- 繼長期虧損的SoC之后，瑞薩又加快了利潤最高的MCU的外包制造。該公司于2012年5月宣布，將與臺積電(TSMC)合作開發40nm工藝的閃存混載MCU制造技術，并委托臺積電生產。車載MCU也將成為外包對象。瑞薩表示，到2016年度將把半導體整體的外包生產比例由2011年度的15%提高到30%。
日本國內工廠進一步空洞化?
雖然日本企業的SoC業務相繼出現因承受不了巨額設備投資而轉為外包的情況，但要求高品質的車載MCU等以前一直被認為難以實施外包生產。“情況因東日本大地震而發生了
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瑞薩 臺積電 閃存
- 如何讓U-boot實現Nand/Nor 雙啟動,在做u-boot移植的時候，多數人使用的是Nand flash啟動或Nar Flash啟動。這樣u-boot就只能在Nand flash或Nor flash。那么我們如何讓我們的u-boot在Nand flash或Nor flash都能使用。首先，我們說說u-boot,u-boot是系統
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啟動 Nand/Nor 實現 U-boot 如何
- 當全球看好固態硬盤(SSD)是NAND Flash下一個殺手級應用的同時，手機內建NAND Flash內存的應用(嵌入式SSD)卻搶先一步成為NAND Flash應用的新焦點。目前最普遍的嵌入式SSD的接口規格為eMMC，是手機內建儲存方案的新標
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應用 焦點 Flash NAND 嵌入式 SSD 手機
- 電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
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DSP Flash NAND 存儲管理
- 東芝于今日正式發布了全球首個使用19nm制程MLC NAND閃存的固態硬盤產品。東芝新SSD的主要改進之處在于主控，配合19nm閃存可實現對SATA 3.1標準的支持，讀取/寫入速度最大可達524MB/s和461MB/s(64GB型號440MB/s)。同時還集成有獨家的錯誤校驗技術QSBC，并 支持微軟下一代垃圾清理技術Deterministic Zeroing TRIM。
最關鍵的改善在于數據保護部分，除突發性掉電數據不丟失之外，一旦閃存出現故障或達到使用壽命，東芝新SSD可在接電后啟用只讀模
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東芝 SSD 閃存
- LSI公司(紐約證交所股票代碼：LSI)日前宣布正在與Cisco和EMC開展合作，共同將PCIe閃存高速緩存技術卓越的應用加速優勢應用于部署廣泛的創新型Cisco UCS B系列刀片服務器。
該解決方案將EMC VFCache智能緩存軟件與LSI的第二代PCIe閃存適配器系列LSI Nytro WarpDrive卡相結合，能進一步加速應用性能，改善EMC存儲環境下Cisco服務器的響應時間。
目前，服務器處理器性能的提升步伐已經超越了存儲性能的提升速度，因此，如何在不影響現有存儲架構的情況
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LSI 閃存
- 最近，嵌入式閃存解決方案的主要廠商之一Spansion宣布推出其首個單層單元（SLC）系列NAND閃存產品。至此，Spansion公司的嵌入式閃存產品可大致分為以下三個系列：首要突出閃存性能的GL-S系列并行NOR閃存，注重降低系統成本的FL-S系列串行NOR閃存，以及此次推出的大容量SLC NAND閃存。
嵌入式產品無處不在，因而對嵌入式存儲的需求也十分廣泛。不管是車載信息娛樂系統，還是電視機頂盒，抑或是通信基礎設備，都會用到嵌入式閃存。
隨著科技的不斷發展，消費者對用在
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Spansion SLC NAND
- 日本DRAM大廠爾必達（Elpida）今年2月召開董事會，向東京地方法院提出更生程序并獲受理，子公司秋田爾必達（封測廠）亦同時申請公司更生程序。爾必達此舉引發產業不小震撼，也連帶的對相關上下游產業產生相當的沖擊
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DRAM NAND
- 摘要：針對MPEG4格式壓縮的視頻數據，給出了采用NAND FLASH為存儲介質，以FPGA為存儲陣列的控制器，并用DSF作為數據處理的核心單元，來完成大容量視頻數據存儲的系統設計方法，同時對壞塊的檢測處理等關鍵問題提出了
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存儲 系統 設計 視頻 大容量 NAND FLASH 基于
- 2012年5月28日，中國上海 – 嵌入式市場閃存解決方案的創新領軍者Spansion公司（紐約證交所代碼：CODE）今日宣布其首個單層單元(SLC)系列Spansion® NAND閃存產品開始出樣。這一最新SLC NAND閃存產品采用4x nm浮柵技術，專門用于汽車、消費及網絡應用的數據存儲需求。Spansion SLC NAND將分為3.0V和1.8V兩個系列，存儲容量在1 Gb到8 Gb之間，該產品性能更為出色、溫度范圍更廣、享有長期技術支持并且符合嚴格的可靠性要求，例如1位
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Spansion NAND 閃存
- IMFT使用的先進工藝可以顯著地改變消費電子產品的設計和使用方式。這些高密度、高性能閃存器件使得Intel支持的Robson閃存緩存技術以及混合SSD/HD系統(受到微軟、Sandisk和希捷的支持)得以實現。這些技術很可能出現在
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表象 技術 細節 閃存 NAND 16Gb MLC 解密
- 野村證券最近發布《2012智能手機指南》，對智能手機的各種零部件及其供應商的狀況進行了分析，并發現，智能手機中成本最高的零部件并非屏幕，而是NAND閃存。
北京時間5月23日下午消息，野村證券最近發布《2012智能手機指南》，對智能手機的各種零部件及其供應商的狀況進行了分析，并發現，智能手機中成本最高的零部件并非屏幕，而是NAND閃存。
該報告顯示，要生產一部現代化的智能手機，需要25個以上的零部件。盡管屏幕曾經一度被視為手機中最昂貴的部件，但根據野村證券的報告，最貴的應該是NAND閃存，
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智能手機 閃存
- 引言Flash存儲器具有快速訪問、低功耗、尺寸小、重量輕等特性，在系統電源關閉的情況下依然可保留數據。隨著技術的發展，Flash因其在性能和成本方面的優勢逐漸成為系統存儲的工業標準。目前市面上，NOR Flash和NAND
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閃存 驅動設計
- 英國研究人員最近報告說，他們研發出一種基于“電阻性記憶體”的新型存儲設備，與現在廣泛使用的閃存相比，耗電量更低，而存取速度要快上一百倍。
電阻性記憶體的基礎是憶阻材料，這種材料的特殊性在于，在外加電壓時其電阻會發生變化，隨后即使取消外加電壓，它也能“記住”這個電阻值。在此基礎上開發出的存儲設備與現有閃存相比更快更節能，是業界近來的研發熱點。但以前開發出的這種存儲設備只能在高度真空環境中運行。
英國倫敦大學學院等機構研究人員日前在《應用物理學雜
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存儲器 閃存
- NAND閃存工藝技術不斷進步，但是可靠性和使用壽命卻在倒退。盡管從理論上說依然足夠絕大多數人用上好幾年的，但這種趨勢終歸讓人很不爽。固態硬盤廠商STEC近日宣布了一項新技術“CellCare”，能讓NAND閃存的壽命一下子延長多達13倍。
CellCare是一項硬件和固件綜合技術，核心內容包括：每個內核的閃存參數追蹤，可帶來更少的、受控的磨損;終生閃存管理，可減少磨損、控制性能、改進性能、降低讀寫延遲;高級錯誤糾正與數字信號處理，可改進數據可靠性、最大程度減少重新讀取。
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24nm 閃存
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