英飛凌科技股份公司今日宣布，該公司及其子公司英飛凌科技北美分公司已于2010年2月19日向美國國際貿易委員會(ITC)遞交起訴書，稱爾必達(Elpida Memory Inc.)制造并向美國進口銷售的某些DRAM半導體產品侵犯了英飛凌在半導體制程和元件制造方面四項重要發明專利，涉嫌不公平貿易。
英飛凌公司管理委員會成員兼銷售、營銷、技術與研發負責人Hermann Eul博士指出：“英飛凌在業界一直處于先進半導體制程的領先地位。我們將盡力保護我們通過持續研發所獲得的知識產權。&rdqu
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英飛凌 DRAM
據市場研究公司iSuppli稱，經過連續三年的下降之后，DRAM內存市場2010年的銷售收入將達到319億美元，增長40%。
iSuppli負責DRAM內存業務的高級分析師Mike Howard在聲明中說，2010年將在2009年第四季度增長的基礎上繼續增長。2009年第四季度整個DRAM內存行業的銷售收入環比增長了40%。 Howard指出出貨量的增長和平均銷售價格的提高是這種增長的主要原因。
2009年第四季度是DRAM內存行業在最近的記憶中表現最好的一個季度。據iSuppli稱，20
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Elpida DRAM 內存
DRAM廠普遍看好今年市況之際，全球第二大DRAM廠海力士(Hynix)卻發出警語，認為今年DRAM恐出現供給過剩。海力士也是近期全球第一家看空DRAM產業的大廠。
全球DRAM龍頭三星上周才公開表示，看好整體內存產業，海力士卻發布警語，看法與三星大為迥異。
外電報導，海力士執行長金鐘甲(Kim Jong-kap)在接受媒體采訪時透露，由于各大芯片廠都大舉擴大資本支出，擔心DRAM會供給過剩;不過，他認為儲存型閃存(NAND Flash)需求仍會不錯。
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Hynix DRAM
美光(Micron)和南亞科正式宣布加入40納米DRAM制程大戰，今(9)日將攜手宣布42納米2Gb容量DDR3產品正式問世，同時也全面導入銅制程技術，與三星電子(Samsung Electronics)的46納米、海力士(Hynix)44納米和爾必達(Elpida)45納米相比，美光陣營的每片DDR3晶圓尺寸由于體積最小且產出數量最多，預計在2010年第2季試產，而策略伙伴南亞科和華亞科也將于下半年導入42納米制程，與爾必達旗下力晶和瑞晶導入45納米的時間點相仿。
2010 年DRAM市場50
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Micron 40納米 DRAM
2月9日消息，據臺灣經濟日報報道，在DRAM芯片行業多數企業普遍看好今年市況之際，全球第二大DRAM芯片廠海力士卻發出警告，認為今年DRAM芯片恐出現供給過剩。海力士也是近期全球第一家看空DRAM產業的大廠。
全球DRAM芯片龍頭三星上周才公開表示，看好整體內存產業，海力士卻發布警告，看法與三星大為迥異。海力士發警告，將牽動南科、華亞科、力晶以及創見、威剛等臺灣內存企業發展計劃。
外電報道，海力士執行長金鐘甲在接受媒體採訪時透露，由于各大晶片廠都大舉擴大資本支出，擔心DRAM芯片會供給過剩
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海力士 DRAM
據報道，韓國檢方近日逮捕了兩名美國半導體設備供應商應用材料Applied Materials高管，罪名則是這兩名高管偷取三星DRAM、NAND芯片處理技術等機密并出售給了競爭對手海力士。
美國證券交易委員會的報告顯示，Applied已經確認此事，并透露說其中一人是前應用材料韓國(AMK)高管、現任應用材料副總裁，另一名則是應用材料韓國子工廠的高管。
應用材料在一封電子郵件中表示，由于韓國檢方目前還未公布兩人的姓名，他們也不方便透露兩者的信息。作為應用材料的一大客戶，三星的利益顯然受到了傷害
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應用材料 DRAM NAND
報道，威剛主席Simon Chen今天表示，隨著DRAM制造商把重點放在DDR3芯片生產上，DDR2芯片的出貨量將開始減少，其價格有望在今年下半年超過DDR3。
Simon Chen認為，DDR2在低端PC市場還是比較受歡迎。如果1Gb DDR2的價格低于2美元，那么它需求將會出現大幅度增長。
Simon Chen還表示，上游芯片供應商紛紛通過工藝升級的方式來加大DDR3芯片的產量，不過這種升級或許會因為其它設備的供應短缺而延緩。
根據DRAMeXchange的監測，1Gb DDR2
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DRAM DDR3 DDR2
湯森路透知識產權解決方案事業部今日發布了《2009年頂級專利權人》(2009 Top Patentees) 的分析結果，對過去一年在美國獲得專利最多的前25家公司進行排名。這項研究發現，在這25家頂級公司中，無一家中國大陸企業上榜。老牌科技廠商美國IBM公司以4843項專利位列第一， 韓國三星電子和美國微軟公司分別位列第二和第三，這份25大專利權名單還包括11家日本公司，中國臺灣、芬蘭和德國各一家公司。
2009年美國專利權人 TOP25
亞洲公司目前已經占據了專利權名單的56%，而日
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三星電子 芯片 LCD DRAM
三星電子宣布，全球第一顆采用30nm級別工藝的DDR3 DRAM內存芯片已經通過客戶認證。注意這里說的是30nm級別工藝(30-nm class)，而不是真正的30nm，也就是說有可能是38nm 之類的。三星此前投產的3-bit MLC NAND、異步DDR 32Gb MLC NAND閃存芯片同樣也是這種30nm級別的。
三星這種30nm工藝級DDR3 DRAM內存芯片的容量為2Gb，支持1.5V標 準電壓和1.35V低電壓，相比50nm工藝級可節省最多30%的功耗，因此又稱為綠色內存(Gree
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三星電子 DRAM 30nm DDR3
導讀：《朝鮮日報》今日撰文稱，三星電子雖然躋身世界最大的電子企業行列，但公司銷售業績在很大程度上依賴于芯片產品，而芯片的營業利潤容易根據市場環境起伏不定，這也被認為是三星的“致命弱點”。如果現在放松警惕，今后可能會面臨更大的危機。
以下為全文：
三星電子在韓國企業史上第一個實現“銷售額100萬億韓元、營業利潤10萬億韓元”的業績，成為世界最大的電子企業。但英國《金融時報》29日報道稱：“從長遠來看，三星電子的創新性不足將損害收益。
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三星電子 芯片 LCD DRAM
近期DRAM廠掀起一股40納米熱潮，這一切都要從爾必達(Elpida)說起。因為爾必達2009年沒錢轉進50納米技術制程后，最后決定跳過50納米，直接轉進45納米，這下刺激了美光(Micron)陣營，南亞科和華亞科近期宣布42納米制程提前1季導入，讓整個DRAM產業在50納米都還沒看到影子時，又冒出一堆40納米的話題，但40納米能為DRAM產業貢獻多少? 真的有待商榷，只有三星電子(Samsung Electronics)在克服良率困難后，有機會大量生產，其它陣營的40納米技術，都是口頭說說成分居多。
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DRAM 40納米
LSI 公司日前宣布推出具有多核功能的 PowerPC 476 微處理器內核和高速嵌入式 DRAM 內存模塊，進一步豐富了其業界領先的定制芯片 IP 產品系列。該新型處理器內核和內存模塊旨在加速用于諸如企業級交換機、路由器、RAID 存儲器、服務器以及基站等高性能應用中的高級網絡和存儲SoC 的開發。
定制多核集成電路 (IC) 使 OEM 廠商能夠針對計算密集型應用開發出高度差異化的高性能解決方案。LSI 推出的這款新型 PowerPC 476FP 器件采用 TSMC 40G 工藝制造而成，能
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LSI DRAM 內存模塊 PowerPC476
在DRAM市場的歷史上，2009年初可能是最黑暗的時期之一，當時廠商能活下來就不錯了。
但是，繼春季溫和復蘇之后，DRAM供應商的黑暗日子結束，夏天迎來了光明。價格在春季的基礎上持續上漲，營業收入也水漲船高。三星走在前列，營業利潤率為19%，營業收入達22億美元，市場份額擴大到35.5%的最高水平。
DDR3來臨
第三季度，下一代DRAM技術——DDR3看到希望，而且顯然這種技術代表未來的一股潮流。iSuppli公司預測，DDR3出貨量將在2010年第一季度超
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DRAM DDR3 DDR2
據國外媒體報道，日本芯片生產商爾必達記憶體(Elpida)公司今日表示，預計2010年動態隨機存取記憶體(DRAM)將出現供應短缺。
爾必達社長本幸雄在新聞發布會上接受采訪時表示，DRAM的價格可能將在截至2011年3月的會計年度企穩。
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Elpida DRAM
2010年1月農歷春節前的補貨行情落空，DRAM價格大跌，所幸NAND Flash價格比預期強勢，存儲器模塊廠1月營收可望維持平穩，與2009年12月相較，呈現小漲或小跌的局面，整體第1季營收受到2月農歷過年工作天數減少影響，而呈現下滑，但整體行情不看淡;模塊廠認為，DDR3目前仍是缺貨，往下修正的幅度有限，一方面DDR3利潤較高，另一方面DDR3短期會被DDR2價格帶下來，但整體第1季DDR3供貨仍相對吃緊。
存儲器模塊廠2009年交出豐厚的成績單，創見、威剛都賺足1個股本，但2010年1月立
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DRAM NAND DDR3
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