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        mlc nand 文章 最新資訊

        Hynix新NAND快閃記憶體制造廠在清州投產(chǎn)

        •   據(jù)國外媒體報道,全球第二大電腦記憶體晶片制造商Hynix周四表示,其在韓國建成的新NAND快閃記憶體制造工廠正式投產(chǎn)。   據(jù)國外媒體報道,Hynix表示,該新廠位于清州,月產(chǎn)量可達(dá)到30萬件,并有望于在數(shù)月后提高到50萬件。   Hynix在清州還建有另外兩個芯片制造廠,目前正在運作當(dāng)中。   Hynix的首席執(zhí)行官Kim Jong-gap表示,公司計劃加強(qiáng)產(chǎn)品在價格方面的競爭力,并在接下來的研發(fā)道路中保持高水準(zhǔn)的投資。
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        臺灣工研院建固態(tài)硬盤認(rèn)證平臺

        •   固態(tài)硬盤(SSD)借低價電腦熱潮迅速興起,英特爾、三星等國際大廠結(jié)合NAND閃存芯片制造和技術(shù)優(yōu)勢走在前列,臺系陣營為了急起直追,由當(dāng)?shù)毓I(yè)情報機(jī)構(gòu)工研院、測試廠百佳泰和臺廠合力發(fā)起的“SSD聯(lián)盟”(SSD Alliance)合作建立了一套測試認(rèn)證平臺,希望藉此機(jī)會把SSD硬件測試平臺建立起來,為臺灣廠商臺廠搶占固態(tài)硬盤市場先機(jī)。   工研院電光所詹益仁表示,英特爾將推出容量高達(dá)80GB的SSD產(chǎn)品,2009年還將推出100GB產(chǎn)品,其他包括三星電子、東芝等廠商也都在積極介入
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        英特爾筆記本專用SSD硬盤30天內(nèi)上市

        •   英特爾NAND產(chǎn)品事業(yè)部今天發(fā)布了高性能固態(tài)驅(qū)動器(SSD)的產(chǎn)品線規(guī)劃和發(fā)布時間表。固態(tài)驅(qū)動器適用于移動與臺式機(jī)客戶端、企業(yè)級服務(wù)器、存儲設(shè)備和工作站。這一系列產(chǎn)品稱作英特爾高性能SATA固態(tài)驅(qū)動器產(chǎn)品線,是基于固態(tài)閃存的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備,用于存儲計算機(jī)中的數(shù)據(jù),可模擬并替代某些計算機(jī)中的硬盤驅(qū)動器。   與傳統(tǒng)的硬盤驅(qū)動器(HDD)和目前市場上的固態(tài)驅(qū)動器相比,英特爾的全新固態(tài)驅(qū)動器具有更重要的優(yōu)勢,包括更快速的整體系統(tǒng)響應(yīng)能力和計算機(jī)開/關(guān)啟動時間,卓越的耐用性和可靠性,更長的電池壽命和更低的企業(yè)
        • 關(guān)鍵字: 英特爾  NAND  固態(tài)  驅(qū)動器  SSD  HDD  

        NAND閃存市場價格一路下滑 降幅超10%

        •   來自閃存制造業(yè)界的消息稱,預(yù)計在八月份晚期,當(dāng)前閃存芯片市場上的主流產(chǎn)品——8GB和16GB NAND閃存芯片的合同價格將雙雙下滑10%.   NAND閃存芯片多用于當(dāng)前的消費類產(chǎn)品上,包括蘋果的iPhone手機(jī)、iPod音樂播放器以及數(shù)碼相機(jī)等產(chǎn)品上。盡管每年第三季度為消費類產(chǎn)品的傳統(tǒng)銷售旺季,但今年卻無法止住NAND閃存芯片價格下滑步伐。   三星電子以及SanDisk都對未來的NAND閃存市場持悲觀態(tài)度,由于NAND閃存價格一路下滑,從而引發(fā)他們失去對該市場信心。與此
        • 關(guān)鍵字: 閃存  NAND  芯片  三星  

        NAND閃存的下一個熱點:性能

        •   利用50-40nm的工藝制程節(jié)點,NAND閃存密度已達(dá)到16 GB/D及超過2B/C多級單元(MLC)技術(shù)。盡管位元密度強(qiáng)勁增長,但是NAND閃存的編譯能力一直停留在10MB/S范圍內(nèi)。由于數(shù)字內(nèi)容需要的增長,公司更加重視改進(jìn)NAND閃存裝置的編譯和讀取性能,使其比特更高和性能更快,以滿足消費者的需要。再加上存儲產(chǎn)品價格急劇下降,高比特高性能已成為各個公司努力追求的方向。         2008年國際固態(tài)電路會議的論文和2007
        • 關(guān)鍵字: NAND  柵極感應(yīng)  DDR  MLC  MLC  

        三星上半年閃存產(chǎn)品銷量居全球第一

        •   新華網(wǎng)首爾8月20日電 韓國三星電子公司19日宣布,公司上半年閃存產(chǎn)品銷量位列全球第一。   三星公司援引市場研究公司iSuppli日前發(fā)表的一份報告稱,今年1至6月份,三星閃存產(chǎn)品銷售額達(dá)75.1億美元,占全球閃存市場的30%。   韓國海力士半導(dǎo)體公司位列第二,全球市場份額為13%,美國米克倫技術(shù)公司和日本的爾必達(dá)內(nèi)存公司分列第三、第四位,市場份額分別為8%和7%。   三星的成功主要源自NAND閃存產(chǎn)品的暢銷,第二季度該類產(chǎn)品銷售額達(dá)14.2億美元,占當(dāng)季全球NAND閃存銷售的42.3%,
        • 關(guān)鍵字: 三星  閃存  NAND  DRAM  

        三星上半年閃存產(chǎn)品銷量居全球第一

        •   新華網(wǎng)首爾8月20日電 韓國三星電子公司19日宣布,公司上半年閃存產(chǎn)品銷量位列全球第一。   三星公司援引市場研究公司iSuppli日前發(fā)表的一份報告稱,今年1至6月份,三星閃存產(chǎn)品銷售額達(dá)75.1億美元,占全球閃存市場的30%。   韓國海力士半導(dǎo)體公司位列第二,全球市場份額為13%,美國米克倫技術(shù)公司和日本的爾必達(dá)內(nèi)存公司分列第三、第四位,市場份額分別為8%和7%。   三星的成功主要源自NAND閃存產(chǎn)品的暢銷,第二季度該類產(chǎn)品銷售額達(dá)14.2億美元,占當(dāng)季全球NAND閃存銷售的42.3%,
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        東芝發(fā)布最大容量嵌入式NAND閃存

        •   東芝近日宣布推出多款最大容量為 32GB的嵌入式NAND閃存模塊,這些嵌入式產(chǎn)品應(yīng)用于移動數(shù)碼消費產(chǎn)品,包括手機(jī)和數(shù)碼相機(jī),樣品將于2008年9月出廠,從第四季度開始量產(chǎn)。隨著帶有控制器功能的存儲器需求不斷擴(kuò)大,東芝已經(jīng)采取行動使其在這個不斷擴(kuò)大的市場上占領(lǐng)領(lǐng)先地位,東芝還加入更大容量的模塊以鞏固公司的地位。
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        TDK推出兼容U.DMA6的GBDriver RA8系列NAND閃存控制器LSI 

        •   TDK 公司日前宣布開發(fā)出GBDriver RA8系列NAND閃存控制器LSI,該產(chǎn)品計劃于九月份開始銷售。   GBDriver RA8系列是用于U.DMA6的高速NAND控制器IC,與2K字節(jié)/頁和4K字節(jié)/頁的NAND閃存兼容。該控制器支持單級單元 (SLC) 和多級單元(MLC) NAND 閃存,實現(xiàn)了從128M字節(jié)到1 G字節(jié)(SLC) 和256M字節(jié)到32G字節(jié)(MLC)的高速閃存存儲容量,因而該控制器適用的應(yīng)用領(lǐng)域非常廣泛。此外,該控制器具有128 針TQPF 封裝方式和121 針VF
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        Hynix與Numonyx簽5年協(xié)議共同開發(fā)NAND技術(shù)

        •   據(jù)國外媒體報道,近日,全球第二大電腦記憶體晶片制造商Hynix表示,已與意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics NV)和英特爾的合資公司Numonyx BV簽署了一項為期五年的協(xié)議,拓展其在快速增長的NAND閃存領(lǐng)域的共同開發(fā)項目。   據(jù)國外媒體報道,根據(jù)協(xié)議內(nèi)容,兩家公司將合作擴(kuò)大NAND產(chǎn)品線,推出新產(chǎn)品和實現(xiàn)技術(shù)創(chuàng)新,從而應(yīng)對未來五年NAND技術(shù)所面臨的挑戰(zhàn)。   根據(jù)協(xié)議內(nèi)容,Hynix和Numonyx將共同開發(fā)技術(shù)項目,聯(lián)合提供領(lǐng)先的NAND存儲技術(shù)和產(chǎn)品,并進(jìn)行資源整合以促
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        恒憶與海力士擴(kuò)大合作 共同推廣創(chuàng)新的NAND閃存技術(shù)與產(chǎn)品

        •   恒憶(Numonyx)今天宣布與海力士半導(dǎo)體公司達(dá)成為期五年的協(xié)議,在飛速增長的NAND閃存領(lǐng)域擴(kuò)展聯(lián)合開發(fā)計劃。針對NAND技術(shù)在未來五年面臨的挑戰(zhàn),兩家公司將擴(kuò)大NAND產(chǎn)品線并共同研發(fā)未來產(chǎn)品,進(jìn)行技術(shù)創(chuàng)新。   根據(jù)新協(xié)議,恒憶和海力士將擴(kuò)大聯(lián)合開發(fā)的范圍,共同提供領(lǐng)先的NAND存儲器技術(shù)和產(chǎn)品,并且整合資源以加快未來NAND技術(shù)及解決方案的開發(fā)。在應(yīng)用于手機(jī)多芯片封裝的移動DRAM領(lǐng)域,雙方也將進(jìn)行合作。   恒憶總裁兼首席執(zhí)行官Brian Harrison表示:"未來五年,在
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        微控制器的市場前景及發(fā)展趨勢

        •   微控制器廣泛應(yīng)用于各種小型電器,隨著技術(shù)的發(fā)展,其不但價格低廉,而且功能越來越強(qiáng)大。由于家用電器、手持式消費電子產(chǎn)品、手持式通信裝置和車用電子等領(lǐng)域的市場推動,微控制器的使用量越來越大而且表現(xiàn)出了更新?lián)Q代的趨勢。預(yù)計在未來的市場中,低階應(yīng)用將會以8位微控制器為主,而高階應(yīng)用將會由32位微控制器稱霸。當(dāng)然,也有可能沖出一個比32位微控制器更強(qiáng)大的產(chǎn)品,如果能夠控制成本,則32位微控制器將面臨很快被淘汰的命運。不過就目前的情形來看,32位微控制器將在市場中活躍一陣子。其市場占有率將會逐漸上升,到2010年
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        蘋果大量訂購NAND芯片:三星預(yù)警缺貨

        •   據(jù)我國臺灣省的一家媒體報道稱,三星對其客戶發(fā)出預(yù)警,因蘋果大量訂購NAND閃存芯片,預(yù)計這類芯片將在一段時間內(nèi)缺貨。   當(dāng)?shù)貢r間本周三,《電子時報》報道稱,三星在對其客戶發(fā)出的預(yù)警中表示,蘋果最近向三星訂購了5000萬顆8Gb的NAND閃存芯片,計劃用于3G版iPhone上;想必大家都聽說此事了。因此三星的其它客戶需要等上一段時間后才能收到三星的發(fā)貨。三星是蘋果的固定供應(yīng)商之一,兩家公司在2005年簽署了NAND閃存供貨合同。   蘋果這次訂購的NAND閃存芯片總?cè)萘肯喈?dāng)于5000萬GB(8Gb
        • 關(guān)鍵字: 三星  NAND  閃存  蘋果  

        五月份全球半導(dǎo)體銷售增長7.5%達(dá)到218億美元

        •   【eNet硅谷動力消息】半導(dǎo)體工業(yè)協(xié)會公布月度報告顯示,今年五月份全球半導(dǎo)體的銷售收入從去年同期的203億美元增長了7.5%達(dá)到218億美元。受到全球消費電子產(chǎn)品銷售強(qiáng)勁和美國消費性支出好轉(zhuǎn)的推動,五月份半導(dǎo)體銷售收入比四月份增長了2.8%,四月份全球半導(dǎo)體銷售收入為212億美元。   數(shù)據(jù)顯示,在半導(dǎo)體銷售中,計算機(jī)是最大的終端市場。今年前五個月,全球半導(dǎo)體銷售收入達(dá)到1034億美元,比去年同期增長了5.3%。   半導(dǎo)體工業(yè)協(xié)會總裁George Scalise在一份聲明中表示,盡管有媒體報告了
        • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體  計算機(jī)  芯片  數(shù)碼相機(jī)  手機(jī)  NAND  閃存  

        全球閃存市場達(dá)254億美元 廠商Q4投身30nm制程

        •   據(jù)外電報道,NAND Flash(閃存)制造廠制程技術(shù)持續(xù)不斷推進(jìn),集邦科技表示,各Flash制造廠自今年第四季起將陸續(xù)轉(zhuǎn)進(jìn)30納米制程技術(shù)。   根據(jù)美光預(yù)估,今年全球NAND Flash市場可望增長至254億美元規(guī)模,除了目前一般數(shù)字影音播放器、UFD(通用串行總線閃存儲存驅(qū)動器)、記憶卡等應(yīng)用外,也相當(dāng)看好移動儲存市場的發(fā)展?jié)摿Α?   為降低生產(chǎn)成本,強(qiáng)化競爭力,NAND Flash制造廠持續(xù)不斷進(jìn)行制程技術(shù)微縮,其中IM Flash陣營已宣示,34納米制程技術(shù)將于今年第四季投產(chǎn)。韓國三星電
        • 關(guān)鍵字: 閃存  NAND  Flash  移動儲存  30納米  
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        mlc nand介紹

          MLC NAND   目錄   1定義   2MLC芯片特點   3與SLC對比   1定義   MLC 全稱為Multi-Level Cell,多層單元閃存,MLC通過使用大量的電壓等級,每一個單元儲存兩位數(shù)據(jù),數(shù)據(jù)密度比較高。   一般廠家宣稱可以保證得擦除次數(shù)是3,000次 。這一點與SLC得100,000的擦除次數(shù)有不小的差異。   2MLC芯片特點   1、傳輸速率 [ 查看詳細(xì) ]

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