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        nand flash 文章 最新資訊

        NAND產業經受住了日本地震的打擊

        •   日本災害造成巨大的人員傷亡,一年后,繼續給日本民眾與經濟留下難以磨滅的印跡。但是,在制造業方面存在一線希望,即災害對于NAND閃存產業的影響不大而且只是暫時影響。這是日本的主要產業之一。據IHS公司的資料與分析,在日本發生災害一年后,由于平板電腦、智能手機和固態硬盤(SSD)等需要大量存儲的應用需求上升,NAND產業繼續增長。   受日本災害影響最大的NAND閃存供應商是東芝。它的兩家NAND芯片廠Fab 3和Fab 4占全球NAND產能的35%,位于距離震中500英里的四日市。在地震之后,這兩家工
        • 關鍵字: 東芝  NAND  

        2011年第四季度NOR閃存營業收入環比下降9%

        •   據IHS iSuppli公司的移動市場存儲報告,由于經濟形勢糟糕和泰國洪災導致PC出貨量下降,2011年第四季度NOR閃存營業收入環比下降9%。   2011年第四季度NOR閃存營業收入從第三季度的10.5億美元降至9.53億美元。第二季度NOR營業收入略有增長,從11.6億美元上升到11.7億美元,如圖2所示。   第四季度NOR營業收入下降的主要原因,是10月泰國發生洪災導致PC出貨量減少。洪水破壞了泰國的硬盤工廠,造成硬盤短缺,導致PC銷量下降。NOR營業收入減少的其它原因包括:在全球經濟黯
        • 關鍵字: NOR  NAND  

        蘋果轉單海力士 三星NAND營收比重略減

        •   市場研究機構DIGITIMESResearch專桉經理徐康沛分析指出,全球最大記憶體製造商三星電子(SamsungElectronics)受主要客戶蘋果(Apple)將NANDFlash大部分訂單轉予海力士(Hynix)的影響,2011年第四季NANDFlash營收較前季約減少5%,DRAM營收則微增,使NANDFlash佔該公司記憶體營收比重降至38%,佔全球NANDFlash營收比重亦續降至34.6%。   反觀海力士,其NANDFlash佔公司營收比重則維持在30%,佔全球NANDFlash營
        • 關鍵字: 三星  NAND  

        Flash單片機自編程技術介紹

        • Flash的可自編程性(Self-Programmability)是指,用Flash存儲器中的駐留軟件或程序對Flash存儲器進行擦除/編程,但是,要求運行程序代碼的存儲區與待編程的存儲區不在同一模塊中。因此,只有一個片上Flash存儲器模塊
        • 關鍵字: 介紹  技術  編程  單片機  Flash  

        利用NAND Flash實現嵌入式系統的遠程更新

        • 利用NAND Flash實現嵌入式系統的遠程更新,引言
          嵌入式系統在各個領域有著廣泛的應用,嵌入式系統的維護與升級也變得日益重要。由于新技術的不斷涌現和對系統功能、性能等要求的不斷提高,開發者必須能夠針對系統進行升級和維護,以延長系統的使用周期,
        • 關鍵字: 系統  遠程  更新  嵌入式  實現  NAND  Flash  利用  

        固態硬盤每GB容量價格將跌破1美元

        •   1GB 1美元——這很久以來就被視為固態硬盤真正全民普及、成為大眾化主流配置的一道門檻,而根據DRAMeXchange的最新報告,今年下半年就能以低于1GB 1美元的價格買到固態硬盤。20nm、19nm等最新NAND閃存工藝將在今年下半年投入大規模量產,閃存芯片的成本也會進一步降低,每 GB將會不足1美元。DRAMeXchange預計,在那之后超極本、超輕薄本都會從混合硬盤過渡到純粹的固態硬盤,而后者的主流容量也將升至 128GB。   隨著Intel Ivy Bridge處
        • 關鍵字: 固態硬盤  NAND  

        基于MCU內部Flash的在線仿真器設計方案

        • 基于MCU內部Flash的在線仿真器設計方案,摘要:提出了一種基于MCU內部Flash的仿真器設計方法,并完成了設計和仿真。由于市場對MCU功能的要求總是不斷變化和升級,MCU應用的領域也不斷擴展,因此往往需要對最初的設計進行修改。Flash MCU與以往OTP/MASK MCU相
        • 關鍵字: 仿真器  設計  方案  在線  Flash  MCU  內部  基于  

        NAND閃存存儲器的自適應閃存映射層設計

        • NAND閃存存儲器的自適應閃存映射層設計,閃存存儲器主要分為NAND和XOR兩種類型,其中NAND型是專為數據存儲設計。本文的閃存映射方法主要是針對NAND類型的閃存芯片。一個NAND類型的閃存芯片的存儲空間是由塊(Block)構成,每個塊又劃分為固定大小的頁,塊是擦
        • 關鍵字: 閃存  設計  映射  存儲器  NAND  適應  

        一種基于MCU內部Flash的在線仿真器設計方法

        Flash存儲器Am29F040結構分析

        •  Am29F040是AMD公司生產的Flash存儲器,主要作用是固化程序和保存歷史數據,也就是開機后執行閃存的程序,并在程序執行的過程中實時地保存或修改其內部的數據單元。下面首先介紹Am29F040的特點和操作。Am29F040是采
        • 關鍵字: Flash  F040  040  29F    

        基于磨損均衡思想的Nand Flash存儲管理在TMS320F28x中的實現

        • 基于磨損均衡思想的Nand Flash存儲管理在TMS320F28x中的實現, Nand Flash作為一種安全、快速的存儲體,因其具有體積小、容量大、成本低、掉電數 據不丟失等一系列優點,已逐步取代其它半導體存儲元件,成為嵌入式系統中數據存儲的主 要載體。盡管Nand Flash的每個單元塊相互獨
        • 關鍵字: 存儲  管理  TMS320F28x  實現  Flash  Nand  磨損  均衡  思想  

        并行NOR Flash在SOPC開發中的應用

        • 并行NOR Flash在SOPC開發中的應用,摘要 討論Intel STrataFlash 3V Memory系列的JS28F128J3D75并行NOR flash在基于Xilinx MicroBlaze的SOPC開發中的4種不同用途。J3D Flash可以用于存儲FPGA配置比特流、可引導的軟處理器代碼、可直接執行的軟處理器代碼
        • 關鍵字: 開發  應用  SOPC  Flash  NOR  并行  

        基于Flash的大容量高速數據記錄儀設計

        • 基于Flash的大容量高速數據記錄儀設計,現今嵌入式存儲產品已滲透進人們生活工作中的方方面面,從ATM 機到手持通訊設備。社會對嵌入式產品的性能也有越來越高的要求:大容量,高速度,斷電保護,體積限制等等。當前數據記錄儀的容量和速度普遍偏小。本文旨
        • 關鍵字: 記錄儀  設計  數據  高速  Flash  大容量  基于  

        大容量FLASH在單片機臺標系統中的應用

        • 1 引 言FLASH是一種兼有紫外線擦除EPROM和電可擦可編程只讀存儲器(E2PROM)兩者優點的新型非易失存儲器。由于它可在線進行電可擦除和編程,芯片每區可獨立擦寫至少10,000次以上,因而對于需周期性地修改被儲存的代
        • 關鍵字: 系統  應用  臺標  單片機  FLASH  大容量  

        全球第四季度NAND閃存芯片市場規模達到48.9億美元

        •   據媒體報道,根據亞洲最大芯片現貨市場的交易商集邦科技(DramexchangeTechnologyInc)提供的最新數據,2011年第四季度全球第四季度NAND閃存芯片市場規模達到48.9億美元,環比下滑了8.6%。三星電子依然是該市場的龍頭,市場份額達到了34.6%。   集邦科技提供的數據顯示,NAND閃存出貨環比增長了大約5%,而平均銷售價格則環比下滑了13%。集邦科技指出,雖然存儲卡和閃存的零售增幅依然緩慢,但是智能手機和平板電腦制造商對閃存的需求依然非常強勁。   集邦科技指出,三星電子
        • 關鍵字: 海力士  NAND  
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        nand flash介紹

         Nand-flash內存是flash內存的-種,其內部采用非線性宏單元模式,為固態大容量內存的實現提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大,改寫速度快,適用于大量數據的存儲,因而在業界得到了越來越廣泛的應用,如嵌入式產品中包括數碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。   NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區域進行,如果目標區域已經有數 [ 查看詳細 ]

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