mosfet 文章最新資訊

在高頻直流—直流轉(zhuǎn)換器內(nèi)使用650V碳化硅MOSFET的好處

　　摘要　　本文評(píng)測(cè)了主開關(guān)采用意法半導(dǎo)體新產(chǎn)品650V SiC MOSFET的直流-直流升壓轉(zhuǎn)換器的電熱特性，并將SiC碳化硅器件與新一代硅器件做了全面的比較。測(cè)試結(jié)果證明，新SiC碳化硅開關(guān)管提升了開關(guān)性能標(biāo)桿，讓系統(tǒng)具更高的能效，對(duì)市場(chǎng)上現(xiàn)有系統(tǒng)設(shè)計(jì)影響較大。　　前言　　市場(chǎng)對(duì)開關(guān)速度、功率、機(jī)械應(yīng)力和熱應(yīng)力耐受度的要求日益提高，而硅器件理論上正在接近性能上限。　　寬帶隙半導(dǎo)體器件因電、熱、機(jī)械等各項(xiàng)性能表現(xiàn)俱佳而被業(yè)界看好，被認(rèn)為是硅半導(dǎo)體器件的替代技術(shù)。在這些新材料中，兼容硅
關(guān)鍵字： MOSFET SiC

什么是同步整流器？開關(guān)MOSFET較同步整流器在功率電源中的耗散如何？

什么是同步整流器？開關(guān)MOSFET較同步整流器在功率電源中的耗散如何？-同步整流是采用通態(tài)電阻極低的專用功率MOSFET，來取代整流二極管以降低整流損耗的一項(xiàng)新技術(shù)。它能大大提高DC/DC變換器的效率并且不存在由肖特基勢(shì)壘電壓而造成的死區(qū)電壓。
關(guān)鍵字：整流器 mosfet 二極管

用GaN重新考慮功率密度

用GaN重新考慮功率密度-電力電子世界在1959年取得突破，當(dāng)時(shí)Dawon Kahng和Martin Atalla在貝爾實(shí)驗(yàn)室發(fā)明了金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）。首款商業(yè)MOSFET在五年后發(fā)布生產(chǎn)，從那時(shí)起，幾代MOSFET晶體管使電源設(shè)計(jì)人員實(shí)現(xiàn)了雙極性早期產(chǎn)品不可能實(shí)現(xiàn)的性能和密度級(jí)別。
關(guān)鍵字： mosfet 氮化鎵 pfc

一篇文章讀懂超級(jí)結(jié)MOSFET的優(yōu)勢(shì)

　　平面式高壓MOSFET的結(jié)構(gòu) 　　圖1顯示了一種傳統(tǒng)平面式高壓MOSFET的簡(jiǎn)單結(jié)構(gòu)。平面式MOSFET通常具有高單位芯片面積漏源導(dǎo)通電阻，并伴隨相對(duì)更高的漏源電阻。使用高單元密度和大管芯尺寸可實(shí)現(xiàn)較低的RDS(on)值。但大單元密度和管芯尺寸還伴隨高柵極和輸出電荷，這會(huì)增加開關(guān)損耗和成本。另外還存在對(duì)于總硅片電阻能夠達(dá)到多低的限制。器件的總RDS(on)可表示為通道、epi和襯底三個(gè)分量之和：　　RDS(on) = Rch + Repi + Rsub 　　　　圖1：傳統(tǒng)平面式MOSF
關(guān)鍵字： MOSFET 超級(jí)結(jié)

智能電網(wǎng)端口保護(hù)：這不是一顆“料”在戰(zhàn)斗!

　　今天，做一個(gè)產(chǎn)品或系統(tǒng)的電路保護(hù)方案，特別是智能電網(wǎng)等工業(yè)應(yīng)用的端口保護(hù)設(shè)計(jì)，就像是組織一場(chǎng)足球比賽的防御戰(zhàn)：你需要有大牌的球(yuan)星(jian)，還需要有將他們捏合在一起的戰(zhàn)術(shù)，去抵御來自對(duì)手的每一次可能的“進(jìn)攻”。這其中的門道兒不少，但也有套路可尋，今天我們就來看看世健(Excelpoint)作為工業(yè)電路保護(hù)界的“豪門”，是怎么玩兒的。　　那些明星元件　　先來細(xì)數(shù)一下世健帳下那些在智能電網(wǎng)上可堪重用的電路保護(hù)元件“球星”，它們大多來自Bourns公司，每顆料都很有“料”。比如：　　TBU高速
關(guān)鍵字：智能電網(wǎng) MOSFET

1200V CoolSiCTM MOSFET兼具高性能與高可靠性

SiC在電源轉(zhuǎn)換器的尺寸、重量和/或能效等方面具有優(yōu)勢(shì)。當(dāng)然，要進(jìn)行大批量生產(chǎn)，逆變器除了靜態(tài)和動(dòng)態(tài)性能之外，還必須具備適當(dāng)?shù)目煽啃裕约白銐虻拈撝惦妷汉鸵詰?yīng)用為導(dǎo)向的短路耐受能力等。可與IGBT兼容的VGS=15V導(dǎo)通驅(qū)動(dòng)電壓，以便從IGBT輕松改用SiC MOSFET解決方案。英飛凌的1200V CoolSiCTM MOSFET可滿足這些要求。
關(guān)鍵字：電源轉(zhuǎn)換器 SiC MOSFET 逆變器 201707

電源模塊性能的PCB布局優(yōu)化

全球出現(xiàn)的能源短缺問題使各國政府都開始大力推行節(jié)能新政。電子產(chǎn)品的能耗標(biāo)準(zhǔn)越來越嚴(yán)格，對(duì)于電源設(shè)計(jì)工程師，如何設(shè)計(jì)更高效率、更高性能的電源是一個(gè)永恒的挑戰(zhàn)。本文從電源PCB的布局出發(fā)。
關(guān)鍵字：電源模塊性能 PCB布局技術(shù) MOSFET

三極管和MOS管做開關(guān)用時(shí)的區(qū)別

實(shí)際上就是三極管比較便宜，用起來方便，常用在數(shù)字電路開關(guān)控制。MOS管用于高頻高速電路，大電流場(chǎng)合，以及對(duì)基極或漏極控制電流比較敏感的地方。一般來說低成本場(chǎng)合，普通應(yīng)用的先考慮用三極管，不行的話考慮MOS管
關(guān)鍵字：三極管 MOSFET

功率MOSFET的結(jié)構(gòu),工作原理及應(yīng)用

“MOSFET(場(chǎng)效應(yīng)管)”是英文MetalOxide Semicoductor Field Effect Transistor的縮寫，譯成中文是“金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管”。它是由金屬、氧化物(SiO2或SiN)及半導(dǎo)體三種材料制成的器件。所謂功率MOSFET(場(chǎng)效應(yīng)管)(Power MOSFET(場(chǎng)效應(yīng)管))是指它能輸出較大的工作電流
關(guān)鍵字：功率MOSFET MOSFET

理想二極管控制器在電源“或”應(yīng)用中免除了耗能的二極管

MOSFET二極管
關(guān)鍵字： GATE MOSFET SENSE

電源設(shè)計(jì)小貼士43：分立器件——一款可替代集成MOSFET驅(qū)動(dòng)器的卓越解決方案

在本設(shè)計(jì)小貼士中，我們來了解一下自驅(qū)動(dòng)同整流器并探討何時(shí)需要分立驅(qū)動(dòng)器來保護(hù)同步整流器柵極免受過高電壓帶來的損壞。理想情況下，您可以利用電源變壓器直接驅(qū)動(dòng)同步整流器，但是由于寬泛的輸入電壓變量，變壓器電壓會(huì)變得很高以至于可能會(huì)損壞同步整流器。
關(guān)鍵字：分立器件 MOSFET 同步整流器電源設(shè)計(jì)小貼士

電源設(shè)計(jì)小貼士 42：可替代集成MOSFET的分立器件

分立器件可以幫助您節(jié)約成本。價(jià)值大約 0.04 美元的分立器件可以將驅(qū)動(dòng)器 IC 成本降低 10 倍。分立驅(qū)動(dòng)器可提供超過2A 的電流并且可以使您從控制 IC 中獲得電力。此外，該器件還可去除控制 IC 中的高開關(guān)電流，從而提高穩(wěn)壓和噪聲性能。
關(guān)鍵字：德州儀器分立器件 MOSFET 電源設(shè)計(jì)小貼士

MOSFET安全工作區(qū)對(duì)實(shí)現(xiàn)穩(wěn)固熱插拔應(yīng)用的意義所在

即使是在插入和拔出電路板和卡進(jìn)行維修或者調(diào)整容量時(shí)，任務(wù)關(guān)鍵的伺服器和通信設(shè)備也必須能夠不間斷工作。熱插拔控制器 IC 通過軟啟動(dòng)電源，支持從正在工作的系統(tǒng)中插入或移除電路板，從而避免了出現(xiàn)連接火花、背板供電干擾和電路板卡復(fù)位等問題。控制器 IC 驅(qū)動(dòng)與插入電路板之電源相串聯(lián)的功率 MOSFET 開關(guān) (圖 1)。電路板插入后，MOSFE
關(guān)鍵字：安全工作區(qū) MOSFET LTC4233 熱插拔熱插拔控制器

電源設(shè)計(jì)小貼士31：同步降壓MOSFET電阻比的正確選擇

我們將研究在同步降壓功率級(jí)中如何對(duì)傳導(dǎo)功耗進(jìn)行折中處理，而其與占空比和 FET 電阻比有關(guān)
關(guān)鍵字：德州儀器電源設(shè)計(jì) 同步降壓 MOSFET 電阻比

電源設(shè)計(jì)小貼士 29：估算熱插拔 MOSFET 的瞬態(tài)溫升

在本《電源設(shè)計(jì)小貼士》中，我們將最終對(duì)一種估算熱插拔 MOSFET 溫升的簡(jiǎn)單方法進(jìn)行研究。在《電源設(shè)計(jì)小貼士28》中，我們討論了如何設(shè)計(jì)溫升問題的電路類似方法。我們把熱源建模成了電流源。根據(jù)系統(tǒng)組件的物理屬性，計(jì)算得到熱阻和熱容。遍及整個(gè)網(wǎng)絡(luò)的各種電壓代表各個(gè)溫度。
關(guān)鍵字：熱插拔 MOSFET 網(wǎng)絡(luò)

共1291條 32/87 |‹ « 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 » ›|

mosfet介紹

　　金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場(chǎng)效晶體管，簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在類比電路與數(shù)位電路的場(chǎng)效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為n-type與p-type的MOSFET，通常又稱為NMOSFET與PMOSF [ 查看詳細(xì) ]