這兩年，長江存儲無論是NAND閃存還是SSD固態盤，都呈現火力全開的姿態，從技術到產品都不斷推陳出新。6月23日，長江存儲有發布了面向OEM市場的商用SSD PC300系列，可用于筆記本、輕薄本、二合一本、一體機、臺式機、物聯網、嵌入式、服務器等各種場景，而且同時支持3.3V、1.8V SideBand電壓，可適配更多平臺。長江存儲PC300系列采用了自家的Xtacking 2.0晶棧架構的第三代3D NAND閃存芯片，容量256GB、512GB、1TB。提供M.2 2242、M.2 2280兩種形態規格
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長江存儲 3D NAND
近日，有消息稱，國內存儲芯片大廠長江存儲已向客戶交付了192層堆疊的3D NAND閃存芯片。而預計在2022年底或2023年初，會實現232層堆疊的3D NAND閃存技術。這意味著國內存儲芯片廠商，終于追上三星、美光了。要知道美光是前不久才發布了業界首個 232 層堆棧的 3D NAND Flash芯片，而大規模量產和應用要到2022年底或2023年初去了。而三星預計也是在2022年內推出200層以上的3D NAND閃存芯片，而大規模應用也要到2023年去了。可見，國產存儲芯片，在技術上確實已經追上了三星
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長江存儲 3D NAND
中國芯片傳來捷報，長江存儲取得重大技術突破，正式打破韓國三星壟斷，目前已經完成192層3D NAND閃存樣品生產，預計年底實現大規模量產交付。長江存儲一直是我國優秀的存儲芯片企業，從成立之初就保持著高速穩定的發展狀態，用短短3年的時間，接連推出了32層NAND閃存，以及64層堆棧3D NAND閃存，成功進入了華為Mate40手機的供應鏈。隨后為了縮短和三星、SK海力士、鎧俠等寡頭企業的距離，長江存儲直接越級跳過了96層，直接進入了128層3D NAND 閃存的研發，并成功在2020年正式宣布研發成功，它是
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長江存儲 3D NAND
頭一段時間，有媒體報道稱，長江存儲自主研發的192層3D NAND閃存已經送樣，預計年底實現量產。長江存儲一直是我們優秀的國產存儲芯片企業，從成立之初便保持了一個高速的發展狀態。2016年成立，2017年便推出了32層NAND閃存。2019年，推出64層堆棧3D NAND閃存，并成功進入了華為Mate40手機的供應鏈。為了縮短與三星、SK海力士、鎧俠等行業大廠的差距，長江存儲跳過了96層，直接進行了128層3D NAND 閃存的研發，并在2020年正式宣布研發成功，它是業內首款128層QLC規格的3D N
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長江存儲 3D NAND
內存和存儲解決方案領先供應商 Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司）近日宣布推出全球首款專為數據中心工作負載設計的基于 176 層 NAND 技術的SATA 固態硬盤 (SSD)。美光 5400 SATA SSD 是目前最先進的數據中心 SATA SSD產品，采用久經考驗的第 11 代 SATA 架構，支持廣范的應用場景，提供相比傳統機械硬盤 (HDD) 顯著提升的性能，并延長了 SATA 平臺的使用壽命。美光副總裁暨數據中心存儲產品總經理 Alvaro Toledo 表示
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美光 數據中心 176 層 NAND SATA SSD
“獨立子公司成立僅三個月，兩家公司在事業上的合作全面開始”SK海力士和Solidigm首次公開了結合SK海力士128層NAND閃存與Solidigm的SSD控制器和固件的合作產品。SK海力士和Solidigm將繼續優化兩家公司的運營，以創造協同效應和合作伙伴關系。加州圣何塞和南韓首爾2022年4月5日 /美通社/ -- SK海力士和Solidigm（或“公司”， www.skhynix.com）今日首次公開了兩家公司共同開發的新企業級SSD（eSSD）產品-P5530。Solidigm是SK海力士在去年年
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SK海力士 Solidigm eSSD NAND
IBM發布下一代閃存產品，瞄準日益嚴峻的勒索軟件和其他網絡攻擊。 IBM FlashSystem Cyber Vault旨在幫助企業更快速地檢測勒索軟件和其他網絡攻擊并從中恢復；而建基于 IBM Spectrum Virtualize 的全新 FlashSystem 存儲模型能夠提供單一且一致的操作環境，旨在提高混合云環境下的網絡復原力和應用程序性能。 IBM 推出下一代儲存產品，瞄準勒索軟件及其他網絡攻擊根據IBM網絡彈性機構的研究，46%的受訪者表示在過去兩年中經歷了勒索軟件攻擊。隨著網絡攻
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NAND Flash IBM 閃存
據韓國媒體消息，中國監管機構審查了SK海力士壟斷的可能，并就該家韓國芯片制造商從英特爾手中收購NAND閃存業務進行評估，并決定批準該收購，這為SK海力士掃清了最后一個障礙。
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SK海力士 英特爾 NAND 閃存
中國西安正受疫情影響而封城，目前尚無法預期解封時間，根據TrendForce調查，由于三星（Samsung）在當地設有兩座大型工廠，均用以制造3D NAND高層數產品，投片量占該公司NAND Flash產能達42.3%，占全球亦達15.3%，現下封城措施并未影響該工廠的正常營運。然而，當地封城措施嚴格管控人流及物流，盡管2021年底至2022年一月中以前的出貨多已經安排妥適，但無法排除接下來因物流延遲出貨的可能，這將可能對采購端的物料安排造成影響。此外，該公司的原物料進貨也有可能受到物流受阻而延遲，但三星
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TrendForce 三星 NAND Flash
開發機器學習項目的五個步驟 — 掌握要點，應用并不困難！邊緣機器學習具有許多優勢。 然而，由于開發方法與標準程序設計方法截然不同，許多機器學習開發者可能會擔心自己難以駕馭。其實，完全沒有必要擔心。一旦熟悉了步驟，并掌握了機器學習項目的要點，就能夠開發具有價值的機器學習應用。此外，意法半導體（STMicroelectronics；ST）提供解決方案，以促進邊緣機器學習得到廣泛應用發揮全部潛力。本文描述機器學習項目的必要開發步驟，并介紹了ST MEMS傳感器內嵌機器學習核心（MLC）的優勢。 圖一
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機器學習 模型設計 MEMS MLC
根據TrendForce表示，2021年第一季NAND Flash產業總營收達148.2億美元，季增5.1%，其中位出貨量成長11%，大致抵消平均銷售單價下跌5%帶來的影響。在議價時，需求端雖受惠于筆電、智能型手機需求強勁，但數據中心市場需求仍屬疲弱，市場尚未脫離供過于求的狀態，各類產品合約價仍呈現明顯下跌。然而，OEM/ODM采購開始留意到NAND Flash控制器缺貨沖擊中低容量產品供給，自今年一月下旬便開始增加訂單，一方面避免陷入缺貨風險，也希望在料況無虞的情況下，策略性擴大市占，使得第一季NAND
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NAND Flash
2020 年11 月，美光科技宣布出貨全球首款176 層NAND，實現閃存性能和密度的重大突破（如圖1）。為此，《電子產品世界》采訪了該公司工藝集成技術開發高級總監Kunal Parekh 和NAND 組件產品線高級經理KevinKilbuck。問：176 層產品目前用于哪些應用？Kevin Kilbuck：我們Crucial英睿達品牌的某些消費類固態硬盤采用了176 層NAND，已經開始出貨。問： 新的176 層NAND 如何解決產量挑戰？如何解決層間干擾？Kunal Parekh： 通過嚴格的試驗和測
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202103 NAND
近日，美光在業界率先推出 1α DRAM 制程技術。值此機會，該公司舉辦了線上媒體溝通會，執行副總裁兼首席商務官Sumit Sadana 先生介紹了對DRAM、NAND的市場預測，以及美光的研發、資本支出、產品布局等。執行副總裁兼首席商務官Sumit Sadana1? ?2021年DRAM和NAND將增長19%展望2021年，全球GDP增長約5%。而根據不同分析師的預測，半導體產業預計增長可達12%，整個半導體產業的產值將達5020億美元。其中，內存與存儲預計增長可達19%，增度遠超整
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DRAM NAND
存儲芯片大廠美光（Micron）執行副總裁兼事業長Sumit Sadana近日接受采訪表示，2020年汽車電子和智能型手機需求因新冠肺炎疫情而衰退，今年顯現明顯復蘇，并帶動存儲器需求增長。目前主要有兩種存儲器產品，一種是DRAM（動態隨機存儲器），用于緩存，另一種是NAND
Flash（閃存），用于數據的存儲。在DRAM領域，韓國三星、海力士、美國美光三家企業把控了全球主要市場份額。NAND
Flash市場則由三星、凱俠、西部數據、美光和NAND Flash瓜分。Sumit Sadana稱，預期今
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美光科技 DRAM NAND
· SSD使用了支持串行ATA的TDK自有控制器 GBDriver GS2· 配置了3D NAND（TLC或pSLC）閃存· 新一代產品包括5個系列共計6個尺寸TDK株式會社（TSE:6762）將于2020年12月推出新一代閃存產品，該產品擁有5個系列，并針對工業、醫療、智能電網、交通和安全等應用進行了優化。5個系列全部采用了支持串行ATA的TDK自有NAND閃存控制IC“GBDrive
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TDK 3D NAND 閃存 SSD
mlc nand介紹
MLC NAND
目錄
1定義
2MLC芯片特點
3與SLC對比
1定義
MLC 全稱為Multi-Level Cell，多層單元閃存，MLC通過使用大量的電壓等級，每一個單元儲存兩位數據，數據密度比較高。
一般廠家宣稱可以保證得擦除次數是3，000次 。這一點與SLC得100，000的擦除次數有不小的差異。
2MLC芯片特點
1、傳輸速率 [
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