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        mlc nand 文章 最新資訊

        NAND市況是“業內有史以來最糟糕的”

        • 根據iSuppli公司的正式消息,NAND閃存供應商所面臨的市況是業內有史以來最惡劣的,并且這種狀況可能進一步惡化。如果不是到了岌岌可危的境地,供應商們就不會抱怨NAND閃存業務的定價和收益率的悲哀狀況了。 與2006年第四季度17%的降幅相比,今年第一季度每Mb的NAND閃存的平均定價有望下降35%到40%。這種戲劇性的價格下滑意味著NAND閃存業務作為一個整體將在今年第一季度遭遇運營損失,該市場有史以來第一次發生這樣的事情。 經濟學101法則 需求對降價呈現彈性的響應,市況惡劣的主要原因在于NAND供
        • 關鍵字: NAND  閃存  存儲  DRAM  

        NAND近期市場形勢升級為“中性”

        • 對于受嚴重價格侵蝕打擊近六個月之久的NAND閃存供應商來說,現在有好消息但不是最好的消息:iSuppli公司已經更新了近期該市場的形勢評級。 目前,iSuppli將2006年10月2日那一周以來一直保持的NAND供應商市場形勢評級自“負面”升為“中性”。就在兩周前,iSuppli還認為供應商的情況是有史以來最為糟糕的。但是峰回路轉—在持續惡劣條件的情況下,其拐點即將來臨。 iSuppli的NAND動量指標—上周跟蹤各項決定市場狀態因素的指標向正臨界偏移,該現象是自2006年11月13日那一周后首次出現。
        • 關鍵字: NAND  存儲  

        NAND市場在一季度遭遇最慘痛經歷

        • 一季度NAND閃存市場有多糟糕? 糟糕得驚人! •        全球NAND市場營收下降了6.84億美元,相比2006年第四季度下降了20.6%! •        市場如此糟糕以至于一個被公認為該市場領軍供應商NAND的營收在此期間下降了10.1%! •    &nbs
        • 關鍵字: NAND  

        受三星停電事件影響 NAND價格上漲15-25%

        •     根據集邦科技資料,8月上旬NAND型閃存價格受韓國三星停電事件影響,平均上漲約15-25%。集邦分析師指出,由于短期內旬NAND型閃存市場供貨不足,預估8月下旬價格將持平或小漲。     據港臺媒體報道,三星半導體廠區在8月3日下午發生停電事件,使得該公司的6、7、8、9以及14廠的生產均受到停電中斷的影響,但三星已宣布于8月4日下午恢復到正常生產狀況,根據該公司初步估計損失約4300萬美元。  &
        • 關鍵字: 消費電子  三星停電  NAND  存儲器  

        NAND閃存芯片吃緊 加劇行業整合態勢

        •     隨著NAND閃存芯片需求的增加,內存廠商已越來越難得到充足的NAND閃存芯片供應,NAND閃存芯片吃緊加劇了內存產業整合,業內人士稱現在已有許多小規模的內存廠商從市場中退出。   今年前一段時間NAND閃存芯片價格出現了下滑,現在價格又開始了回升,可這并不能讓眾多內存廠商高興起來,因為并非所有的內存廠商都能得到足夠的NAND閃存芯片供應,特別是在蘋果霸占了三星的大量NAND產品的情況下。   現在約有一半的二線三線內存廠商退出了NAND閃存業務,這也是不得已而為之,由
        • 關鍵字: 消費電子  NAND  閃存  芯片  

        中芯國際切入NAND閃存市場

        •     在iPhone的帶動下,NAND閃存市場近期一片大好,國內的晶元代工大廠中芯國際也抵制不住NAND閃存市場的誘惑,在近期宣布,下半年將開始量產2Gb NAND閃存顆粒并已經投入8Gb NAND閃存顆粒的研發,預計明年將成為全球重要的NAND閃存顆粒供應廠之一。      受到今年Q2內存價格崩盤以及0.13微米制程代工競爭激烈影響,國內晶元代工大廠中芯國籍Q2營收出現約200萬美元左右的稅后虧損。做為晶元代工
        • 關鍵字: 消費電子  中芯國際  NAND  

        微軟聯手英特爾戴爾開發標準NAND閃存接口

        • 5月31日消息,美國當地時間5月30日,微軟公司宣布將與英特爾、戴爾結成合作伙伴關系,開發面向PC的標準NAND閃存接口。 據techspot網站報道稱,名為“非揮發性內存主機控制器接口組織”的這一組織是由英特爾倡導成立的,旨在利用閃存加速現代操作系統中的功能,例如Windows Vista中的ReadyBoost和ReadyDrive。  該組織希望能夠加速其標準的普及,從而使其優勢得到真正的體驗。英特爾或其它廠商是否會將這一接口提供給Windows之外的其它軟件還不得而知,但從該組
        • 關鍵字: NAND  微軟  消費電子  英特爾  消費電子  

        美國美光科技:NAND閃存的未來在SSD

        • 作為贊助商參加Windows Hardware Engineering Conference(WinHEC)的美國美光科技公司(Micron Technology, Inc.)舉辦了名為“Flash Memory Technology Direction”的技術研討會(Technical Session)。該公司 Memory Products Group 的首席應用工程師(D
        • 關鍵字: NAND  SSD  消費電子  消費電子  

        NAND Flash和NOR Flash的比較

        •   NOR和NAND是現在市場上兩種主要的非易失閃存技術。Intel于1988年首先開發出NOR flash技術,徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統天下的局面。緊接著,1989年,東芝公司發表了NAND flash結構,強調降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級。但是經過了十多年之后,仍然有相當多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存。   相“flash存儲器”經常可以與相“NOR存儲器”互換使用。許多業內人士也搞不清楚NAND閃存技術相對于NOR技術的優越之處,因
        • 關鍵字: flash  NAND  NOR  存儲器  消費電子  

        臺模塊廠飽受NAND Flash缺貨之苦 三星陣營臺廠壓力倍增

        • 相較于DRAM價格萎靡不振,近期南韓內存大廠三星電子(Samsung Electronics)對于拉抬NAND型閃存( Flash)市場不遺余力,然最令客戶頭痛的問題是,目前三星電子受限于產能問題,釋出給臺廠NAND Flash貨源仍相當有限,各模塊廠都飽受缺貨之苦,而隸屬于東芝(Toshiba)陣營的客戶,尤其是內存模塊大廠金士頓(Kingston),由于東芝給予的成本較低,最近在大陸市場低價策略越來越積極,這讓與三星電子站在同一陣營的臺廠壓力倍增。 近期三星電子不斷釋出N
        • 關鍵字: Flash  NAND  三星  消費電子  模塊  消費電子  

        DRAM價格或將觸底,NAND供應商加快開發內置產品

        • 據Dramexchange消息,4月下半月的DRAM合約價格下跌到了20美元左右,這也影響到了現貨市場的價格走勢。面向2007年下半年PC銷售旺季,PC廠商將增加庫存,預計DRAM需求將隨之增長。因此,DRAM價格可能在2007年下半年觸底。價格持續下滑,已使DRAM廠商瀕臨虧損。向更先進的生產工藝轉移,以及提高1GB芯片的出貨量,將是決定2007年下半年DRAM廠商業績的兩大因素。由于需求仍然疲軟,現貨市場的價格環境保持低迷。DDR2 512MB 667MHz跌到了2.57美元附近,DDR2 eTT跌到
        • 關鍵字: DRAM  NAND  內置產品  消費電子  存儲器  消費電子  

        英特爾合資公司開發出MLC閃存樣品

        • 據國外媒體報道,本周四美光科技宣布,它與英特爾的合資企業IM Flash科技公司已經開發出處于行業領先水平的50納米MLC(多層單元)NAND閃存芯片樣品。 美光稱,與SLC(單層單元)閃存組件相比,新的MLC 閃存組件體積更小,能量效益更高,能夠更理想的使用在目前的計算和消費電子產品中。MLC 閃存組件的密度為16GB,而SLC閃存組件的密度僅4GB。 英特爾NAND閃存部門副總裁兼總經理Randy Wilhelm表示,我們與美光的合資公司提前開發出了行業中領先水
        • 關鍵字: MLC  閃存  消費電子  英特爾  消費電子  

        東芝推出業界容量最大的嵌入式 NAND 閃存

        •   東芝公司 (Toshiba Corp.) 與其美洲子公司東芝美國電子元件公司 (Toshiba America Electronic Components, Inc.) 聯合宣布,該公司已經推廣了一種新型嵌入式 NAND 閃存系列產品,這一系列產品遵從了 eMMC 標準并且容量達到該行業之最。這種容量為 16GB 的新設備旨在應用于手機和攝像機等移動消費產品。樣品將于今年第二季度推出市場,大批量的生產將于第四季度開始。在這之前,東芝將在本月開始推出 8GB 樣品,并將于第三季度開始大規模生產。   
        • 關鍵字: NAND  單片機  東芝  嵌入式系統  閃存  

        從NAND閃存中啟動U-BOOT的設計

        • 引言 隨著嵌入式系統的日趨復雜,它對大容量數據存儲的需求越來越緊迫。而嵌入式設備低功耗、小體積以及低成本的要求,使硬盤無法得到廣泛的應用。NAND閃存設備就是為了滿足這種需求而迅速發展起來的。目前關于U-BOOT的移植解決方案主要面向的是微處理器中的NOR 閃存,如果能在微處理器上的NAND 閃存中實現U-BOOT的啟動,則會給實際應用帶來極大的方便。 U-BOOT簡介 U-BOOT 支持ARM、 PowerPC等多種架構的處理器,也支持Linux、NetBSD和VxWorks等多種操作系統,主要
        • 關鍵字: NAND  U-BOOT  消費電子  消費電子  

        愛特梅爾推出新型ARM7 閃存微控制器

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        mlc nand介紹

          MLC NAND   目錄   1定義   2MLC芯片特點   3與SLC對比   1定義   MLC 全稱為Multi-Level Cell,多層單元閃存,MLC通過使用大量的電壓等級,每一個單元儲存兩位數據,數據密度比較高。   一般廠家宣稱可以保證得擦除次數是3,000次 。這一點與SLC得100,000的擦除次數有不小的差異。   2MLC芯片特點   1、傳輸速率 [ 查看詳細 ]

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