- 近日國際半導體產業協會SEMI公布了最新的中國集成電路產業生態系統報告，報告顯示，中國前端晶圓廠產能今年將增長至全球半導體晶圓廠產能的16%，到2020年，這一份額將增加到20%。受跨國公司和國內公司存儲和代工項目的推動，中國將在2020年的晶圓廠投資將以超過200億美元的支出，超越世界其他地區，占據首位。 2014年中國成立大基金以來，促進了中國集成電路供應鏈的迅速增長，目前已成為全球半導體進口最大的國家市場。SEMI指出，目前中國正在進行或計劃開展25個新的晶圓廠建設項目，代工廠、DRAM和3D
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晶圓 DRAM 3D NAND
- 內存價格從2016年起一路上揚，但自2018下半年起，由于各廠商產能陸續開出，因此資策會MIC預測內存價格將于開始下滑。 資策會MIC資深產業顧問洪春暉表示，2018年的半導體市場概況是近5年來難得的樂觀，盡管2018年內存價格成長空間有限，但NAND Flash需求仍然持續增加。 因此，預估2018年全球半導體市場規模將成長10.1%，其中最大的原因是各應用終端內存需求持續增加，以及車用電子等新興應用帶動。 洪春暉進一步指出，內存受惠于市場價格上揚，2018年全年臺灣內存產業產值將成長25%，產
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內存 NAND
- 由于持續受益于存儲器芯片熱潮，韓國三星電子(Samsung Electronics)今年第二季仍穩坐半導體銷售龍頭地位，再度超越其競爭對手——英特爾(Intel)。 根據市場研究機構IHS Markit的統計，三星在今年第二季全球芯片市場占15.9%，英特爾約占7.9%。然而，隨著NAND快閃存儲器(flash)市場顯著降溫，英特爾已自本季開始縮小與三星的差距，其季成長較三星更高3%。 以半導體銷售額來看，三星在第二季的銷售額為192億美元，較第一季成長3.4%，并較2017年第二季成長了33.7
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三星 NAND 英特爾
- 1. 引言 NAND FLASH被廣泛應用于電子系統中作為數據存儲。在各種高端電子系統中現場可編程門陣列(FPGA)已被廣泛應用。FPGA靈活的硬件邏輯能實現對NAND FLASH的讀寫操作。本文中闡述了一種基于NIOS II 軟核的NAND FLASH的驅動方法。 2. VDNF2T16VP193EE4V25簡介 歐比特公司的VDNF2T16VP193EE4V25是一款容量為2Tb、位寬為16位的NAND FLASH，其內部由8片基片拓撲而成，其拓撲結構如下： 其主要特性如下： ? 總容量
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NAND NIOS II FPGA
- 8月20日，研究機構ICInsights發布了2018年上半年全球半導體供應商Top15榜單，三星位居第一位，英特爾位居第二位。不過遺憾的是，中國大陸暫時沒有公司進入這個榜單的前15名。 根據發布的數據顯示，三星、英特爾、SK海力士、臺積電、鎂光排名榜單的前五位，相較于去年同期，這幾家公司都有比較明顯的增長，特別是三星、SK海力士以及鎂光，分列六至十五位的分別是博通、高通、東芝\東芝內存、德州儀器、英偉達、西數\閃迪、英飛凌、恩智浦、意法半導體和聯發科。這里，英偉達數據最為搶眼，相較于去年同期，英偉
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DRAM NAND
- 在最近發布的《麥克萊恩2018年中期報告》(McClean Report 2018)中，IC Insights預測，2018-2022年全球GDP和IC市場相關系數將達到0.95，高于2010-2017年期間的0.88。 IC Insights描述了從2010年到2017年全球GDP增長與IC市場增長之間日益密切的關聯，以及到2022年的最新預測。 如圖所示，在2010-2017年的時間段內，全球GDP增長與IC市場增長的相關系數為0.88，這是一個強勁的數字，因為完全相關為1.0。在此期間之前的3
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DRAM NAND
- NAND閃存價格2018年以來一直在降低，大家也應該注意到了今年發布的智能手機閃存容量也越來越大了，中高端機中64GB是起步，128GB已經是主流了。NAND閃存降價的趨勢在下半年還會繼續，因為智能手機出貨量增長放緩，而3D NAND閃存產能持續增加，預計Q3、Q4兩個季度中NAND價格都會下跌10%，不用過這也加速了大容量SSD硬盤的普及，未來2-3內512GB將成為主流之選。 集邦科技旗下的DRAMeXchange日前發布了有關NAND閃存市場下半年趨勢的報告，認為Q3季度雖然是傳統旺季，但是N
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NAND SSD
- SLC、MLC和TLCOFweek電子工程網訊：X3(3-bit-per-cell)架構的TLC芯片技術是MLC和TLC技術的延伸，最早期NAND Flash技術架構是SLC(Single-Level Cell)
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SLC MLC TLC 區別
- 今年下半年，隨著長江存儲、福建晉華、合肥長鑫國內三大存儲廠商相繼進入試產階段，中國存儲產業將迎來發展的關鍵階段。業界認為，國內存儲產業發展初期雖難大舉撼動全球版圖，但或將對全球存儲市場價格走勢造成影響。 而隨著中美貿易局勢的緊張，以及中國監管機構正式啟動對三星、美光、SK海力士等存儲機構的反壟斷調查，中國存儲產業的發展也愈發受到關注。 目前，中國存儲器產業已經形成以投入NAND Flash市場的長江存儲、專注于移動式內存的合肥長鑫，以及致力于利基型內存的福建晉華三大陣營。 近期傳出合肥長鑫投產8
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NAND DRAM
- 據韓國媒體報道稱，三星已經上調了今明兩年在NAND生產上的投資，總計高達150億美元，這主要用于擴大韓國平澤工廠以及中國西安工廠的3D NAND產能。報道中提到，三星如此投資，只是為了提高NAND產量，所以未來SSD的繼續降價是基本沒懸念的事。 全球NAND閃存市場份額中，三星排名第一，占有率達到37%，其一舉一動直接影響整個行業的發展，而此番投資NAND領域以擴大產能，也勢必讓競爭對手采用同樣的策略。 有報道稱，東芝/西數、美光、SK Hynix及Intel都在大舉投資NAND產能，今年底到明年
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三星 NAND
- 近日，據IC Insights的數據預測，2018年NAND Flash行業的資本支出(CAPEX)將比預期產量增加40%以上，從2017年的220億美元增至2018年的310億美元，屬于近8年來的最大增幅。
其中，3D NAND的市場需求，成為驅動NAND閃存資本支出激增的主要因素之一。3D NAND閃存技術采用堆疊的方式處理設備層關系，可以使得每顆芯片的儲存容量增加，從而實現更大的結構和單元間隔，利于增加產品的耐用性、降低生產成本。因此深受NAND閃存廠商的追捧，目前已成為NAND閃存廠商的
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NAND CAPEX
- 美光科技有限公司(納斯達克代碼：MU)宣布，中國福建省福州市中級人民法院于今日通知美光科技的兩家中國子公司，針對聯華電子股份有限公司(以下簡稱“聯電”)與福建省晉華集成電路有限公司(以下簡稱“晉華”)提起專利侵權訴訟的案件，該法院已批準向美光科技兩子公司裁定初步禁令。這次聯電和晉華提起專利侵權訴訟，實為報復此前臺灣檢察機關針對聯電及其三名員工侵犯美光商業機密提起的刑事訴訟，以及美光科技就此針對聯電和晉華向美國加利福尼亞北區聯邦地區法院提起的民事訴訟。 該初步禁令禁止美光科技兩中國子公司在中國制造、銷
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美光科技 DRAM NAND
- 在2018年第一季度，全球半導體產業銷售額達到了1158億美元。即使該季度半導體產業總營收出現些許下滑，然而NAND市場依然創下了有史以來第二高的季度收入，其中，來自企業和消費性固態硬盤(SSD)市場的需求最為強勁。 隨著企業和儲存市場對于相關零組件需求的增加，在2018年第一季度，儲存類別增長率為1.7%，達到397億美元。事實上，對于服務器用內存(Server DRAM)的強勁需求將持續推動該市場。然而，也能看到NAND漲幅在該季度內收入略有下降，IHS Marki內存與儲存市場資深總監Crai
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無線通訊 NAND
- 在“2018中國半導體市場年會暨IC中國峰會”上，紫光集團有限公司董事長趙偉國作了“自主可控的中國存儲器產業崛起之路”報告，介紹了從2015年3月到2018年上半年的三年時間，紫光進入3D NAND閃存芯片的思考與愿景。
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存儲器 3D NAND 自主可控 201807
- 為實現更高儲存密度，NAND Flash的堆棧層數不斷增加，單一晶胞內能儲存的信息也越來越多。 目前NAND Flash芯片已經進入64層TLC時代，展望2019年，三星(Samsung)、東芝(Toshiba)等業者都將進一步推出96層QLC顆粒。 為了因應即將量產的新一代NAND Flash規格特性，控制器業者群聯已備妥對應的解決方案。 群聯電子發言人于紹庭表示，3D NAND Flash技術不斷推進，目前64層TLC已經是相當穩定的產品。 而為了進一步提升儲存密度，NAND Flash供貨商正
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NAND，芯片
mlc nand介紹
MLC NAND
目錄
1定義
2MLC芯片特點
3與SLC對比
1定義
MLC 全稱為Multi-Level Cell，多層單元閃存，MLC通過使用大量的電壓等級，每一個單元儲存兩位數據，數據密度比較高。
一般廠家宣稱可以保證得擦除次數是3，000次 。這一點與SLC得100，000的擦除次數有不小的差異。
2MLC芯片特點
1、傳輸速率 [
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