- 華為在美國起訴T-Mobile，Nokia在美國反訴華為。
Nokia替T-Mobile出頭反訴華為沒有錯，因為作為運營商，T-Mobile本身專利較少，根本無力應對華為的訴訟。
之所以Nokia要為T-mobile出頭，原因也很簡單，作為T-Mobile的主要設備供應商，在供貨協議中肯定已經明確了一旦T-Mobile遭遇訴訟，Nokia需要承擔所有訴訟的費用和賠償。因此Nokia必須出頭反訴，否則靜等法庭判決只會輸的更多。
華為電信設備無法進入美國市場，智能手機在美國銷量也一般，因
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華為 T-Mobile
- 韓國經濟日報周二報導，國營福建晉華積體電路公司(音譯：Fujian Jinhua Integrated Circuit Co.)在來自聯電(2303)技術的加持下，已著手建造半導體廠，將藉此切入DRAM市場。
來自產業內的訊息指出，福建晉華上周六已在晉江市，舉行DRAM廠破土動工儀式，第一期工程投資規模預估來到370億人民幣，或相當于55億美元，2018年投產后每月可產出6萬片晶圓(32奈米)。
據報導，福建晉華將獲得聯電技術支援，且全球晶圓代工龍頭臺積電(2330)傳也有參與投資，但未獲
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DRAM 三星
- IC Insights近日調降2016年半導體產業成長率預測至-1%，表示英國脫歐也是為產業帶來負面沖擊的原因之一…
市場研究機構IC Insights近日調降了對2016年半導體產業的成長率預測，由原先的2%下修為-1%;該機構表示，調降產業成長率預測的主要原因，是基于全球經濟表現衰弱，以及低迷不振的DRAM市場。
消 費性電子市場與半導體產業之間的連動關系越來越密切，IC Insights預期，2016年全球GDP與成長率僅2.3%;而GDP成長率若低于2.5%，被認為是
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半導體 DRAM
- 據韓媒BusinessKorea報道，IBM和三星近日在IEEE上發布研究論文稱，兩家公司聯手打造了一種被稱為STT-MRAM的新內存，有望成為目前DRAM內存的最實際接替者。
DRAM，即動態隨機存取存儲器，目前最大的發展障礙就是其很難被壓縮至10nm以下，因此兩家公司研發的STT-MRAM(自旋傳輸磁性記憶體)首先就將解決這一問題。
另外，新內存也將擁有更高的傳輸速度且更加省電，理論性能也將超越DRAM。
業界認為，這可能是目前DRAM的最佳接替者，因為95%的DRAM制造設施都
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三星 DRAM
- 一條有關中國集成電路產業的重要新聞：
《晉江市集成電路產業發展規劃(2016-2025)》于11日在北京通過專家論證，一個千億規模的集成電路全產業鏈正在此興起。
與會專家表示，《發展規劃》立足晉江、對標國內、放眼全球，符合區域實際、切合國內格局、貼合產業方向，具有較強的指向性和操作性。
老杳不是專家，不過即使從表述文字也可以看出其中眾多蹊蹺，在集成電路領域一窮二白的晉江市，僅僅一個集成電路的產業規劃就意味著“千億規模的集成電路全產業鏈正在此興起”?又如何推演出
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DRAM 集成電路
- 長久以來，半導體產業的“健康狀況”與全球經濟成長息息相關，很少有強大的半導體市場，沒有好的世界經濟在背后支撐它。在七月推出的2016年McClean報告中，市調機構ICInsights預測，今年全球GDP成長率僅2.3%，低于全球不景氣門檻(RecessionThreshold)的2.5%。
受到DRAM市場的需求下降與英國脫歐影響，整體半導體市場成長率將下滑。
目前，在許多地區中，地方經濟逐漸趨緩，即便是中國，這個個人電腦、數位電視、智慧型手機、新型商用飛機與汽車
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DRAM 半導體
- 記者12日從福建晉江市委宣傳部獲悉，《晉江市集成電路產業發展規劃(2016-2025)》(以下簡稱“《發展規劃》”)于11日在北京通過專家論證，一個千億規模的集成電路全產業鏈正在此興起。
據介紹，《發展規劃》描繪了泉州晉江未來十年(2016-2025)集成電路產業的發展藍圖，提出到2025年，將構建千億規模的集成電路全產業鏈生態圈、資源生態圈、智能生態圈、企業生態圈。
論證會由工信部電子一所副所長萬鵬遠主持。在3個多小時的論證會上，中科院半導體所所長李樹深，中科院微
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集成電路 DRAM
- 據美國媒體報道，周二華為在美國德克薩斯州東區法庭提起專利訴訟，指控美國無線運營商T-Mobile拒絕與其達成專利許可協議，并繼續侵犯自己的專利權。華為曾提出按照公平、合理和非歧視條款許可T-Mobile使用其4G專利，但T-Mobile拒絕此要求。
此次糾紛要追溯到2014年，當時華為想與位于內布拉斯加州貝爾維尤的T-Mobile進行專利許可談判，但T-Mobile不愿意簽署非披露協議，導致談判終止。今年早些時候，華為提交了數起專利侵權訴訟。目前華為還未提出賠償金額要求。相反，該公司要求法庭發布
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華為 T-Mobile
- 由于記憶體原廠端供貨吃緊，一線PC-OEM客戶于六月提前與DRAM廠洽談第三季合約價格，集邦科技旗下DRAMeXchange預估第三季DRAM合約價上漲趨勢確立，漲幅約4～8%。
DRAMeXchange 研究協理吳雅婷表示，經過近兩年的續跌，6月合約價已呈現持平，普遍用12.5美元價格議定完成。DRAMeXchange最新報價顯示，DDR3 4GB合約均價從2014年10月的32.75美元下跌至今年六月的12.5美元，跌幅高達62%。
吳雅婷表示，第三季的DRAM合約均價起漲，起因于標準
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集邦科技 DRAM
- 行動記憶體需求暴增，在晶片制造商窮于應付的同時， PC用DRAM卻也因此受惠，現貨價格持續攀升。
據日經新聞報導，行情指標4-Gigabit DDR3 DRAM過去一個月上漲6%，目前來到1.74美元，某些產品甚至還漲到2美元以上。PC出貨量萎縮、需求能見度明明不佳，但PC用DRAM價格之所以還能往上攀升，是因為美光等記憶體大廠將部分產能移作生產行動產品，以致供給減少。
PC制造商夏季機種目前已陸續上市，盡管此時季節性需求已開始減緩，但許多專家仍舊看好DRAM這波反彈行情將一直延續至九月，
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PC DRAM
- 一個董事席位不至于讓知識產權輕松被轉移。不過一個錯誤的決定卻可能讓臺灣集成電路產業重蹈面板的覆轍。
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DRAM 集成電路
- DRAM產業因長期需求不振，合約價格已歷經連續19個月的跌幅趨勢。今年五月底DDR4合約均價為1.31美元，而DDR3僅1.25美元，各廠都面臨龐大的成本壓力。TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導體觀察)研究協理吳雅婷表示，第三季個人電腦(PC)將進入出貨高峰、中國品牌智能手機出貨持續走揚，再加上新一代iPhone 4.7”(2GB)及5.5”(3GB)的拉貨動能，將消耗可觀的DRAM產能。此外，各家DRAM供貨商對于制程轉進的態度趨于
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TrendForce DRAM
- 蘋果iPhone 7已展開備貨，記憶體容量倍增，銷售也看好，業界預期第3季NAND快閃記憶體的需求將好轉，大廠的產能將轉向NAND快閃記憶體，這將帶動DRAM市況也趨健康，記憶體模組廠創見、威剛、宇瞻等，預估下半年營運會比上半年好。
創見預期今年記憶體市況將比去年好轉，主要因上游大廠資本支出較保守，產能增加有限，致使價格趨緩跌;受惠智能手機等產品儲存容量不斷上升，加上SSD取代硬盤態勢成形，SSD需求強勁，儲存型快閃記憶體(NAND Flash)下半年市況比DRAM佳。
威剛董事長陳立白日
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NAND DRAM
- 臺存儲器模組廠威剛董事長陳立白指出，觀察國際龍頭大廠動向，全球DRAM軍備競賽可望在韓系龍頭三星電子(Samsung Electronics)節制資本支出的情況下停止，預計DRAM價格在2016年第2季落底，9月前后DRAM景氣將好轉，為期兩年半的DRAM空頭市場將走完。
陳立白認為，三星在DRAM的資本支出上踩煞車，影響接近45%的供貨，接下來就要看SK海力士的態度，如果海力士也認同避免軍備競賽的移動，開始節制資本支出，對產業來說就是美事一樁。
據臺存儲器模組業者表示，SK海力士新董事長
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威剛 DRAM
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