開年以來大陸半導體產業發展似乎進入沉潛期。首先是年初長江存儲CEO楊士寧鄭重發布新聞稿澄清，表示從未發表過32層3DNANDFlash今年量產的消息。接下來是中芯國際董事長周子學表達的大陸半導體產業發展“三步走”(注1)，指出要花至少15年的時間，大陸才能發展出比較有市場競爭力的企業主體。再來是最近紫光集團表示，由于長江存儲的存儲器芯片工廠專案投資規模過大，目前尚處于建設初期，短期無法產生銷售收入，時機不成熟，停止收購長江存儲的股份。雖然似乎大陸整個半導體產業持續其發展動能，但
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摩爾定律 NAND
DRAM、NAND Flash及NOR Flash三大內存會一直缺貨到明年，許多客戶搶貨，已包下南亞科、旺宏和華邦電全部產能。 業界指出，未簽訂長約的客戶，內存供貨將短缺，沖擊產品上市或出貨時程。
集邦、IC Insight等研究機構最近紛紛出具報告，強調DRAM、NAND Flash到年底都處于缺貨狀態;NOR Flash更因美系二大供貨商淡出效應在下半年顯現，缺貨問題更嚴重。
業界表示，三大內存應用范圍廣，尤其NOR Flash幾乎是各電子產品儲存程序代碼關鍵組件，雖然單價遠比DRAM
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NAND DRAM
在2017年快閃存儲器高峰會(Flash Memory Summit)上，可見各主要NAND Flash供應商持續推出更新式存儲器芯片以期能主導競爭優勢，幾乎各主要供應商也都在談論簡化Flash儲存系統內建軟件的必要性，以減少應用在資料中心時出現的延遲問題，以及試圖定義固態硬盤(SSD)全新尺寸標準，另值得注意的是，本屆大會上甚至連主要硬盤(HD)制造商，都已幾乎不在主題演說中提及硬盤相關技術資訊或發展趨勢。
根據科技網站EE Times報導，在本屆大會上，三星電子(Samsung Electr
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存儲器 NAND
3D NAND比平面NAND更昂貴，但大家都期待它將有助于快速地降低NAND的成本，以及取代平面NAND，這是為什么呢?
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3D NAND 存儲器
對大多數人來說，微芯片是一些長著小小的金屬針，標著看似隨機的字母或數字的字符串的黑盒子。但是對那些懂的人來說，有些芯片就像名人一樣站在紅毯上。有許多這樣的集成電路直接或間接地為改變世界的產品賦能，從而得到榮耀，也有一些芯片對整個計算環境造成了長期的影響。也有一些，它們的雄心壯志失敗后成為警世的故事。 為了紀念這些偉大的芯片，并講述它們背后的人和故事，IEEE Spectrum 制作了這個“芯片名人堂”(Chip Hall of Fame)。登堂的是7
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FPGA NAND
三星計劃在明年推出容量達1-Tbit的V-NAND芯片，以及采用其現有芯片的高密度固態硬盤。
三星(Samsung)計劃明年推出容量達1-Tbit的3D-NAND芯片——V-NAND，以及采用其現有芯片的高密度固態硬盤(SSD)。 該公司并表示，去年發表的Z-NAND產品也開始出樣，據稱這款產品能夠達到媲美或超越英特爾(Intel) 3DXP內存的低延遲能力。
三星的Tbit NAND可支持高達每秒1.2Gbits的數據速率，并在一個堆棧32顆裸晶的封裝中支持高達4
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V-NAND NVMe
相較于2.5寸SATA，M.2的SSD有著非常明顯的體積優勢，如果總線走PCIe，速度上更是完爆。
在舊金山的閃存峰會上，三星宣布推出新一代V-NAND單晶粒，容量高達1Tb，用于消費級產品。
三星表示，今后的2TB 3D閃存SSD產品將使用上這一新品，即一整顆芯片封裝16Tb Die，繼續減小體積。
如此精巧之后，連傳統M.2 2242(NGFF)的電路板型都用不到了，三星據此提出了Next Generation Small Form Factor (NGSFF) 標準。
其
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三星 V-NAND
日刊工業新聞7日報導 ，為了提高3D架構的NAND型閃存(Flash Memory)產能、以因應三星電子等競爭對手加快擴產腳步，東芝(Toshiba)將進一步祭出增產投資，計劃在日本巖手縣北上市興建新工廠，該座新廠預計于2018年度動工、 2021年度啟用，總投資額將達1兆日圓的規模。 東芝目前已在四日市工廠廠區內興建3D NAND專用廠房「第6廠房」。
該座3D NAND新工廠興建計劃由東芝半導體事業子公司「東芝內存(Toshiba Memory Corporation、以下簡稱TMC)」負責
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東芝 NAND
RAM：由字面意思就可以理解，SDRAM?SRAM?DRAM(下面藍色字體的這幾種)都可以統稱RAM，random?access?memory(隨機存取存儲器)的縮寫，下面是51hei.com為大家整理的目前所有的存儲器的區別。 SRAM：靜態隨機存儲器，就是它不需要刷新電路，不像動態隨機存儲器那樣，每隔一段時間就要刷新一次數據。但是他集成度比較低，不適合做容量大的內存，一般是用在處理器的緩存里面。像S3C2440的ARM9處理器里面就有4K的SRAM用來做C
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DRAM NAND
根據韓國英文媒體 《The Korea Times》 的報導，三星副總裁權五鉉 (Kwon Oh-hyun) 日前就像韓國政府喊話，要韓國政府給予半導體產業更多的支持，以解決人才荒的問題。
報導中指出，目前是三星副總裁，也是領導三星顯示器部門的權五鉉，日前在一項公開演講中指出，韓國的半導體產業自認為有其競爭的實力。 不過，卻面臨當當前半導體人才不足的問題。 權五鉉進一步指出，半導體產業是第 4 次工業革命的重要基礎，因此希望韓國政府能藉由科技培訓的管道，持續為半導體與設備產業供應需要的人才。
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三星 NAND
受NAND Flash供貨緊張影響，以及數據中心、企業、移動設備等領域SSD強勁需求，2017年上半年NAND Flash價格持續走高。根據ZDC統計，NAND Flash價格累計漲幅達26%，消費類每GB銷售價格突破了0.3美金。
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2017年上半年，中國市場智能手機、平板電腦等移動設備需求出現下滑，再加上NAND Flash的價格持續走高，高價壓力下的SSD市場呈現一片低迷景象。但隨著6月份需求旺季的到來，固態硬盤的關注度有所回升。
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固態硬盤 NAND
IC Insights的報告顯示，DRAM及NAND Flash售價已經連續四個季度上漲。
不過因為原廠紛紛提出擴產計劃，IC Insights稍早憂心忡忡認為，未來幾年包括三星電子、SK海力士、美光、英特爾、東芝、西部數據、武漢新芯、長江存儲，都大舉提高3D NAND Flash產能，大陸還有新建廠商也會加入戰場，3D NAND Flash產能供過于求的可能性相當高。
近期SK海力士宣布今年資本支出追加至86.1億美元，進行3D NAND Flash和DRAM兩大內存
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DRAM NAND
韓國三星電子有限公司本周二表示，計劃在韓國投資至少21.4萬億韓元(約合186.3億美元)，以鞏固其在內存芯片和下一代智能手機領域的領先地位。
作為世界最大的記憶芯片生產商，三星將在2021年前對位于平澤市的NAND閃存工廠投入14.4萬億韓元。此外，位于華城市的半導體生產線也將拿到6萬億韓元的投資。剩下的1萬億韓元，將分配給三星位于韓國的OLED屏幕工廠。同時，三星還計劃為西安的NAND閃存生產基地添置一條新的生產線。
近年來，三星、東芝和SK海力士已投入了數百億美元來推動NAND閃存的
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NAND 三星
ICinsights認為，全球內存下半年價格上漲動能可能減緩，包含DRAM與NAND閃存均是如此。
盡管漲勢減緩，但DRAM與NAND今年營收預料仍將創新高記錄，這完全都是拜先前平均售價快速上漲之賜。 以DRAM為例，DRAM平均售價今年預估年漲幅高達63%，此為1993年有記錄以來之最。
內存價格從去年第三季起漲，ICinsights預期動能可能持續至2017年第三季，第四季可能微幅轉負，為這波正向循環劃下休止符。
ICinsights指出，隨著價格走揚，內存制造商也再次增加資本投
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DRAM NAND
韓國半導體產業發展風生水起。世界上最大的內存芯片供應商三星電子公司宣布，其在韓國平澤的新建半導體生產線已經開始量產。NAND閃存技術開發商SK海力士公司已經加入了一個同盟，將投標收購日本東芝的內存部門。今天，我們邀請到了韓國真好經濟研究院的李仁喆(音譯：???)先生，與他共同聊一聊韓國半導體產業的未來。首先，我們了解一下7月4日三星電子公司在平澤投產的半導體工廠的意義。
根據IT市場研究公司的數據，第一季度三星電子公司在NAND閃存市場上的份額為35.4%。 這個數字具有絕對優勢，但平澤半導體廠
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半導體 NAND
mlc nand介紹
MLC NAND
目錄
1定義
2MLC芯片特點
3與SLC對比
1定義
MLC 全稱為Multi-Level Cell，多層單元閃存，MLC通過使用大量的電壓等級，每一個單元儲存兩位數據，數據密度比較高。
一般廠家宣稱可以保證得擦除次數是3，000次 。這一點與SLC得100，000的擦除次數有不小的差異。
2MLC芯片特點
1、傳輸速率 [
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