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PROM、EEPROM、FLASH、SRAM、DRAM等存儲器比較
- PROM、EEPROM、FLASH的總結(jié)性區(qū)別 EPROM、EEPROM、FLASH 都是基于一種浮柵管單元(Floating gate transister)的結(jié)構(gòu)。EPROM的浮柵處于絕緣的二氧化硅層中，充入的電子只能用紫外線的能量來激出。EEPROM的單元是由FLOTOX(Floating- gate tuneling oxide transister)及一個附加的Transister組成，由于FLOTOX的特性及兩管結(jié)構(gòu)，所以可以單元讀/寫。技術(shù)上，F(xiàn)LASH是結(jié)合EPROM和EEPRO
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18吋晶圓技術(shù)成本過高 12吋將續(xù)為業(yè)者主力
- 雖然較大尺寸晶圓的生產(chǎn)材料和技術(shù)成本高于小尺寸晶圓，但由于較大晶圓可以切割出更多的芯片，因此經(jīng)驗(yàn)顯示，就每單位芯片成本而言，大尺寸晶圓技術(shù)至少會比小尺寸晶圓降低20%。 然而在實(shí)務(wù)上，要采用大尺寸晶圓生產(chǎn)技術(shù)，業(yè)者必須要先行投入大筆經(jīng)費(fèi)。因此在資金和技術(shù)的障礙下，各業(yè)者往往會采用將現(xiàn)有技術(shù)進(jìn)行效率最大化的方式進(jìn)行生產(chǎn)，而不是對新開發(fā)的大尺寸晶圓生產(chǎn)技術(shù)進(jìn)行投資。 以最新18吋(450mm)晶圓生產(chǎn)技術(shù)的采用為例，就正處于這樣一種狀況下。根據(jù)調(diào)研機(jī)構(gòu)ICInsights最新公布的2015~2
- 關(guān)鍵字： 晶圓 DRAM
大陸景氣低迷 韓國存儲器廠前景恐難卜
- 雖然大陸景氣疲軟，2015年韓國存儲器廠的業(yè)績展望相對明朗。然大陸智能型手機(jī)需求縮減，2016年移動DRAM價格可能下滑，2016年前景反而不透明。 據(jù)ET News報導(dǎo)，全球排名前一、二名的DRAM制造廠三星電子(Samsung Electronics)和SK海力士(SK Hynix)下半年業(yè)績可能會與當(dāng)初預(yù)期相近，或小幅提升。近來大陸景氣迅速萎縮，但對下半年暫時不會有太大影響。 三星下半年IT及移動裝置(IM)事業(yè)部業(yè)績可能下滑，但半導(dǎo)體事業(yè)暨裝置解決方案(DS)事業(yè)部的存儲器和系統(tǒng)晶
- 關(guān)鍵字： 存儲器 DRAM
海力士擴(kuò)產(chǎn) DRAM不妙
- 全球第二大DRAM廠南韓SK海力士昨(25)日宣布，規(guī)劃斥資31兆韓元(約259.4億美元、約新臺幣8,300億元)，在南韓興建兩座新廠，預(yù)計2024年前竣工。近期DRAM價格好不容易出現(xiàn)止跌訊號，市場憂心，SK海力士大舉擴(kuò)產(chǎn)，長期將再度使得產(chǎn)業(yè)陷入供過于求。 外電指出，投資人正密切留意記憶體廠新的資本投資，因?yàn)榇笠?guī)模的支出可能導(dǎo)致供給過剩，或引爆價格戰(zhàn)，這對三星、SK海力士、華亞科(3474)、南亞科等業(yè)者都將不利。 受市場憂心SK海力士大舉擴(kuò)產(chǎn)影響，南亞科昨天股價在臺股大漲逾265點(diǎn)下
- 關(guān)鍵字： 海力士 DRAM
研調(diào)：DRAM價未來幾季續(xù)跌
- TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange表示，DRAM市場第2季受到合約均價大幅衰退約10%的影響，雖然位元產(chǎn)出量持續(xù)增長，總產(chǎn)值仍呈現(xiàn)4.8%的季衰退，來到114億美金。在淡季影響下，各DRAM廠營收都呈現(xiàn)衰退走勢，然而由于制程持續(xù)轉(zhuǎn)進(jìn)，毛利并未大幅縮減，三星、SK海力士與美光的DRAM產(chǎn)品別營業(yè)獲利比例分別為48%、37%與21%，因此DRAM產(chǎn)業(yè)真正的考驗(yàn)將會落在未來的幾個季度。在需求端如筆電與智慧型手機(jī)領(lǐng)域持續(xù)疲弱，但供給端來自20nm/21nm的比例將持續(xù)提升，該機(jī)構(gòu)
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM
第二季DRAM位元產(chǎn)出量增、產(chǎn)值衰退
- TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange表示，DRAM市場在 2015年第二季受到合約均價大幅衰退約10%的影響，雖然位元產(chǎn)出量持續(xù)增加，總產(chǎn)值仍呈現(xiàn)4.8%的季衰退，來到114億美元。 在淡季影響下，各DRAM廠第二季營收都呈現(xiàn)衰退走勢，然而由于制程持續(xù)轉(zhuǎn)進(jìn)，毛利并未大幅縮減，三星(Samsung)、SK海力士(Hynix)與美光(Micron)的DRAM產(chǎn)品別營業(yè)獲利比例分別為48%、37%與21%，因此DRAM產(chǎn)業(yè)真正的考驗(yàn)將會落在未來的幾季;在需求端如筆電與智慧型
- 關(guān)鍵字： DRAM 三星
這是在鬧哪樣？徹底取消合約機(jī) 還要收取聯(lián)網(wǎng)費(fèi)
- 美國最大的移動運(yùn)營商Verizon周五宣布，對于新入網(wǎng)用戶，將停止提供帶補(bǔ)貼的合約機(jī)，不再要求用戶簽訂兩年的使用合約。在此之前美國第四大移動運(yùn)營商T-Mobile已經(jīng)取消了合約機(jī)。或許，Verizon徹底取消合約機(jī)的做法將在整個美國移動通信行業(yè)引起連鎖反應(yīng)。 Verizon認(rèn)為，通過取消合約而專注于不同的數(shù)據(jù)流量套餐，將簡化用戶的選擇。Verizon的新套餐將于8月13日上線，其中包括4種選擇，分別為30美元包1GB流量、45美元包3GB流量、60美元包6GB流量，以及80美元包12GB流量。這
- 關(guān)鍵字： Verizon T-Mobile
三星降低DRAM產(chǎn)量 為滿足蘋果新iPhone的內(nèi)存需求
- 猶如國內(nèi)股市，今年內(nèi)存持續(xù)降價，已經(jīng)降回多年前的低位。但現(xiàn)在壞消息來了，世界上最大的內(nèi)存顆粒生產(chǎn)商三星宣布將降低DRAM顆粒的生產(chǎn)量，下個月可能會引起內(nèi)存的價格反彈。 據(jù)臺媒CTIMES News報道，三星將降低30%的普通DRAM顆粒產(chǎn)量，以騰出生產(chǎn)線用于生產(chǎn)手機(jī)用的LPDDR內(nèi)存顆粒，預(yù)計在8月到9月，普通內(nèi)存的價格將會提高。 傳聞蘋果的新一代iPhone將搭載2GB LPDDR4內(nèi)存，這意味著蘋果需要采購比去年更多的內(nèi)存顆粒，而現(xiàn)有的供應(yīng)商海力士和鎂光無法
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DRAM價差縮 研調(diào)：DDR4年底變主流
- 據(jù)記憶體市調(diào)機(jī)構(gòu)DRAMeXchange最新報告顯示，第3季初伺服器用記憶體整體市場需求仍未見回溫，在需求端拉貨力道不振下，即便原廠力守價格，代理商對市場信心依然持續(xù)減弱，并出現(xiàn)降價求售，使整體市場價格出現(xiàn)明顯松動。 DRAMeXchange分析師劉家羽表示，由于PC端需求依舊疲軟，標(biāo)準(zhǔn)型記憶體跌價幅度持續(xù)擴(kuò)張，也使得伺服器用記憶體價格跌幅收斂受阻。 受DDR4跌價沖擊，DDR3價格下殺幅度趨明顯，7月底 8GB/16GB均價來到64與116美元，月跌幅達(dá)5~6%;而DDR4 R-DIMM
- 關(guān)鍵字： DRAM DDR4
三星輝煌已成過去 為保留市場份額苦苦爭斗
- 憑借著Galaxy系列智能手機(jī)在市場中的巨大成功，三星電子過去四年通過與蘋果爭奪高端智能手機(jī)市場收獲了數(shù)十億美元。不過這家韓國科技巨頭的前景并不樂觀，因?yàn)闉榱嗽谥械投耸袌龅钟鶃碜孕∶住⑷A為等中國智能手機(jī)制造商發(fā)起的沖擊，該公司已被迫下調(diào)產(chǎn)品價格，并接受降低手機(jī)部門利潤率的現(xiàn)實(shí)。 三星電子當(dāng)前所面臨的現(xiàn)實(shí)，是這家公司無法擺脫與低成本競爭對手共同采用Android操作系統(tǒng)的窘境，而后者已能夠自主開發(fā)出功能更多的智能手機(jī)。Stratechery.com分析師本·湯普森(Ben Thomp
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM
DRAM價差縮 研調(diào)：DDR4年底變主流
- 據(jù)記憶體市調(diào)機(jī)構(gòu)DRAMeXchange最新報告顯示，第3季初伺服器用記憶體整體市場需求仍未見回溫，在需求端拉貨力道不振下，即便原廠力守價格，代理商對市場信心依然持續(xù)減弱，并出現(xiàn)降價求售，使整體市場價格出現(xiàn)明顯松動。 DRAMeXchange分析師劉家羽表示，由于PC端需求依舊疲軟，標(biāo)準(zhǔn)型記憶體跌價幅度持續(xù)擴(kuò)張，也使得伺服器用記憶體價格跌幅收斂受阻。 受DDR4跌價沖擊，DDR3價格下殺幅度趨明顯，7月底 8GB/16GB均價來到64與116美元，月跌幅達(dá)5~6%;而DDR4 R-DIMM
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三星減產(chǎn)三成 標(biāo)準(zhǔn)型DRAM價回溫
- 市場傳出，DRAM龍頭三星半導(dǎo)體計劃減產(chǎn)三成標(biāo)準(zhǔn)型DRAM，產(chǎn)能轉(zhuǎn)為生產(chǎn)行動式記憶體(Mobile DRAM)，以因應(yīng)蘋果新機(jī)出貨，同時通知OEM廠8月起不再調(diào)降標(biāo)準(zhǔn)型DRAM售價。法人預(yù)期，盤跌近七個月的DRAM價格可望止跌回升，華亞科、南亞科及華邦電等DRAM族群營運(yùn)可望再起。 蘋果供應(yīng)鏈透露，蘋果新款iPhone 6s與6s Plus，將搭載A9 升級版處理器與2GB LPDDR4 Mobile DRAM，搭載記憶體由1GB升級到2GB，容量倍增，原有供應(yīng)商美光和SK海力士無法滿足供貨，因
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM
全球新式存儲器大戰(zhàn) 臺控制芯片廠不缺席
- 美光(Micron)與英特爾(Intel)合作非揮發(fā)性存儲器(NVM)新技術(shù)3D XPoint，可取代既有DRAM和NAND Flash芯片，業(yè)界傳出該技術(shù)不僅將導(dǎo)入固態(tài)硬碟(SSD)，臺系NAND Flash控制芯片業(yè)者慧榮更已加入3D XPoint計劃，成為首家控制芯片供應(yīng)商，2016年搶先導(dǎo)入SSD。不過，相關(guān)消息仍待慧榮正式對外宣布。 存儲器業(yè)者表示，包括美光和英特爾的IM Flash陣營對于3D XPoint技術(shù)并未揭露太多資訊，業(yè)界推測可能是一種稱為可變電阻式存儲器(ReRAM)的新
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND
林文伯： DRAM壞了半導(dǎo)體景氣
- 封測大廠硅品精密昨(29)日召開法說會，素有半導(dǎo)體景氣鐵嘴之稱的董事長林文伯直言，下半年景氣能見度很低，只能期待第4季出現(xiàn)急單效應(yīng)。林文伯指出，DRAM價格跌那么兇，說不定今年半導(dǎo)體市場可能不會成長。至于后段封測市場雖然數(shù)量成長，但營收規(guī)模大概只會較去年持平或小幅成長。 受到上游客戶調(diào)整庫存影響，硅品預(yù)估第3季營收介于186～198億元，較第2季衰退6.8～12.4%，毛利率介于22.5～24.5%，營業(yè)利益率介于12.5～14.5%，低于市場預(yù)期。昨日法說會中，法人不斷詢問林文伯對半導(dǎo)體景氣看
- 關(guān)鍵字： DRAM 半導(dǎo)體
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