- 據IDC預測,2025年全球數據將有175 ZettaBytes的總量,如此驚人而又龐大的數據量,半導體存儲器將具有極大的市場。半導體存儲器分為易失存儲器和非易失存儲器兩種,具體類型如下:“凜冬將至”:這兩年的存儲器市場2017年的存儲器市場可以用火熱來形容,三大存儲器公司(三星、海力士、美光)的財報都非常喜人,SK海力士、美光的營收規模均成長近8成,而三星電子更是奪取了英特爾把持多年的全球半導體營收頭把交椅。整體來說,2017年全球半導體市場規模比2016年成長22.2%,達4197.2億美元,存儲器的
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存儲器、NAND、DRAM
- 近日,以“數智·未來”為主題的2019中國數據與存儲峰會在北京成功舉辦。匯聚全球數據存儲領域知名的專家學者、企業領軍人物與代表性企業用戶,本次峰會旨在幫助企業和社會提升數據智能水平,推動全球存儲與數據產業發展。英特爾公司中國區非易失性存儲事業部總經理劉鋼先生出席大會并發表演講,不僅從產品層面闡述了英特爾如何通過傲騰?技術和QLC NAND?技術填補當前存儲層級中的巨大鴻溝,還通過諸多用戶案例進一步展示英特爾如何通過內存與存儲的產品、技術創新引領存儲新架構,構建數據金字塔。英特爾公司中國區非易失性存儲事業部
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QLC NAND 內存
- 近日消息 根據guru3D的報道,隨著NAND閃存技術的創新發展,固態硬盤TB內存時代即將到來,SK海力士現已推出了第一批基于其128層4D NAND產品樣品。
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SK 4D NAND 128層
- 網易科技訊 9月2日消息 紫光集團旗下長江存儲在IC China 2019前夕宣布,公司已開始量產基于Xtacking架構的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存,以滿足固態硬盤、嵌入式存儲等主流市場應用需求。
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3D NAND
- Jul. 16, 2019 ---- 集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)指出,繼6月中旬東芝斷電事件后,日本政府近日宣布從7月4日起,開始管控向南韓出口3種生產半導體、智能手機與面板所需的關鍵材料,造成存儲器產業下游模組廠出現提高報價狀況,然而,由于目前DRAM和NAND Flash庫存水位仍高,加上并非完全禁止原物料出貨,僅是申請流程延長,短期結構性供需反轉的可能性低。日韓貿易戰的爆發使得業界盛傳存儲器價格將反轉,集邦咨詢分析指出,因DRAM價格已歷經連續三個季度快速下滑,下游
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日韓貿易戰 東芝 DRAM/NAND
- SK海力士于26日宣布,將量產全球首款128層的1Tb(Terabit) TLC 4D NAND閃存,并計劃下半年開始銷售。
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SK海力士 4D NAND 128層
- 日本三重縣四日市日前發生停電意外,市場傳出存儲器大廠東芝存儲器(TMC)當地營運的5座 NAND Flash工廠的營運中斷,盡管東芝存儲器尚未對外說明影響,但據傳出,合作投資的威騰(WD)已通知客戶可能無法按照原定時程出貨。
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?威騰 東芝存儲器 NAND Flash
- NAND閃存價格已經連跌了6個季度,這讓上游NAND廠商三星、東芝、美光等損失慘重,紛紛削減NAND產能。在群聯臺北電腦展上,群聯公司董事長潘建成也預測NAND閃存價格已經跌破了成本,未來跌幅會收窄,需求則會升溫。
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NAND 減產
- 市場傳出,長江存儲有意改變策略,越過大股東紫光集團的銷售管道,采取自產自銷3D NAND芯片的模式,也讓雙方暗自較勁的角力戰儼然成形。
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紫光集團 長江存儲 3D NAND
- 當前,我們正在經歷第四次工業革命的歷史進程,在這里催生了很多新技術和新市場,比如物聯網、人工智能、新能源、3D打印、納米技術等等。這么多新的技術和產品相互激勵、互相融合,共同推動半導體行業不斷發展,從而改變人類的生活方式。
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物聯網 Entegris 3D NAND
- Admin 固態硬盤 今天由于NVMe的價格溢價下降,預計今年PCIe連接驅動器的銷售量將與SATA固態硬盤達到同等水平。 據報道,固態硬盤(SSD)和閃存卡中使用的NAND閃存大幅降價正在推動市場兩端的銷售。制造商正在為相對有利可圖的企業和數據中心用例定制新的解決方案,而客戶端SSD的低成本正在推動OEM廠商的采用率,以包含在PC中。 根據該報告,最引人注目的是,512 GB固態硬盤的單價與2018年同期的256 GB固態硬盤相匹配,預計到2019年剩余時間內固態硬盤的價格將從512
GB降
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NAND SSD
- Mar. 20, 2019 ----
集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)調查指出,受到服務器需求疲弱、智能手機換機周期延長、蘋果新機銷售不如預期等終端需求不佳沖擊,2019年第一季各類NAND
Flash產品合約價綜合季跌幅近20%,是自2018年初NAND Flash轉為供過于求以來跌幅最劇的一季?! ≌雇诙荆珼RAMeXchange分析師葉茂盛表示,歷經第一季的需求低谷之后,智能手機、筆記本電腦及服務器等主要需求較第一季有所改善。另一方面,NAND
Flash供應商
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NAND UFS SSD
- 根據外媒的報道,東芝及其戰略盟友西部數據準備推出更高密度128層3D NAND閃存。在東芝的命名法中,該芯片將命名為BiCS-5?! 榻B,芯片將實現TLC,而不是更新的QLC。這可能是因為NAND閃存制造商仍然對QLC芯片的低產量有擔心。該芯片的數據密度為512
Gb,新的128層芯片的容量比96層芯片多33%,可以在2020到2021年實現商業化生產?! 蟮?,新芯片每單位信道的寫入性能從66 MB / s增加到132 MB /
s。據報道,該芯片還采用了CuA(陣列電路),這是一
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東芝 西數 NAND
- 事實上中國巨額的投入也間接促進了韓、美兩國大廠資本開支的上升。三星2017年在DRAM和NAND上投入的資本開支就達到200億美金,因此,我國廠商的數字分攤到每年,還難以和龍頭廠商相比。雖然在量產初期,如此巨大的資本開支也會給中國企業帶來不小的折舊壓力,下行周期中技術、管理略遜的中國企業可能必須經歷幾年內虧損,但若想實現存儲器的國產替代,這種投入十分必要。
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NAND 存儲器
mlc nand介紹
MLC NAND
目錄
1定義
2MLC芯片特點
3與SLC對比
1定義
MLC 全稱為Multi-Level Cell,多層單元閃存,MLC通過使用大量的電壓等級,每一個單元儲存兩位數據,數據密度比較高。
一般廠家宣稱可以保證得擦除次數是3,000次 。這一點與SLC得100,000的擦除次數有不小的差異。
2MLC芯片特點
1、傳輸速率 [
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