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        ARM編程中Flash ROM驅動示例

        作者: 時間:2013-12-04 來源:網絡 收藏

        Intel 芯片 i28f160,i28f320:

        i28F320B: 64*64K,64個blocks,4M空間,每個block 64K,第一個64K由8個8*8K小blocks組成.

        每個Black可以被獨立擦寫(壽命周期) 100,000次以上

        操作的大概步驟:

        flash讀寫操作中,讀應該很簡單,和RAM一樣,寫就復雜一點.
        IntelTE28F320C3的flash是4M空間
        flash空間,劃分成許多的block,IntelTE28F320C3的flash是4M空間,64個block,每個block由64K.
        要對所有的block單獨進行操作,每個操作結束,都需要判斷狀態,
        每個block操作的大概步驟如下:
        1.unlock
        2.erase
        3.checkempty
        所有的block完成上述操作,且狀態正確,才能進行下一步,寫
        4.write

        arm匯編程序

        LDR r2,=Base ;Flash起始地址

        //第一步,UNLOCK的64個block,步驟和上邊一樣


        MOV r1,#63 ;63x64kblock 計數


        01 LDRB r3,=X16_FLASH_COMMAND_CONFIG_SETUP

        STRB r3,[r2] ;該block的首地址

        LDRBr3,=X16_FLASH_COMMAND_UNLOCK_BLOCK

        STRB r3,[r2] ;將Unlock命令寫入

        ADD r2,r2,#0x10000 ;64K
        SUBS r1,r1,#1
        BNE %b01
        ;UnlockOK ;Unlock 完成

        //第二布,擦除blocks

        LDR r0, =FlashBase
        LDR r1,=63 ;擦除 63x64k block
        01 LDR r3, =X16_FLASH_COMMAND_ERASE
        LDR r2, =X16_FLASH_COMMAND_CONFIRM
        ORR r3, r3, r2, LSL #16
        STR r3, [r0]
        LDR r3, =X16_FLASH_COMMAND_STATUS;檢查寄存器狀態
        STRB r3, [r0]
        02 LDRB r3, [r0] ;讀狀態
        TST r3, #X16_FLASH_STATUS_READY
        BEQ %b02 ;若狀態ready,執行下一個
        TST r3, #X16_FLASH_STATUS_ERROR
        BNE error_erase_block
        ADD r0, r0, #0x10000
        SUBS r1, r1, #1
        BNE %b01
        B EraseOK
        error_erase_block
        ..............
        ;EraseOK ;擦除完成

        //第三步,檢查flash是否為空

        ;Check Flash Empty
        LDR r4, =FlashBase
        LDR r5, =0x100000 ;檢查 1MB
        LDR r0, =0xffffffff
        loop_1
        LDR r1, [r4]
        CMP r1, r0 ;比較地址內容和0xffffffff
        BNE empty_error
        ADD r4, r4, #4
        CMP r4, r5
        BLO loop_1
        B CheckOK
        empty_error
        .................
        CheckOK
        .................

        ;Check empty OK ;檢查完成

        //第四步,寫flash

        ;Burn data to Flash ROM

        LDR r6, =Length_Flash ;定義數據長度
        LDR r0, =FlashBase
        LDR r1, =BufferBase
        MOV r9, #0
        LDR r4,=0x10000000
        LDR r7,=0xc0001000
        STR r4, [r7]
        LDR r1, [r1, r9]

        03 LDR r3, =X16_FLASH_COMMAND_WRITE
        STRB r3, [r0] ;把寫命令放入Block首地址
        LDR r3, =X16_FLASH_COMMAND_STATUS
        LDR r2, [r7]
        LDR r5, =0x0000ffff
        AND r2, r2, r5
        ORR r2, r2, r3, LSL #16
        STR r2, [r0]
        02 LDR r3, [r0] ;讀狀態寄存器狀態
        TST r3, #X16_FLASH_STATUS_READY
        BEQ %b02 ;若狀態ready,執行下一個

        LDR r3, =X16_FLASH_COMMAND_WRITE
        LDR r2, [r7]
        LDR r5, =0xffff0000 ;
        AND r2, r2, r5
        ORR r3, r3, r2
        STR r3, [r0]

        LDR r3, =X16_FLASH_COMMAND_STATUS
        STRB r3, [r0]
        02 LDR r3, [r0] ; read status
        TST r3, #X16_FLASH_STATUS_READY
        BEQ %b02

        LDR r4, =X16_FLASH_COMMAND_READ
        STRB r4, [r0]
        ADD r0, r0, #4
        LDR r8, [r7]
        ADD r8, r8,#1
        STR r8, [r7]
        ADD r8, r8, #4
        writenext

        SUBS r6, r6, #4 ;if no finished goto 03
        BHI %b03
        TST r3, #X16_FLASH_STATUS_ERROR
        BNE error_write
        LDR r3, =X16_FLASH_COMMAND_READ
        STRB r3, [r0]
        B BurnOK
        error_write
        ..........
        BurnOK



        關鍵詞: ARM編程 Flash ROM驅動

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