- 三星登上全球半導體龍頭，不惜砸重金投入研發，傳今年資本支出將大幅增加逾 10 兆韓圜。
新韓投資(Shinhan Investment Corp)日前發布報告預測，三星今年半導體資本支出將擴增至 24.5 兆韓圜(約 219.5 億美元)，較 2016 年成長 85.6%，且將超越 2015 年的 14.7 兆韓圜成為三星史上新高。
存儲器目前供不應求，也是三星今年布局的重點，預料將占據資本支出的一半左右。據新韓分析師預測，光是 NAND 快閃存儲器，三星就將砸下 12.05 兆韓圜(約
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三星 NAND
- DIGITIMES Research觀察，2D NANDFlash制程在物理限制下難度加劇，透過3DNAND Flash制程，無論是效能及儲存容量提升上都有突破性的改善。 3D NAND Flash可謂為摩爾定律在半導體內存領域延伸的一項重要技術。
3D NAND Flash依存儲元件儲存機制可分浮動閘極(Floating Gate;FG)及電荷缺陷儲存(Charge Trap;CT);依不同堆棧結構技術又可分為BiCS、P-BiCS、TCAT、VG-NAND Flash、DC-SF、S-SCG
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摩爾定律 3D NAND
- 小時候并不知道為什么唐僧要取經,取的什么經?后來知道了,唐僧要的是所謂“大乘佛法”,簡單說就是普度眾生,救民于水火。既有這樣的佛法,孫悟空何不多翻幾個筋斗,快快取來就是,為什么非要肉體凡胎的唐僧不辭勞苦、跋山涉水呢?難道上天就沒有好生之德嗎?還要設置各種妖怪來搗亂,豈不是折騰人嗎?
上天當然會有好生之德,這沒有什么好懷疑的。至于為什么折騰唐僧,并不是上天要以此為樂,所謂天機不可泄漏,九九八十一難其實就是真經的一部分,對嗎?
其實現實生活也是如此。
前不久,美國
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晶圓 NAND
- 國產手機勢頭越來越強勁，把三星和蘋果虐的夠嗆(主要是指國內市場份額)，但繁榮背后是對核心產業鏈控制的缺失，就比如閃存芯片，這基本上被韓國廠商壟斷了。為了讓國產閃存有更好的發展，不少公司都在努力。挖來臺灣DRAM教父高啟全后，紫光旗下的長江存儲開始全速狂飆。
近日，高啟全接受媒體采訪時表示，長江存儲將在2019年開始量產64層堆棧的3D NAND閃存，這個消息無疑讓人振奮，而在今年他們還將出樣32層NAND閃存。對于目前行業的現狀，高啟全強調國內公司應該臺灣公司在存儲芯片上應該合作，因為大家的最大
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紫光 NAND
- 國產手機勢頭越來越強勁，把三星和蘋果虐的夠嗆(主要是指國內市場份額)，但繁榮背后是對核心產業鏈控制的缺失，就比如閃存芯片，這基本上被韓國廠商壟斷了。為了讓國產閃存有更好的發展，不少公司都在努力。挖來臺灣DRAM教父高啟全后，紫光旗下的長江存儲開始全速狂飆。
近日，高啟全接受媒體采訪時表示，長江存儲將在2019年開始量產64層堆棧的3D NAND閃存，這個消息無疑讓人振奮，而在今年他們還將出樣32層NAND閃存。
對于目前行業的現狀，高啟全強調國內公司應該臺灣公司在存儲芯片上應該合作，因為大
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紫光 NAND
- 市場調查機構DRAMeXchange近日發布的調查結果顯示，到今年三季度，三星電子、SK海力士等韓企的3D NAND閃存半導體在全球整體NAND閃存市場所占份額有望超過50%。
閃存是指在斷電情況下仍能存儲數據的半導體，主要用于智能手機等移動終端的周邊裝置。3D NAND在2D NAND的基礎上，增加了回路垂直排列，大大提高了性能和容量。新一代韓產3D NAND將陸續上市，三星電子和美光科技(Micron)等企業于今年二季度起量產64層3D NAND，SK海力士將于三季度在全球最先推出72層的3
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NAND SK海力士
- 內存是半導體的主力產品之一，目前主要由動態隨機存取內存(DRAM)及具備非揮發特性的NAND閃存(Flash)為最重要的兩項產品。 不過，由于DRAM必須持續上電才能保存數據，NAND Flash又有讀寫速度較DRAM慢，且讀寫次數相對有限的先天限制，因此內存業者一直試圖發展出新的內存架構，希望能兼具DRAM的速度、耐用度和NAND的非揮發特性
根據研究機構Tech Insights估計，包含STT-MRAM、FRAM、CBRAM、3D Xpoint等新世代內存，都已陸續進入小量生產階段。 不過
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內存 NAND
- 2017年將是3D NAND Flash應用市場快速崛起的關鍵年，包括三星電子(Samsung Electronics)、美光(Micron)、東芝(Toshiba)等陸續推出具競爭力的64層3D NAND Flash加入競局，SK海力士(SK Hynix)更一舉跳到72層3D NAND Flash技術以求突圍，由于新舊技術轉換，良率仍不穩定，加上固態硬碟(SSD)需求起飛，造成NAND Flash市場大缺貨，業者預期2017年下半產出可望大增，全面開啟3D NAND Flash時代。
三星在2
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三星 NAND
- Gartner 表示，在 NAND Flash 方面 2017 年第 2 季將會開始呈現反轉，使得全球 NAND Flash 和 SSD 的價格會在 2018 年出現明顯下滑，并在 2019 年重新陷入一個相對低點。
Gartner 表示，自 2016 年中期以來，隨著 NAND Flash 的漲價，SSD 的每字節的成本也出現了驚人上漲。 不過，這種上漲趨勢將在本季達到頂峰。 其原因在于中國廠商大量投入生產的結果，在產能陸續開出后，市場價格就一反過去的漲勢，開始出現下跌的情況。
Gart
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DRAM NAND
- 這次大概介紹了一下NAND Flash，以及在ASF中使用它的方法。 一、 接線 這個開發板搭載了一個256 MB，8位的NAND Flash(MT29F2G08ABAEA)。引腳接線如下：
偷個懶，直接上引腳復用的圖。其中PC14表明該NAND FLASH需要作為SMC的外設0使用。通過使用NANDOE和NANDWE引腳說明需要使用芯片的NAND Flash控制邏輯。另外，PC18復用為輸入
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SAM4E NAND
- 隨著APP體積不斷擴大，以及照片、視頻等文件逐漸累積，消費者再難回到被16GB ROM支配的時代。就連吝嗇的蘋果也將iPhone存儲容量翻番，最高達到了256GB。大容量閃存能夠提高數據并行處理的效率，但是256GB就夠了嗎?
日前，海力士(SK Hynix)推出業界首款72層堆疊的3D NAND閃存。該方案基于TLC陣列、單晶片容量為256Gb(32GB)，閃存芯片封裝后的最高容量將達到512GB。
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海力士 NAND
- 從去年年中開始，以固態硬盤為代表的，包括固態硬盤、內存條、優盤甚至閃存卡在內的幾乎全部閃存產品，開始緩慢漲價。
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內存 NAND
- 東芝已經處于資不抵債的邊緣，被迫出售優質大額資產來改善其財務狀況，究竟東芝存儲業務花落誰家，雖然在近期就可以揭曉。
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東芝 NAND
- 北京時間3月24日上午消息，由于供應趨緊和需求旺盛導致存儲芯片價格上升，美光科技預計當前季度的營收和利潤遠超分析師預期。該公司第二財季利潤也超出分析師預期，促使其股價在周四盤后交易中大漲9.4%。
由于各大企業都在爭相開發體積更小、效率更高的芯片，引發了供應瓶頸，但與此同時，智能手機、人工智能、無人駕駛汽車和物聯網的數據存儲需求卻在飆升，導致全球存儲芯片制造商正在經歷分析師所謂的“超級周期”。
美光科技周四表示，該公司的DRAM芯片第二季度漲價21%，此前一個季度已
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美光 NAND
- 三星電子周二宣布，位在首爾南方的新芯片廠施工進度順利，將如期于 2017 上半年投產。
三星新芯片廠于 2015 年動土，共投入 15.6 萬億韓元(約 144 億美元)建廠，為三星史上最大單一產線投資項目。據三星表示，新廠第一階段施工目前已完成九成。
新芯片廠主要用于生產高容量 3D 立體 NAND 快閃存儲器。快閃存儲器可取代傳統硬盤，并廣泛應用于數碼相機、智能手機與其他 USB 界面儲存設備。
市調機構 DRAMeXchange 日前指出，三星穩坐去年第四季 NAND 快閃存儲
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三星 3D NAND
mlc nand介紹
MLC NAND
目錄
1定義
2MLC芯片特點
3與SLC對比
1定義
MLC 全稱為Multi-Level Cell，多層單元閃存，MLC通過使用大量的電壓等級，每一個單元儲存兩位數據，數據密度比較高。
一般廠家宣稱可以保證得擦除次數是3，000次 。這一點與SLC得100，000的擦除次數有不小的差異。
2MLC芯片特點
1、傳輸速率 [
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