- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布， Vishay Siliconix推出新款n溝道功率MOSFET通過JAN認證的，分別是60V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV。對于軍工、航天和航空應用，這些采用密封TO-205AD(TO-39)封裝的器件兼具低導通電阻和快速開關的性能。
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Vishay MOSFET
- 通常，在功率MOSFET的數據表中的第一頁，列出了連續漏極電流ID，脈沖漏極電流IDM，雪崩電流IAV的額定值，然后對于許多電子工程師來說，他們對于這些電流值的定義以及在實際的設計過程中，它們如何影響系統以及如何選
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電流 MOSFET 功率 理解
- 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 近日推出600V AUIRS2332J 三相柵極驅動器IC，適用于電動汽車和混合動力汽車中的車用高壓電機驅動應用。
AUIRS2332J 高壓高速功率 MOSFET 和 IGBT 驅動器具備三個獨立的高低側參考輸出通道。IR專有的 HVIC 技術使單片式結構堅固耐用，而且其邏輯輸入與 CMOS 或 LSTTL 輸出相兼容，低至3.3V 邏輯。新器件還提供能通過外部電流感應電阻來進行橋電流模擬反饋的集成接地參考運算放大器
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國際整流器公司 MOSFET 柵極驅動IC
- 用于高能效電源轉換的高壓集成電路業界的領導者Power Integrations公司今日宣布推出全新的HiperPFS產品，一款 ...
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集成高壓 MOSFET PFC 控制器芯片
- 現在人們關注“平板電視”和“太陽能電池”，這兩個領域都注重環保理念，需要進行低損耗、高效率的產品開發。 ...
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MOSFET 高速開關
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出業內采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片級封裝的N溝道和P溝道功率MOSFET---Si8802DB和Si8805EDB。8V N溝道Si8802DB和P溝道Si8805EDB TrenchFET功率MOSFET所用的MICRO FOOT封裝的占板面積比僅次于它的最小芯片級器件最高可減少36%，而導通電阻則與之相當甚至更低。
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Vishay MOSFET Si8802DB
- 在本電源設計小貼士以及下次的小貼士中，我們將研究一種估算熱插拔MOSFET溫升的簡單方法。熱插拔電路用于將...
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MOSFET 瞬態溫升
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新系列600V和650V n溝道功率MOSFET---E系列器件。新產品在10V下具有64mΩ～190mΩ的超低最大導通電阻，以及22A～47A的額定電流范圍。E系列MOSFET基于Vishay的下一代Super Junction技術，具有超低柵極電荷，以及較低柵極電荷與導通電阻乘積，該乘積是衡量用在功率轉換應用中的MOSFET的重要優值系數。
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與前一代S系列器件相比，新的
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Vishay Siliconix MOSFET
- 近年來，電源的輸出電壓越來越低、輸出電流越來越大（某些電源系統輸出幾十安培到上百安培）。因此，電源設計中采用...
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開關電源 MOSFET
- 2011 年 10 月10 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，其SiR662DP 60V n溝道TrenchFET 功率MOSFET被《今日電子》雜志評為第九屆年度Top-10 DC/DC電源產品獎的獲獎產品。
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Vishay MOSFET
- 閉鎖繼電器在給線圈一個短電壓脈沖時，會改變自己的狀態。由于這些繼電器不需要連續的線圈電流來保持狀態...
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MOSFET 繼電器 驅動器
- 由分立器件組成的驅動電路((如圖所示)，驅動電路工作原理如下： A.當HS為高電平時，Q7、Q4導通，Q6關閉，電容C4上的電壓(約14V)經過Q4、D3、R6加到Q5的柵極，使Q5導通。在導通期間，Q5的源極電壓(Phase)接近電源電
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電路設計 驅動 MOSFET 常見
- Sept. 21, 2011 – 應用于高能效電子產品的首要高性能硅方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)持續為簡化及加快計算平臺設計而擴充其產品系列。
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安森美 半導體 MOSFET
- 美國加利福尼亞州圣何塞，2011年9月14日訊 – 用于高能效功率轉換的高壓集成電路業界的領導者Power Integrations公司（納斯達克股票代號：POWI）今日推出全新的HiperLCS系列高壓LLC電源IC，新器件將控制器、高壓端和低壓端驅動器以及兩個MOSFET同時集成到了一個低成本封裝中。高度集成的HiperLCS IC具有出色的設計靈活性，既可提升效率（最高效率可超過97%），又可縮小尺寸，即利用高頻工作（最高達750 kHz）來減小變壓器的尺寸和輸出電容的占板面積。
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Power Integrations MOSFET HiperLCS器件
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