- 英飛凌科技股份公司今日宣布，該公司與爾必達公司(Elpida Memory Icn.)就專利侵權訴訟達成和解。英飛凌與爾必達均同意撤消所有未決專利侵權訴訟。英飛凌于2010年2月向美國國際貿易委員會(ITC)遞交起訴書，起訴爾必達及其客戶。爾必達隨后在弗吉尼亞州東部地區法院針對英飛凌提起兩項訴訟。
英飛凌與爾必達通過半導體技術專利交叉許可，就專利侵權訴訟達成和解。具體許可條款未透露。
英飛凌公司董事會成員兼銷售、營銷、技術和研發負責人Hermann Eul博士指出：“英飛凌很高
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英飛凌 DRAM
- 歐盟委員會19日裁定韓國三星等10家芯片制造商操縱市場價格的行為構成壟斷，并開出總額達3.31億歐元的罰單。
歐盟委員會當天發表聲明說，這些企業在動態隨機存儲器(DRAM)銷售上設定價格，其行為損害了市場競爭，違反歐盟反壟斷規定。
根據這一聲明，韓國三星電子公司被罰金額最高，為1.457億歐元，其次為歐洲第二大半導體生產商德國英飛凌科技公司和韓國現代電子產業公司，分別被處以5670萬歐元和5150萬歐元罰金。據悉，韓國三星電子公司和韓國現代電子產業公司去年在該存儲器全球市場中占據一半以上份
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三星電子 DRAM
- 市場調研機構Gartner近日公布了2010年Q1的DRAM市場份額公司排名情況。在Q1排名中市場份額擴大的優勝者是三星，美光及力晶及茂德。Q1 市場份額減少的失意者為海力士，爾必達，南亞和威邦。
Q1的市場排名中依銷售額計，三星居首位，接下來為海力士，爾必達，美光，力晶，南亞，威邦，茂德，東芝和鈺創科技。
臺灣的茂德與力晶半導體由于產能利用率近滿載，它們的銷售額大幅增加。Gartner的分析師Andrew Norwood認為力晶受益于其技術向Elpida的65nm XS技術過渡, 所以超
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三星 DRAM
- 三星電子前日宣布，今年的擴張資本支出將增加到18兆韓元(折合156億美元)。計劃將以11兆韓元擴充內存芯片產能，還將以5兆韓元與2兆韓元分別投入液晶顯示器 (LCD)，以及電視與手機業務。此外，加上研發支出，預計三星今年支出總額將達26兆韓元，較去年激增67%，如此大手筆讓人咋舌。
據悉，三星半導體業務總裁權五鉉3月在出席GSA內存大會時還表示，三星不會盲目擴大DRAM顆粒產量，但會重視產品價值，穩定產品價格。他還督促DRAM制造商不要一味的追求產能，而是應該把注意力放在工藝升級和高端產品的研發
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三星 DRAM 面板
- 三星電子(Samsung Electronics)半導體事業社長權五鉉(Dr. Oh-Hyun Kwon)3月中旬來臺公開呼吁DRAM同業應該要節制擴產，但三星電子卻于17日宣布，2010年將砸下26兆韓元(約折合228.8億美元)資本支出，是歷年來規模最大的投資計畫，主要以半導體產業為主，這對全球DRAM產業可說是投下一顆震撼彈，而臺系DRAM廠的反應則是啞巴吃黃蓮。存儲器業者指出，三星此舉是看好未來3年PC市場成長率，但卻讓現階段正積極募資的臺系DRAM廠，狠狠挨了一記悶棍!
權五鉉3月中旬
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三星電子 DRAM
- 三星電子在16號半導體生產線開工儀式上表示，2010年整體投資將達到26兆韓元。該生產線位于韓國華城，將主要用于生產下一代存儲產品，2011年建成投產后預計能月產12英寸半導體晶片20萬片以上。
2010年三星電子26兆韓元投資計劃主要包括：半導體領域11兆韓元、液晶領域5兆韓元、手機顯示領域2兆韓元以上、整體研發8兆韓元。經過此輪投資三星電子將實現30納米DRAM大規模量產、擁有能夠月產7萬片的第四條8代液晶面板生產線、擁有全球最大規模的AMOLED生產線等。這是三星集團繼前不久宣布向新產業投
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三星電子 DRAM AMOLED
- 原本進入難產階段的5月DRAM合約價終于開出，一如市場預期，在PC大廠和DRAM大廠多日的拉鋸戰之下，DDR2合約價最后持平開出，而DDR3合約價則是小漲2~3%;DRAM業者認為，在電子產業的傳統淡季還能維持此結果，算是滿意，至于第3季傳統淡季展望，DRAM廠都不敢把話說的太滿，對于能否有大幅漲價的空間? DRAM廠僅客氣表示，在此高檔區間震蕩就算是合理價位。
2010年5月合約價相當難談，幾乎到了快要難產的階段，主要就是卡在三星電子(Samsung Electronics)上，與部分PC大客
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三星電子 DRAM
- 全球DRAM產業40納米大戰出現變量，由于浸潤式機臺(Immersion Scanner)遞延交貨之故，瑞晶已松口表示，原本計劃年底前旗下8萬片12寸晶圓產能要全轉進45納米制程的目標，將正式遞延至2011年第1季，其第1臺浸潤式機臺本周才會正式到貨，比原訂時程晚了2~3個月，內部已決定將8萬片產能全數轉進63納米制程作為應變。DRAM業者皆認為，全球DRAM 產業的40納米正式對決時間點，會是在2011年!
瑞晶總經理陳正坤表示，瑞晶第1臺浸潤式機臺將于本周正式到貨，預計在9月之前會有5~6臺
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三星電子 DRAM 40納米
- 2010年第1季全球NAND Flash產業市占率中，仍以三星電子(Samsung Electronics)位居龍頭，根據集邦統計，三星的市占率高達39.2%，東芝(Toshiba)以34.4%市占率緊追在后，第1季位元成長率較上季增加15%，但平均單價(ASP)小跌5%，全球NAND Flash產業的產值規模約43.63億美元，較上季39.1億元成長11.6%。
NAND Flash產業2009年率先落底反彈，但2010年表現空間不多，在DRAM、NOR Flash、SDRAM和Mobile
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Samsung NAND DRAM
- 美光科技(Micron Technology Inc.)7日宣布完成收購NOR Flash大廠恒憶(Numonyx B.V.)的所有程序。依據協議，美光已發行大約1.38億股普通股(大約相當于12億美元)給恒憶股東(英特爾、意法半導體、私募股權基金Francisco Partners)。
完成收購恒憶后美光成為同時擁有DRAM、NAND以及NOR技術的記憶體晶片大廠。恒憶去年第4季營收約5.50億美元，自由現金流量達4,200萬美元。交易完成后美光/恒憶將與意法共享位于義大利Agrate的&ld
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美光 DRAM NAND NOR
- DRAM價格走揚，帶動全球第一季DRAM產值持續攀高至92.77億美元，較去年第4季再成長6.9%;其中，南韓三星市占率達32.3%，穩居全球DRAM龍頭寶座。
集邦科技表示，盡管第一季為DRAM產業傳統淡季，不過，在電腦系統廠商擔心下半年恐將缺貨、積極儲備安全庫存下，帶動第 1季DRAM市場需求淡季不淡，價格也持續走揚。
根據統計，第一季DDR3合約季均價上漲16%，現貨季均價也上漲14%;DDR2產品方面，第1季合約季均價上漲5%，現貨季均價則持平表現。
而在產品價格走揚，加上各
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三星 DRAM DDR3
- 根據集邦科技公布價格，DDR3合約季均價與現貨季均價繼2009年第四季分別大漲40%與30%后，在2010年第一季分別續漲16%與 14%;DDR2合約季均價與現貨季均價2009年第四季分別大漲61%與68%后，在2010年第一季淡季不淡，合約季均價續漲5%，現貨季均價持平，持續維持在高檔價格。
由于計算機系統廠商于第一季拉高DDR3的搭載比例由去年第四季的40%拉高至60% 造成第一季DDR3供貨吃緊。DDR2方面在現貨市場需求仍大部份在DDR2，而DRAM廠快速轉進至DDR3，使買方亦努力拉
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Samsung DRAM DDR3
- 以收入計全球第二大電腦記憶芯片制造商海力士半導體公司(Hynix Semiconductor Inc.)22日公布，一季度公司動態隨機存取存儲器(DRAM)平均售價季比上升3%，09年四季度漲幅為26%。
然而，海力士半導體公司在一份聲明中稱，一季度NAND快閃記憶芯片售價季比下降8%，09年四季度降幅為5%。
該公司補充道，一季度DRAM芯片發貨量季比上升6%，NAND芯片發貨量季比持平。
海力士半導體公布，該公司一季度營業利潤率為28%，09年四季度該公司營業利潤率為25%。
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海力士 NAND DRAM
- 日韓DRAM大廠制程競賽延伸至產品規格之戰，在三星電子(Samsung Electronics)于3月底，宣布推出由32GB大容量服務器內存模塊后，日系內存大廠爾必達(Elpida)也宣布4Gb DDR3芯片正式問世，不但采40奈米制程生產，未來也將用此芯片生產32GB內存模塊，應用于服務器、大型數據中心或其他大型系統等，DRAM大廠在產品規格之戰，逐漸由主流規格2Gb，延伸至4Gb容量。
爾必達22日指出，將正式推出4Gb DDR3芯片，主要是采用40納米制程生產，且響應近期科技產業吹起的環保
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Samsung DRAM 40納米
- 在渡過困難的09年后,全球半導體業迎來新一輪的高潮。市場相繼出現存儲器, 模擬電路等缺貨現象及OEM庫存不足。具風向標意義的1Gb DDR2價格由1,5美元升至3,0美元, 所以虧損了近3年的美光, 爾必達及海力士都報導扭虧為盈, 預計2010年全球DRAM增長40%,可達319億美元。
以臺積電為首的代工業也是看好, 預計今年有20%的增長。2010年Q1，它的65納米先進制程取消淡季的固定優惠，實際上是變相的價格上漲。臺積電去年第四季營收920.9億臺幣，季增2.4%，65納米占營收30%，
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存儲器 DRAM 模擬電路
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