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        mos-fet 文章 最新資訊

        用射頻開(kāi)關(guān)優(yōu)化智能手機(jī)信號(hào)

        • 智能手機(jī)代表了射頻個(gè)人通信最前沿、也最具挑戰(zhàn)性的射頻產(chǎn)品設(shè)計(jì)之一。這些第三代(3G)蜂窩多模多頻設(shè)備基于...
        • 關(guān)鍵字: 射頻開(kāi)關(guān)  隔離度  插損  FET  pHEMT  

        Intersil集成化開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器簡(jiǎn)化電源設(shè)計(jì)

        • 簡(jiǎn)介   一提到電源設(shè)計(jì),大多數(shù)工程師都會(huì)感到撓頭,他們往往會(huì)問(wèn),“從哪里入手呢?”。首先必須確定電源的拓?fù)洹ń祲骸⑸龎骸lyback、半橋和全橋等。
        • 關(guān)鍵字: intersil  FET  DC/DC  

        MOS場(chǎng)效應(yīng)管逆變器自制

        • 這里介紹的逆變器(見(jiàn)圖1)主要由MOS場(chǎng)效應(yīng)管。該變壓器的工作原理及制作過(guò)程:     圖1  工作原理  一、方波的產(chǎn)生  這里采用CD4069構(gòu)成方波信號(hào)發(fā)生器。電路中R1是補(bǔ)償電阻,用于改善由于電源電壓的變化而
        • 關(guān)鍵字: 自制  逆變器  效應(yīng)  MOS  

        高性能、可高壓直接驅(qū)動(dòng)MOS的LLC控制器—NCP1396A/B

        • NCP1396A/B為NCP1395的改進(jìn)型。它包括一個(gè)最高500kHZ的壓控振蕩器,在必需懸浮驅(qū)動(dòng)功能時(shí)齙控制模式有很大...
        • 關(guān)鍵字: 光耦  可調(diào)  死區(qū)時(shí)間  MOS  

        MOS管短溝道效應(yīng)及其行為建模

        • 1 引 言  目前,實(shí)現(xiàn)微電路最常用的技術(shù)是使用MOS晶體管。隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展,集成電路的集成密度不斷地在提高,MOS晶體管器件的尺寸也逐年縮小, 當(dāng)MOS管的溝道長(zhǎng)度小到一定值之后,出現(xiàn)的短溝道效應(yīng)將對(duì)器件的特性
        • 關(guān)鍵字: 行為  建模  及其  效應(yīng)  管短溝  MOS  

        電源變壓器的MOS場(chǎng)效應(yīng)管逆變器制作

        • 這里介紹的逆變器(見(jiàn)圖1)主要由MOS場(chǎng)效應(yīng)管,普通電源變壓器構(gòu)成。其輸出功率取決于MOS場(chǎng)效應(yīng)管和電源變壓器的功率,免除了煩瑣的變壓器繞制,適合電子愛(ài)好者業(yè)余制作中采用。下面介紹該變壓器的工作原理及制作過(guò)程。
        • 關(guān)鍵字: 逆變器  制作  效應(yīng)  MOS  變壓器  電源  

        舞臺(tái)功放MOS管改裝方法

        • 以O(shè)DL牌QSA-2400專業(yè)功放為例(電路見(jiàn)中圖)。改裝后對(duì)應(yīng)電路見(jiàn)下圖。由于MOS管與三極管驅(qū)動(dòng)電壓差異。為了保證電壓推動(dòng)管靜態(tài)工作點(diǎn)基本保持不變,要重新選擇R26和R27的阻值。Q22三極管原發(fā)射極電阻上的電壓為3V.現(xiàn)改
        • 關(guān)鍵字: 方法  改裝  MOS  功放  舞臺(tái)  

        基于MOS開(kāi)關(guān)的高頻高壓脈沖源中電磁兼容問(wèn)題研究

        • 摘要:本文研究了基于MOS固態(tài)開(kāi)關(guān)的高頻高壓脈沖源中的電磁兼容問(wèn)題,通過(guò)分析其干擾信號(hào)頻譜分布及傳播路徑,制定了以屏蔽和濾波為主的電磁兼容方案,最終實(shí)現(xiàn)了重復(fù)頻率80kHz,4kV脈沖源,實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了電磁兼容措施的
        • 關(guān)鍵字: 電磁兼容  問(wèn)題  研究  脈沖  高壓  MOS  開(kāi)關(guān)  高頻  基于  

        MOS-FET與電子管OTL功放的制作

        MOS—FET末級(jí)無(wú)負(fù)反饋蓄電池供電甲類(lèi)6瓦功率放大器

        • MOS—FET末級(jí)無(wú)負(fù)反饋蓄電池供電甲類(lèi)6瓦功率放大器
        • 關(guān)鍵字: 功率放大器  MOS—FET  

        MOS—FET甲乙類(lèi)功率放大器

        MOS管驅(qū)動(dòng)電路綜述連載(三)

        • 相對(duì)通用的電路電路圖如下:圖1用于NMOS的驅(qū)動(dòng)電路圖2用于PMOS的驅(qū)動(dòng)電路這里只針對(duì)NMOS...
        • 關(guān)鍵字: MOS  驅(qū)動(dòng)電路  

        MOS管驅(qū)動(dòng)電路綜述連載(二)

        • 現(xiàn)在的MOS驅(qū)動(dòng),有幾個(gè)特別的應(yīng)用1、低壓應(yīng)用當(dāng)使用5V電源,這時(shí)候如果使用傳統(tǒng)的圖騰柱結(jié)構(gòu),由于...
        • 關(guān)鍵字: MOS  

        MOS管驅(qū)動(dòng)電路綜述連載(一)

        • 在使用MOS管設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候,大部分人都會(huì)考慮MOS的導(dǎo)通電阻,最大電壓等,最大電流等,也有很...
        • 關(guān)鍵字: MOS  

        TI 小貼士:圖例理FET知識(shí)

        • 您可以通過(guò)周期性地收集大量的ADC輸出轉(zhuǎn)換采樣來(lái)生成FFT圖。一般而言,ADC廠商們將一種單音、滿量程模擬...
        • 關(guān)鍵字: FET  
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