EPC公司的第七階段可靠性報告表明eGaN?FET非常可靠，為工程師提供可信賴及可 替代采用傳統硅基器件的解決方案。 宜普電源轉換公司發布第七階段可靠性測試報告，展示出在累計超過170億器件-小時的測試后的現場數據的分布結果，以及提供在累計超過700萬器件-小時的應力測試后的詳盡數據。各種應力測試包括間歇工作壽命[(IOL)[、早期壽命失效率[(ELFR)、高濕偏置、溫度循環及靜電放電等測試。報告提供受測產品的復合0.24 FIT失效率的現場數據。這個數值與我們直至目前為止所取得
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宜普電源 FET
近日，德州儀器(TI)推出了首款面向高功率鋰離子電池應用的單芯片100V高壓側 FET 驅動器。該驅動器可提供先進的電源保護和控制。bq76200高電壓解決方案能有效地驅動能量存儲系統，以及電機驅動型應用中常用電池里的高壓側N溝道充放電FET，包括無人機、電動工具、電動自行車等等。如需了解更多詳情，敬請訪問：http://www.ti.com.cn/product/cn/BQ76200?keyMatch=bq76200&tisearch=Search-CN-Everything。
電感性
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TI FET
當我們還是學生的時候，不論從做題還是原理分析上,通常會重點學習NPN和PNP三極管的特性：靜態工作特性計算、動態信號分析等等。對于MOS管，老師一般都會草草帶過，沒有那么深入的分析和了解，一般都會說MOS管和三極管的不同就是一個是電壓控制，一個是電流控制，一個Ri大，一個Ri小等等。除了這些明顯的特性，下文就從工作實戰的角度進行MOS場效應管的分析。 首先我們來看下經常使用的增強型mos場效應管：N溝道和P溝道mos場效應管。 在消費類電子設計中由于對功耗要求比較嚴格，通常使用N溝道和P溝道MOS
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MOS 場效應管
所有MOS集成電路(包括P溝道MOS，N溝道MOS，互補MOS—CMOS集成電路)都有一層絕緣柵，以防止電壓擊穿。一般器件的絕緣柵氧化層的厚度大約是25nm50nm80nm三種。在集成電路高阻抗柵前面還有電阻——二極管網絡進行保護，雖然如此，器件內的保護網絡還不足以免除對器件的靜電損害(ESD)，實驗指出，在高電壓放電時器件會失效，器件也可能為多次較低電壓放電的累積而失效。按損傷的嚴重程度靜電損害有多種形式，最嚴重的也是最容易發生的是輸入端或輸出端的完全破壞以至于與
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MOS 集成電路
簡介： 今天一個剛剛入行的朋友找到我說，他的老板給了他一個MOS管讓他測管子的fmax,幫他測完之后，他還問到怎么才能加大這個fmax~~想到自己也曾千辛萬苦的琢磨這個參數，就寫個短短的文章說一下fmax到底是什么和哪些參數有關。
這兩個頻率都是晶體管的重要參數，無論BJT還是MOS，也決定了將來電路能工作到的最大頻率(當然這個最大頻率是絕對不可能到fmax和ft的)。這兩個頻率其實離得不遠，那他們有什么差別呢：ft是用電流增益來定義的，fmax是用最大功率增益來定義的，千萬別弄混了哦。下圖是一
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MOS fmax
簡介：注釋：靜電損壞器件是擊穿，和燒毀是兩個概念，不要混淆在一起。
前段時間開發了一個產品，由單片機控制對負載供電，滿負載時基準電流為800毫安，程序提供不同的供電模式，具體是由單片機輸出一個PWM信號控制MOS管，從而按要求調整工作電流。我們知道MOS管導通時內阻非常小，我們所用的型號約為0.1歐姆的樣子，這樣正常工作時上面最大壓降非常小，只有800毫安*0.1歐姆=0.08伏，上面的功率損耗為0.064瓦，對于電源控制來說是一種效果不錯的器件。
雖然MOS管導通內阻非常小，但所流過的電
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靜電損壞 MOS
歐盟EUP環保指令你知道嗎?你知道此指令對靜態能耗有什么要求嗎?我們產品上需要怎樣應對呢?下面給你解決此問題的電源供電方案。
2009年1月6日，歐盟電子類產品待/關機模式之EuP能耗指令執行措施已正式生效，其生態化設計要求與去年7月經歐盟生態化設計管理委員會批準的工作草案相同。廠商需在2010年1月6日前達到第一階段的要求，2013年1月6日達到第二階段要求。
圖1 Eup圖標
我們來了解一下EuP能耗指令第二階段的具體要求，
1、產品在關機或待機
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MOS AC-DC
無論LED是經由降壓、升壓、降壓/升壓或線性穩壓器驅動，連接每一個驅動電路最常見的線程就是須要控制光的輸出。現今僅有很少數的應用只需要開和關的簡單功能，絕大多數都需要從0～100%去微調亮度。目前，針對亮度控制方面，主要的兩種解決方案為線性調節LED的電流(模擬調光)或在肉眼無法察覺的高頻下，讓驅動電流從0到目標電流值之間來回切換(數字調光)。利用脈沖寬度調變(PWM)來設定循環和工作周期可能是實現數字調光的最簡單的方法，原因是相同的技術可以用來控制大部分的開關轉換器。
PWM調光能調配準確色光
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PWM FET
【前言】在高端MOS的柵極驅動電路中，自舉電路因技術簡單、成本低廉得到了廣泛的應用。然而在實際應用中，MOS常莫名其妙的失效，有時還伴隨著驅動IC的損壞。如何破?一個合適的電阻就可搞定問題。
【問題分析】
上圖為典型的半橋自舉驅動電路，由于寄生電感的存在，在高端MOS關閉后，低端MOS的體二極管鉗位之前，寄生電感通過低端二極管進行續流，導致VS端產生負壓，且負壓的大小與寄生電感與成正比關系。該負壓會把驅動的電位拉到負電位，導致驅動電路異常，還可能讓自舉電容過充電
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MOS SCR
一、場效應管的工作原理- -概念
場效應管(FET)是場效應晶體管(field-effect transistor)的簡稱，由于它僅靠半導體中的多數載流子導電，也稱為單極性場效應管，是一種常見的利用輸入回路的電場效應來控制輸出回路電流的一種電壓控制性半導體器件，場效應管不但具有雙極性晶體管體積小、重量輕、壽命長等優點，而且輸入回路的內阻高達107~1012Ω，噪聲低，熱穩定性好，抗輻射能力強，且比后者耗電省，這些優點使之從20世紀60年代誕生起就廣泛地應用于各種電子電路之中。
二、
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場效應管 MOS JFET 場效應管工作原理
混頻器是無線收發機中的核心模塊， 對整個系統的性能具有很大影響。線性度、轉換增益是衡量一個混頻器性能的重要指標。
在接收機中， 混頻器具有一定的轉換增益可以降低混頻器后面各級模塊設計的難度， 有利于提高系統噪聲性能和靈敏度。線性度決定了混頻器能處理的最大信號強度。隨著現代通訊系統對性能要求越來越高， 無論是應用于接收機系統的下變頻器(本文指的混頻器) ， 還是應用于發射機系統中的上變頻器都要求具有較高的線性度。因此設計具有高增益和高線性度的混頻器就成為業界一直研究的熱點。
在CMOS電路設
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MOS 諧波混頻器
MOSFET是一個時代產物,隨著MOSFET技術的進展，特別是大電流、小封裝、低功耗的單芯片MOSFET出現，它的開關速度快/輸入阻抗大/熱穩定性好等等優點,已經成為工程師們的首選。
在EEPW論壇呆久了，看了好多網友問起MOS管的事情，有很多童靴對MOS管的使用不是很熟悉，今天有空給大家說幾個關于MOSFET的技巧的幾個實用技巧的事情。
為了把問題說的明白些，還是有必要把MOS管的身世先介紹一下。
MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET)，可以被制造成增強型或耗盡型，P溝道
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MOSFET MOS
1 引 言
靜電放電會給電子器件帶來破壞性的后果，它是造成集成電路失效的主要原因之一。隨著集成電路工藝不斷發展， CMOS電路的特征尺寸不斷縮小，管子的柵氧厚度越來越薄，芯片的面積規模越來越大，MOS管能承受的電流和電壓也越來越小，而外圍的使用環境并未改變，因此要進一步優化電路的抗ESD性能，如何使全芯片有效面積盡可能小、ESD性能可靠性滿足要求且不需要增加額外的工藝步驟成為IC設計者主要考慮的問題。
2 ESD保護原理
ESD保護電路的設計目的就是要避免工作電路成為ESD的放電通路
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CMOS ESD MOS
1、芯片發熱
這主要針對內置電源調制器的高壓驅動芯片。假如芯片消耗的電流為2mA，300V的電壓加在芯片上面，芯片的功耗為0.6W，當然會引起芯片的發熱。驅動芯片的最大電流來自于驅動功率MOS管的消耗，簡單的計算公式為I=cvf(考慮充電的電阻效益，實際I=2cvf，其中c為功率MOS管的cgs電容，v為功率管導通時的gate電壓，所以為了降低芯片的功耗，必須想辦法降低c、v和f.如果c、v和f不能改變，那么請想辦法將芯片的功耗分到芯片外的器件，注意不要引入額外的功耗。再簡單一點，就是考慮更好的
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LED MOS 變壓器
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