根據TrendForce集邦咨詢最新調查,2024年第三季NAND Flash產業出貨量位元季減2%,但平均銷售單價(ASP)上漲7%,帶動產業整體營收達176億美元,季增4.8%。TrendForce集邦咨詢表示,不同應用領域的NAND
Flash價格走勢在今年第三季出現分化,企業級SSD需求強勁,推升價格季增近15%,消費級SSD價格雖有小幅上漲,但訂單需求較前一季衰退。智能手機用產品因中國手機品牌嚴守低庫存策略,訂單大量減少,第三季合約價幾乎與上季持平。Wafer受零售市場需求疲軟影響,合約價反
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NAND Flash 企業級SSD TrendForce 集邦咨詢
據韓媒報道,稱三星電子在生產 3D NAND 閃存方面取得重大突破,在其中光刻工藝中大幅縮減光刻膠(PR)用量,降幅達到此前用量的一半。報道稱,此前每層涂層需要7-8cc的光刻膠,而三星通過精確控制涂布機的轉速(rpm)以及優化PR涂層后的蝕刻工藝,現在只需4-4.5cc。此外,三星使用了更厚的氟化氪(KrF)光刻膠,通常情況下一次工藝形成1層涂層,而使用更厚的光刻膠,三星可以一次形成多個層,從而提高工藝效率,但同時也有均勻性問題。東進半導體一直是三星KrF光刻膠的獨家供應商,為三星第7代(11微米)和第
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三星 光刻膠 3D NAND
業界領先的半導體器件供應商兆易創新GigaDevice近日宣布,旗下GD25/55全系列車規級SPI NOR Flash獲得由國際公認的測試、檢驗和認證機構SGS授予的ISO 26262:2018 ASIL D汽車功能安全認證證書。這一成就不僅有力印證了GD25/55全系列車規級SPI NOR Flash在嚴苛汽車應用場景中的卓越安全性能和可靠性,也進一步鞏固了公司在SPI NOR Flash領域的領導地位。隨著汽車電子電氣組件數量的指數級增長,其安全性需求日益凸顯。ISO 26262作為國際權威汽車功能
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兆易創新 SPI NOR Flash
據韓媒報道,三星近期將開始銷售前端和后端生產線的舊設備,其中包括位于中國西安的NAND工廠。報道稱,三星近期正在半導體部門(DS)實施大規模成本削減和產線調整,并正在考慮出售其中國半導體生產線的舊設備。預計出售程序將于明年正式開始,銷售的設備大部分是100級3D NAND設備。自去年以來,三星電子一直致力于將其西安工廠的工藝轉換為200層工藝。
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三星 西安 NAND
10 月 29 日消息,《韓國經濟日報》當地時間昨日表示,根據其掌握的最新三星半導體存儲路線圖,三星電子將于 2026 年推出的下代 V-NAND 堆疊層數超過 400,而預計于 2027 年推出的 0a nm DRAM 則將采用 VCT 結構。三星目前最先進的 NAND 和 DRAM 工藝分別為第 9 代 V-NAND 和 1b nm(12 納米級)DRAM。報道表示三星第 10 代(即下代) V-NAND 將被命名為 BV(Bonding Vertical) NAND,這是因為這代產品將調
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三星 存儲 V-NAND
IT之家?10 月 15 日消息,根據 TrendForce 集邦咨詢最新調查,NAND Flash 產品受 2024 年下半年旺季不旺影響,wafer 合約價于第三季率先下跌,預期第四季跌幅將擴大至 10% 以上。IT之家注意到,模組產品部分,除了 Enterprise SSD 因訂單動能支撐,有望于第四季小漲 0% 至 5%;PC SSD 及 UFS 因買家的終端產品銷售不如預期,采購策略更加保守。TrendForce 預估,第四季 NAND Flash 產品整體合約價將出現季減 3% 至
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NAND 閃存 存儲 市場分析
三星電子今日宣布成功開發其首款基于第八代V-NAND技術的PCIe 4.0車載SSD。三星新款AM9C1車載SSD憑借行業前沿的速度和更高的可靠性,成為適配車載應用端側人工智能功能的解決方案。三星新款256GB AM9C1車載SSD相比前代產品AM991,能效提高約50%,順序讀寫速度分別高達4,400MB/s和400MB/s。三星半導體基于第八代V-NAND技術的車載SSD AM9C1三星電子副總裁兼存儲器事業部汽車業務負責人Hyunduk Cho表示:“我們正在與全球自動駕駛汽車廠商合作,為這些企業提
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三星電子 V-NAND 車載SSD
9月24日消息,今日,三星電子宣布成功開發其首款基于第八代V-NAND 技術的PCIe 4.0車載SSD——AM9C1。相比前代產品AM991,AM9C1能效提高約50%,順序讀寫速度分別高達4400MB/s和400MB/s。三星表示,AM9C1能滿足汽車半導體質量標準AEC-Q1003的2級溫度測試標準,在-40°C至105°C寬幅的溫度范圍內能保持穩定運行。據介紹,AM9C1采用三星5nm主控,用戶可將TLC狀態切換至SLC模式,以此大幅提升讀寫速度。其中,讀取速度高達4700MB/s,寫入速度高達1
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三星電子 NAND PCIe 4.0 車載SSD
根據TrendForce集邦咨詢最新調查,由于Server(服務器)終端庫存調整接近尾聲,加上AI推動了大容量存儲產品需求,2024年第二季NAND
Flash(閃存)價格持續上漲,但因為PC和智能手機廠商庫存偏高,導致第二季NAND
Flash位元出貨量季減1%,平均銷售單價上漲了15%,總營收達167.96億美元,較前一季增長了14.2%。第二季起所有NAND
Flash供應商已恢復盈利狀態,并計劃在第三季擴大產能,以滿足AI和服務器的強勁需求,但由于PC和智能手機今年上半年市場表現不佳,
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TrendForce 集邦咨詢 NAND Flash AI SSD
IT之家 9 月 9 日消息,TrendForce 集邦咨詢今天下午發布報告指出,由于服務器終端庫存調整接近尾聲,加上 AI 推動了大容量存儲產品需求,今年第二季度 NAND Flash(閃存)價格持續上漲。但由于 PC 和智能手機廠商庫存偏高,導致 Q2 NAND Flash 位元出貨量環比下降 1%,平均銷售單價上漲了 15%,總營收達 167.96 億美元(IT之家備注:當前約 1193.37 億元人民幣),較前一季實現環比增長 14.2%。各廠商營收情況如下:三星:第二季時積極回應客戶對
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內存 NAND Flash
第八代BiCS FLASH已然投入量產,意味著基于BiCS FLASH的產品也將得到新一輪升級。全新的BiCS FLASH無論在存儲密度、性能都有了顯著提升,特別是2Tb QLC NAND是當下業界內最大容量的存儲器。為了讓第八代BiCS FLASH突破存儲限制,鎧俠通過專有工藝和創新架構,實現了存儲芯片的縱向和橫向縮放平衡,所開發的CBA(CMOS directly Bonded to Array,外圍電路直接鍵合到存儲陣列)和3.6Gbps接口速度,給AI應用、數據中心、移動設備提供了更多潛在可能。技
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BiCS FLASH 閃存 flash 鎧俠
IT之家 8 月 12 日消息,韓媒 ETNews 報道稱,三星電子內部已確認在平澤 P4 工廠建設 1c nm DRAM 內存產線的投資計劃,該產線目標明年 6 月投入運營。平澤 P4 是一座綜合性半導體生產中心,分為四期。在早前規劃中,一期為 NAND 閃存,二期為邏輯代工,三期、四期為 DRAM 內存。三星已在 P4 一期導入 DRAM 生產設備,但擱置了二期建設。而 1c nm DRAM 是第六代 20~10 nm 級內存工藝,各家的 1c nm(或對應的 1γ nm)產品目前均尚未正式
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NAND 閃存 三星電子
Lam Research 推出低溫蝕刻新技術,為 1000 層 3D NAND 鋪平道路。
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NAND Flash
人工智能(AI)市場持續火熱,新興應用對存儲芯片DRAM和NAND需求飆升的同時,也提出了新的要求。近日恰逢全球存儲會議FMS 2024(the Future of Memory and
Storage)舉行,諸多存儲領域議題與前沿技術悉數亮相。其中TrendForce集邦咨詢四位資深分析師針對HBM、NAND、服務器等議題展開了深度討論,廓清存儲行業未來發展方向。此外,大會現場,NVM Express組織在會中發布了 NVMe 2.1
規范,進一步統一存儲架構、簡化開發流程。另外包括Kioxia
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存儲 NAND TrendForce
IT之家 8 月 1 日消息,泛林集團 Lam Research 當地時間昨日宣布推出面向 3D NAND 閃存制造的第三代低溫介質蝕刻技術 Lam Cyro 3.0。泛林集團全球產品部高級副總裁 Sesha Varadarajan 表示:Lam Cryo 3.0 為(我們的)客戶實現 1000 層 3D NAND 鋪平了道路。泛林低溫蝕刻已被用于 500 萬片晶圓的生產,而我們的最新技術是 3D NAND 生產領域的一項突破。它能以埃米級精度創建高深寬比(IT之家注:High Aspect R
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NAND 閃存 泛林集團
nand flash介紹
Nand-flash內存是flash內存的-種,其內部采用非線性宏單元模式,為固態大容量內存的實現提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大,改寫速度快,適用于大量數據的存儲,因而在業界得到了越來越廣泛的應用,如嵌入式產品中包括數碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。
NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區域進行,如果目標區域已經有數 [
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