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        mos-fet 文章 最新資訊

        5A、3.3V和5V電源符合嚴格的EMI輻射標準

        • 嚴苛的汽車和工業環境中的噪聲敏感型應用需要適用于狹小空間的低噪聲、高效率降壓穩壓器。通常會選擇內置MOSFET功率開關的單片式降壓穩壓器,與傳統控制器IC和外部MOSFET相比,這種整體解決方案的尺寸相對較小。可在高頻率(遠高于AM頻段的2 MHz范圍內)下工作的單片式穩壓器也有助于減小外部元件的尺寸。此外,如果穩壓器的最小導通時間(TON)較低,則無需中間穩壓,可直接在較高的電壓軌上工作,從而節約空間并降低復雜性。減少最小導通時間需要快速開關邊沿和最小死區時間控制,以有效減少開關損耗并支持高開關頻率操作
        • 關鍵字: EMI  FET  AM  SSFM  PWM  IC  MOSFET  

        寬禁帶生態系統:快速開關和顛覆性的仿真環境

        • 寬禁帶?材料實現了較當前硅基技術的飛躍。 它們的大帶隙導致較高的介電擊穿,從而降低了導通電阻(RSP)。 更高的電子飽和速度支持高頻設計和工作,降低的漏電流和更好的導熱性有助于高溫下的工作。安森美半導體提供圍繞寬禁帶方案的獨一無二的生態系統,包含從旨在提高強固性和速度的碳化硅(SiC)二極管、SiC MOSFET到 SiC MOSFET的高端IC門極驅動器。 除了硬件以外,我們還提供spice物理模型,幫助設計人員在仿真中實現其應用性能,縮短昂貴的測試周期。我們的預測性離散建模可以進行系統級仿真
        • 關鍵字: IC  RDS(on)  CAD  MOSFET  SiC  MOS  

        電源管理設計小貼士#94:倒置降壓器如何提供非隔離反激器的拓撲選擇

        • 離線電源是最常見的電源之一,也稱為交流電源。隨著旨在集成典型家用功能的產品數量的增加,對所需輸出能力小于1瓦的低功率離線轉換器的需求也越來越大。對于這些應用程序,最重要的設計方面是效率、集成和低成本。在決定拓撲結構時,反激通常是任何低功耗離線轉換器的首選。但是,如果不需要隔離,這可能不是最好的方法。假設終端設備是一個智能燈開關,用戶可以通過智能手機的應用程序進行控制。在這種情況下,用戶在操作過程中不會接觸到暴露的電壓,因此不需要隔離。對于離線電源來說,反激拓撲是一個合理的解決方案,因為它的物料清單(BOM
        • 關鍵字: BOM  FET  VDD  

        超低靜態功耗、內置高壓MOS電流型副邊反饋控制芯片 — SCM1733ASA

        • 繼分別推出≤5W和5-60W 小功率AC/DC電源控制芯片后,為滿足客戶更廣的應用范圍及更低的價格需求,金升陽推出超低靜態功耗、內置高壓MOS且性價比更高的新產品—SCM1733ASA。一、芯片介紹SCM1733ASA 是應用于中小功率AC/DC反激式開關電源的高性能電流模式PWM控制器,內置高壓功率MOS,最大輸出功率達20W,待機功耗<75mW,具有極低的啟動電流和工作電流,可在實現低的損耗的同時保證可靠啟動。芯片滿載工作時,PWM開關頻率固定;降低負載后,進入綠色模式,開關頻率降低;在空載和輕載時,
        • 關鍵字: EMI  PWM  MOS  

        Nexperia 推出行業領先性能的高效率氮化鎵功率器件 (GaN FET)

        • 近日,分立、邏輯和 MOSFET 器件的專業制造商Nexperia,今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA,宣布其進入氮化鎵場效應管(GaN)市場。這款器件非常耐用,柵極電壓 (VGS) 為 +/- 20 V,工作溫度范圍為 -55 至 +175 °C。GAN063-650WSA的特點是低導通電阻(最大RDS(on) 僅為 60 m?)以及快速的開關切換;效率非常高。Nexperia氮化鎵器件的目標是高性能要求的應用市場,包括電動汽車、數據中心、電信設備、工業自動化和高端電源。Nexperi
        • 關鍵字: Nexperia  GaN FET  氮化鎵功率器件  MOSFET 器件  

        對更高功率密度的需求推動電動工具創新解決方案

        • 電動工具中直流電機的配置已從有刷直流大幅轉向更可靠、更高效的無刷直流(BLDC)解決方案轉變。斬波器配置等典型有刷直流拓撲通常根據雙向開關的使用與否實現一個或兩個功率金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)。另一方面,三相BLDC配置需要三個半橋或至少六個場效應管(FET),因此從有刷電流轉向無刷電流意味著全球電動工具FET總區域市場增長了3到6倍(見圖1)。圖1:從有刷拓撲轉換到無刷拓撲意味著FET數量出現了6倍倍增但BLDC設計在這些FET上提出了新的技術要求。例如,若電路板上FET的數量6倍倍增
        • 關鍵字: FET  BLDC  

        工程師必須掌握的MOS管驅動設計細節

        • 一般認為MOSFET是電壓驅動的,不需要驅動電流。然而,在MOS的G、S兩級之間,有結電容存在。這個電容會讓驅動MOS變的不那么簡單......
        • 關鍵字: MOS  MOSFET  

        看看國外廠商正在發力研究的這些新技術

        •   每年十二月,在美國舊金山或華盛頓哥倫比亞特區其中一處舉行的年度電子會議。此會議作為一個論壇,在其中報告半導體、電子元件技術、設計、制造、物理與模型等領域中的技術突破。這個會會議就是IEEE國際電子元件會議(International Electron Devices Meeting,縮寫:IEDM)  在每一界的IEDM上,全球工業界與學界的管理者、工程師和科學家將會聚集在一起討論納米級CMOS晶體管技術、先進內存、顯示、感測器、微機電系統元件、新穎量子與納米級規模元件、粒子物理學現象、光電工程、
        • 關鍵字: DRAM  GAA-FET  

        發光二極管與MOS中為何要添加多余的電流?

        • 發光二極管就是俗稱的LED,由于較容易入門且普及率高,很多新手在進行入門學習時經常會選擇發光二極管來入手。本文將對發光二極管與MOS之間的特定關系
        • 關鍵字: 發光二極管  MOS  電流  

        同步整流器與開關MOS在功率電源的耗散

        • 在大功率電源當中,MOS器件的消耗至關重要。其很有可能關系到電源的整體效率。在之前的文章中,小編為大家介紹了一些功率耗散的方法,在本文中,小編將
        • 關鍵字: 同步整流器  MOS  功率  

        集成智能——第1部分:EMI管理

        •   智能集成電機驅動器和無刷直流(BLDC)電機可以幫助電動汽車和新一代汽車變得更具吸引力、更可行及更可靠。  圖1所示為集成電機驅動器結合驅動電機所需的一切要素,如場效應晶體管(FET)、柵極驅動器和狀態機。集成避免了電線從電子控制單元(ECU)到電機的布線距離過長,并還具有更小印刷電路板(PCB)尺寸和更低整體系統成本的優點。  BLDC電機在汽車應用中提供的優勢包括效率、緊湊的尺寸、更長的電機壽命和電池壽命、更安靜的車內體驗以及更好的EMI性能。  圖1:智能集成BLDC電機驅動器  集成智能系列博
        • 關鍵字: BLDC  FET  

        使用FET和雙極性晶體管的寬帶緩沖電路

        • 使用FET和雙極性晶體管的寬帶緩沖電路-下面的圖是一個寬帶緩沖電路。該電路是由晶體管和FET構成的。這個寬帶放大器具有較高的輸入阻抗和低輸入阻抗。
        • 關鍵字: FET  雙極性晶體管  緩沖電路  寬帶  

        如何保護你的系統不受反向電流的影響

        • 如何保護你的系統不受反向電流的影響- 在使用電子元器件時,你有時候不可避免地會聞到明顯是芯片燒焦的味道。這都是反向電流惹的禍。反向電流就是由于出現了高反向偏置電壓,系統中的電流以相反的方向運行;從輸出到輸入。幸運的是,有很多方法可以保護你的系統不受反向電流的影響。這是反向電流保護系列博文的第一篇文章,在這篇文章中,你將能夠對現有解決方案有高層次的總體認識和了解。
        • 關鍵字: FET  TPS22963  德州儀器  反向電流  

        揭開電池管理系統的神秘面紗

        • 揭開電池管理系統的神秘面紗-現在的電子設備具有更高的移動性并且比以前更綠色,電池技術進步推動了這一進展,并惠及了包括便捷式電動工具、插電式混合動力車、無線揚聲器在內的廣泛產品。近年來,電池效率(輸出功率/尺寸比)和重量均出現大幅改善。試想一下汽車電池得多龐大和笨重,其主要用途是啟動汽車。隨著技術的最新進展,你可以改用鋰離子電池來迅速啟動汽車,其重量只有幾磅,尺寸也就人手那么大。
        • 關鍵字: 電池管理系統  FET  FET驅動器  
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        mos-fet介紹

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