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        飛兆推出業(yè)界最小的DrMOS FET加驅(qū)動器多芯片模塊

        •   飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 宣布推出全面優(yōu)化的集成式FET加驅(qū)動器功率級解決方案FDMF6700,采用超緊湊型6mm x 6mm MLP封裝。對于空間極度受約束的應(yīng)用,比如小外形尺寸的臺式電腦、媒體中心PC、超密集服務(wù)器、刀片服務(wù)器、先進(jìn)的游戲系統(tǒng)、圖形卡、網(wǎng)絡(luò)和電信設(shè)備,以及其它電路板空間有限的DC-DC應(yīng)用,F(xiàn)DMF6700為設(shè)計人員提供別具吸引力的解決方案。   在個人電腦主板中,典型的降壓轉(zhuǎn)換器在每個相位可能包含:采用DPAK封裝的三個N溝道MOSFE
        • 關(guān)鍵字: 嵌入式系統(tǒng)  單片機(jī)  飛兆  DrMOS  FET  模塊  

        移動終端中三類射頻電路的演進(jìn)方向

        • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
        • 關(guān)鍵字: 射頻  GSM  CMOS  GaAs  HBT  FET  SAW  FEM  VOC  DCR  DCT  

        34063用于DC-DC電源變換的電路

        • 34063一種用于DC-DC電源變換的集成電路,應(yīng)用比較廣泛,通用廉價易購。
        • 關(guān)鍵字: 升壓  降壓  功率  MOS  

        如何使低功耗放大器在便攜式產(chǎn)品中提高性能

        • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
        • 關(guān)鍵字: FET  DAC  ADI  

        功率P-FET控制器LTC4414

        • LTC4414是一種功率P-EFT控制器,主要用于控制電源的通、斷及自動切換,也可用作高端功率開關(guān)。該器件主要特點:工作電壓范圍寬,為3.5~36V;電路簡單,外圍元器件少;靜態(tài)電流小,典型值為30μA;能驅(qū)動大電流P溝道功率MOSFET;有電池反極性保護(hù)及外接P-MOSFET的柵極箝位保護(hù);可采用微控制器進(jìn)行控制或采用手動控制;節(jié)省空間的8引腳MSOP封裝;工作溫度范圍-40℃~+125℃。 圖1 LTC4414的引腳排列   引腳排列及功能 LTC4414的引腳排列如圖1所示,各引腳
        • 關(guān)鍵字: LTC4414  P-FET  電源技術(shù)  工業(yè)控制  模擬技術(shù)  工業(yè)控制  

        FET新版本可用于Serial RapidIO端點

        日立瑞薩開發(fā)低功耗轉(zhuǎn)換存儲器單元

        • 新型單元是一種用于嵌入式系統(tǒng)的下一代微控制器片上非易失存儲器的頗具前途的解決方案,它可以在1.5V電源電壓條件下進(jìn)行編程,且只需100μA的編程電流。 日立有限公司與瑞薩科技公司近日發(fā)布了低功耗相位轉(zhuǎn)換存儲器單元的成功原型。這種非易失半導(dǎo)體存儲單元可以在電源電壓為1.5V和電流低至100μA的條件下進(jìn)行編程——與采用以前技術(shù)的日立和瑞薩發(fā)布的產(chǎn)品相比,每個單元的功耗降低了50%。此外,相對于現(xiàn)有的非易失存儲器,新的相位轉(zhuǎn)換單元在高速讀寫能力、編程耐久性、小尺寸和高水平集成方面均更為優(yōu)異。因此,這些原型可在
        • 關(guān)鍵字: MOS  日立  瑞薩  存儲器  

        擴(kuò)展射頻頻譜分析儀可用范圍的高阻抗 FET 探頭

        • 頻譜分析儀的電流模式一般有自10Hz低頻起始的頻率響應(yīng)。當(dāng)與1Hz或帶寬更窄的 FET 軟件結(jié)合使用時,現(xiàn)代頻譜分析儀就具備了擴(kuò)展的低頻性能,使之成為設(shè)計與調(diào)試高性能模擬電路不可或缺的工具。
        • 關(guān)鍵字: FET  射頻  頻譜分析儀  高阻抗    

        1994年6月,無錫微電子工程在中國華晶電子集團(tuán)公司全面通過國家驗收

        •   1994年6月,我國“七五”電子工業(yè)的頭號工程———無錫微電子工程在中國華晶電子集團(tuán)公司全面通過國家驗收。該工程的重點2微米、3微米MOS超大規(guī)模集成電路生產(chǎn)線正式建成投產(chǎn),代表了我國當(dāng)時微電子工業(yè)大生產(chǎn)的最高水平。
        • 關(guān)鍵字: 華晶電子  集成電路  MOS  
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        mos-fet介紹

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