。   1. IC熱,然后冷   Gartner分析師Bryan Lewis及Peter Middleleton表示,2010年全球半導體銷售額達2900億美元, 與2009年銷售額2280億美元相比增長27.1%。與Gartner之前在第一季度的預測,2010年增長19.9%相比有明顯提高。   芯片銷售額的增長明顯超過系統產品銷售額的增
        • 關鍵字: 半導體  DRAM  NAND  

        存儲器市場高漲 20大IC供應商重排座次

        •   按IC Insight報告,在DRAM 及NAND市場高漲下,導致與之相關連的全球前20大半導體制造商排名中有10家位置發生更迭。   IC Insight的McLean的5月最新報告表示,Toshiba、Hynix、Micron及Elpida存儲器廠,它們的排名至少前進了一位,其中 Elpida前進了6位,列于第10。   同時列于第2的三星電子,估計2010年它的銷售額離300億美元僅一步之遙,IC銷售額增長達50%以上。   三星在本月初時,它將擴大今年半導體的投資達96億美元, 也即表示
        • 關鍵字: DRAM  NAND  半導體制造  
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        nand flash介紹

         Nand-flash內存是flash內存的-種,其內部采用非線性宏單元模式,為固態大容量內存的實現提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大,改寫速度快,適用于大量數據的存儲,因而在業界得到了越來越廣泛的應用,如嵌入式產品中包括數碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。   NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區域進行,如果目標區域已經有數 [ 查看詳細 ]

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